硫化镉纳米微晶掺杂Na2O—B2O3—SiO2系统玻璃的制备及光学性质 …

本文采用Ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备了掺杂ＣｄＳ纳米微晶的Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２系统玻璃,研究了这种玻璃材料的合成反应机理和结构特性。利用各种温度下玻璃中掺杂纳米尺寸ＣｄＳ半导体微晶的光致发光光谱,研究了其光致发光带的峰值能量和线宽对温度的信赖关系,拟合了其带隙发光带的线宽随温度的变化曲线,获得样品的非均匀线宽。ＣｄＳ微晶的非均匀线宽主要是由于微晶的尺寸分布引起的,可以利用ＣｄＳ微晶的非均匀宽化系     

近中红外探测器增透研究

为提高以ＧａＡｓ 为基底的中红外探测器的综合性能,从理论上验证了在ＧａＡｓ 基底上镀ＴｉＯ２ ｓｏｌ－ｇｅｌ纳米颗粒膜能够较大幅度地提高ＧａＡｓ 红外透过率,并在实验中获得了适合于镀膜的稳定ＴｉＯ２ 纳米颗粒溶胶,有效控制镀膜工艺参数,在ＧａＡｓ 基底上成功地镀上了合适的ＴｉＯ２ｓｏｌ－ｇｅｌ膜,实现了增透效果,在２．５～６．０μｍ 波段内,透射比的最大值由未镀膜的５６％ 提高到镀膜后的９４％ ．     

低损耗玻璃光波导的溶胶-凝胶法制备

采用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－ｇｅｌ）技术制备了ＳｉＯ２－ＴｉＯ２低损耗平面光波导,在６３３ｎｍ处的传输损耗为０．５７ｄＢ／ｃｍ。同时在硅基板上制备了脊型Ｙ形波导分束器,分束比为１１。     

不同方法制备的C60材料的发光行为

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ溶胶－凝胶的方法出了掺杂Ｃ６０的Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２干凝胶和掺杂Ｃ６０的ＳｉＯ２ＰＤＭＳ（聚二甲基硅氧烷）的凝胶材料。测量了纯Ｃ６０粉的吸收光谱和掺杂Ｃ６０偻的凝胶材料在不同温度下的发射光谱。观测到了Ｃ６０／ＮＢＳ在３０Ｋ～２００Ｋ温度范围Ｃ６０的发光峰位于１．６９ｅＶ,发光峰随着温度的升高向低能边有一较小偏移,并且谱峰强度减弱。对实验数据进行了拟合。分析了发光与温度的关     

多孔SiO_2厚膜湿度传感器的制造及其湿敏特性

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法制备了三种ＳｉＯ２凝胶，并以此制造了多孔ＳｉＯ２厚膜湿度传感器。其电容量－湿度关系呈开关特性，转变点约在８５％ＲＨ。     

掺Y~（3＋）、La~（3＋）的（Sr，Ca）TiO_3系多功能陶瓷

用稀土离子Ｙ（３＋）、Ｌａ（３＋）对（Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ３掺杂，以Ｂａ－Ｓｉ－Ａｌ玻璃为助熔剂，在１３５０～１４５０℃还原性气氛中烧成，获得工艺性能良好、烧结温度较低、晶粒电阻率低（１０（－２）Ω·ｃｍ）、非线性高（α达１０以上）的陶瓷材料。在制备过程中省略了以往用碱金属离子涂覆并进行热扩散的工序。用缺陷化学理论，根据测量的ＩＣＴＳ谱、Ｉ－Ｖ特性和Ｃ－Ｖ特性系统研究了Ｙ（３＋）、Ｌａ（３＋）掺杂对晶粒半导化、压敏特性和介电特性的影响。热处理过程中，Ｏ－的化学吸附是这类陶瓷产生晶界势垒的主要原因。     

