悬浮区熔法制备中、低阻硅单晶

区熔硅单晶纯度高,补偿度小,其高电阻率单晶在整流器件领域显示出优越性,但重掺杂工艺制备中,低电阻率FZ单晶较为困难,本文介绍一种简便掺杂方法,能较稳定生产10～10~(-2)Ω·cm区熔硅单晶。     

硅单晶质量对半导体核辐射探测器性能的影响

本文根据实验结果讨论了原始硅单晶的不同生长气氛、电阻率均匀度、杂质补偿度,载流子寿命、位错、含氧量等对半导体核辐射探测器性能的影响,对于用不同参数的高阻P型和N型硅单晶制成的探测器进行了比较和分析。文中也谈到了对探测器级硅单晶的基本要求和今后展望。     

介绍一种区熔掺杂方法

一般说来,通过涂P_2O_5溶液生产区熔单晶的主要缺点是纵向电阻率范围较大和掺杂的重现性较小。特别是在中心电阻率较高的情况下更是如此。例如目标电阻率为80—100Ω·cm的区熔晶体一般需用中子辐照方法掺杂。它的主要优点是重现性几乎达100％,纵向电阻率范围窄。一般情况下,电阻率范围为±10Ω·cm,较好的情况可达±5Ω·cm。但它也存在生产周期长这一主要缺点,从晶体拉制后算起,到退火完毕,需要1个月左     

淀积温度和氧含量对ITO膜结构及性能的影响

在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜 ,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与温度和氧含量的关系 ,并测量分析了薄膜电阻率及透光率分别随温度和氧含量的变化情况。所镀制的ITO膜电阻率已降到 <2× 10 - 4Ω·cm ,可见光透过率达 80 %以上。     

超高纯锗多晶材料制备工艺方法研究

高纯锗属于半导体材料,一般通过区域熔炼法提纯制取,微量杂质元素会显著地使其电阻率降低。因此,习惯用(杂质)载流子浓度(通过电阻率和迁移率进行表征)来表示高纯锗的纯度,(杂质)载流子浓度越低,纯度越高。为提高超高纯锗多晶材料的纯度,适应空间暗物质、中微子探测、地质勘探等领域研究的需要,开展了超高纯锗多晶材料纯度的实验工艺优化实验研究。同时,进行了区熔次数的实验研究以改进工艺过程,以期找到一种新型的超高纯锗多晶材料制备工艺,使制备出的超高纯锗多晶材料纯度达到(12～13) N,载流子浓度1×10~(11)/cm~2,电阻率2×10~3Ω·cm,迁移率1×10~4cm~2/(V·s)。     

铝金属基板的制备及性能

利用阳极氧化方法研制了应用于高密度封装中的铝金属基板。对其性能进行了测量。结果表明 ,在草酸电解液中获得的阳极氧化铝基板的膜层具有良好的电阻率 ,可达到 1× 10 1 4～ 1× 10 1 5Ω·cm数量级。其介电常数低于 10 ,随氧化膜层厚度增加而减小。对膜层进行的后续封孔处理提高了膜层的绝缘性能及耐蚀性。提高成膜温度有利于改善阳极氧化铝基板的耐热震性能     

稀土磁性陶瓷

磁性陶瓷分为含铁的铁氧体陶瓷和不含铁的磁性陶瓷。多属于半导体材料,电阻率约为10～10~6Ω·m,因此成为现代电子技术中必不可少的一种材料。用它们代替低电阻率(10~(-8)～10~(-6)Ω·m)的金属和合金磁性材料,可大大降低涡流损耗,适用于高频场合。磁性陶瓷的高频磁导率也较高,这是其它金属磁     

中子辐照对硅晶体电学性能的影响

采用弱场霍尔技术研究了中子辐照对硅单晶电性能(导电类型、电阻率、霍尔系数、载流子浓度及霍尔迁移率)的影响。实验发现:对电阻率范围10~(-2)-8Ω-cm的硅单晶,经中子辐照后,载流子浓度降低、电阻率增加,霍尔迁移半变小。此变化规律对低掺杂试样明显。作者认为辐照在硅单晶中产生的电活性缺陷能级是连成电参数变化的主要原因。     

1×8元线阵高T_c 超导红外探测器研制

选用YBCO薄膜,制成1×8元线阵红外探测器,测得器件的等效噪声功率NEP在(2.5～7.4)×10~(-11)W.Hz~(-1/2)之间,探测率D~*在(2.7～8.0)×10~8cm.Hz~(1/2)·W~(-1)范围内,转变温度T_0为90K。     

掺铕聚合物光纤的光辐射特性

制备了掺铕螯合物的阶跃型聚合物光纤。根据Judd-O fe lt(