稀土金属氧化物添加剂对钨铜触头材料的影响

本文对掺杂稀土金属氧化物（Ｌａ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ，Ｃ２Ｏ３）钨－铜触头材料进行了试验。通过添加约０．５－２０％稀土氧化物制成ＷＣｕ触头材料测试了氧化物添加剂对其烧结，性能与结构的影响，并对按触性能，即触头电阻，电阻烧损和焊接力进行了模拟系统试验，结果发现，某些稀土氧化物对减少焊接力和降低电弧烧损有很好的作用。     

耐瞬态核辐照光纤的制备和测试

本文叙述用ＰＣＶＤ法制备的耐瞬态核辐照光纤。光纤包层为Ｆ掺杂，纯ＳｉＯ２纤芯，低ＯＨ－根含量，经核辐照后的实验结果表明，光纤瞬态峰值感应损耗最低为３．４ｄＢ／ｍ·ｋｒａｄ。文中还讨论了制备中的几个问题。     

硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究

利用硅分子束外延技术和Ｂ２Ｏ３掺杂源，成功地实现了硅中的硼δ掺杂，硼δ掺杂面密度ＮＢ可达３．４e１４ｃｍ－２（１／２单层）以上，透射电镜所示宽度为１．５ｎｍ．我们首次用原位俄歇电子能谱（ＡＥＳ）对硼在Ｓｉ（１００）表面上的δ掺杂行为进行了初步的研究，发现在ＮＢ＜３．４e１４ｃｍ－２时，硼δ掺杂面密度与时间成正比，衬底温度６５０℃，掺杂源温度９０００℃时，粘附速率为４．４e１３ｃｍ－２／ｍｉｎ；在ＮＢ＞３．４e１４ｃｍ－２时，粘附有饱和趋势，测量表明在硼δ掺杂面密度ＮＢ高达４．４e１４ｃ     

Ge—SiO2光纤中光纤布喇格光栅的折射率结构

本文将Ｇｅ－ＳｉＯ２光纤中秀导色心的密度性能与在相同光纤中写入的光纤布喇格光栅（ＦＢＧ）相关联的折射率调制性能进行了比较。发现，光诱导出的ＧｅＥ色心与注量的关系、它的热退火性能以及它与Ｈ２的相互作用都与填Ｈ２和未填Ｈ２Ｇｅ－ＳｉＯ２光纤中形成的折射率调制性能相类似。填Ｈ２Ｇｅ－ＳｉＯ２光纤具有更强的光敏性，这是由于填Ｈ２Ｇｅ－ＳｉＯ２光纤中ＧｅＥ’色心形成效率更高的缘故，ＧｅＨ具有附加的贡献。此外     

低温PECVD法制备半导体的复合钝化膜

本文主要是以ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ和Ｓｉ３Ｈ４、ＮＨ３、Ｎ２作为气体源，在平行板电容耦合式淀积设备上，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）法制备ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４复合钝化膜。     

溶胶—凝胶沉积PbTiO3薄膜成分和结构的XPS分析

对通过Ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺制备的ＰｂＴｉＯ３薄膜在Ａｒ＾＋溅射前后作了ＸＰＳ全扫描和窄扫描测量，结果表明，除了薄膜原始表面有化学吸附氧和污染碳外，薄膜中没有残余的单质碳或其他杂质元素存在，薄膜的元素组成与化学计量比一致，薄膜表面无富集Ｐｂ。各元素的化学状态证实薄膜系ＰｂＴｉＯ３钙钛矿型结构，Ａｒ＾＋溅射引起Ｐｂ择优溅射和化合物分解，以致Ａｒ＾＋溅射后薄膜表面元素组成与化学状态严重偏离薄膜体内层的真实     

Si—Si3N4—SiO2钝化工艺及其应用

介绍了ＬＰＣＶＤ法Ｓｉ３Ｎ４膜与ＰＥＣＶＤ法ＳｉＯ２膜的淀积工艺，以及Ｓｉ－Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＯ２钝化工艺在高可靠大电流开关二极管中的应用，并指出了工艺的适用范围。     

Sol—Gel法制备PbTiO3陶瓷

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备了ＰｂＴｉＯ３陶瓷，观察了结晶情况，并测定了某些电性能。实验表明，用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备的ＰｂＴｉＯ３陶瓷纯度高，致密性好、晶粒均匀，且有良好的介电性能和铁电性能。     

Mn对一次烧成钛酸锶陶瓷复合功能的影响

采用一次烧成工艺制备了Ｍｎ掺杂的ＳｒＴｉＯ３电容－压敏复合功能陶瓷,采用ＳＥＭ观察了ＳｒＴｉＯ３复合功能陶瓷的微观结构,测量了不同氧化热处理温度下ＳｒＴｉＯ３陶瓷的电学特性,采用ＸＰＳ研究了ＳｒＴｉＯ３复合功能陶瓷中Ｍｎ主要以Ｍｎ＾２＋的化学状态,并分析了Ｍｎ的掺杂行为。研究结果表明：一次烧成ＳｒＴｉＯ３陶瓷达到较高的烧成致密度,Ｍｎ主要以Ｍｎ＾２＋的形式存在于晶界,氧化热处理过程Ｍｎ低价粒表面的     

来自硅的雪崩载流子注入时MNOS结构介质膜中的荷电现象

来自硅的雪崩载流子注入时ＭＮＯＳ结构介质膜中的荷电现象＝［刊．俄］／－１９９３．２２（２）．－３１～３７金属（或重掺杂半导体）－氮化硅－二氧化硅－硅（ＭＮＯＳ）结构，在现代微电子学中有着广泛的应用。显然，和热生长二氧化硅膜相比。上述双层电介质具有一系...     

SiO2对SnO2.CoO.Nb2O5压敏电阻非线性电学性质的影响

对ＳｉＯ２掺杂的ＳｎＯ２．ＣｏＯ．Ｎｂ２Ｏ５压敏电阻非线性电学性质进行了研究,并对其微观结构进行了电镜扫描,且对其晶界势垒高度进行了测量,实验表明ｘ（ＳｉＯ２）＝０．３％掺杂的ＳｎＯ．ＣｏＯ．Ｎｂ２Ｏ５压敏电阻的非线性系数ａ高达３０,并且具有最高的击穿电场（３７５Ｖ／ｍｍ）。采用Ｇｕｐｔａ－Ｃａｒｌｓｏｎ缺陷模型对晶界肖特基势垒高度随ＳｉＯ２的添加而变大的现象进行了理论解释。     

利用化学平衡法研究Sm—Fe—N体系的热力学

ＮＯ－ＮＯ２的混合气体与Ｓｍ－Ｆｅ合金和Ｓｍ２Ｏ３（Ｓ）的平衡实验是Ａｌ２Ｏ３或ＺｒＯ２坩埚中进行的。合金上方的气相中氧分压是用固体电池测定的、所设计的电池为Ｍ０｜Ｍ０，Ｍ０｜｜ＺｒＯ２（ＭｇＯ）‖Ｐｔ，Ｏ２｜Ｍ０，与合金钐成平衡的氧化物确定为Ｓｍ２Ｏ３（Ｓ）。     

硅基PZT铁电薄膜的界面和表面研究

用高分辨岸民镜等手段研究了溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）工艺制备的硅基Ｐｂ（Ｚｒ,Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜,发现在ＰＺＴ的上表面生成了ＳｉＯ２,ＰＺＴ与硅衬底的界面处形成了无定型的ＳｉＯｘ层并有铅的沉积,而且热处理温度越高,这种现象越显著。这些结构严重影响了ＰＺＴ铁电薄膜的品质及其应用。在分析上述结构产生机制的基础上提出了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺的改进方法。     

镁掺杂对ZnO-Al_2O_3系陶瓷性能的影响

运用回归数学分析并结合ＳＥＭ观测结果，对影响ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３系陶瓷电阻及阻－温特性的线性化机制进行了探讨。研究表明，Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ的掺杂及烧成工艺均对材料的电阻率和电阻温度系数有较为明显的影响，镁掺杂对材料的电子激活能有较大的影响，当材料的电子激活能值较低时，通过回归处理发现其阻－温特性具有较好的线性，符合麦克劳林公式。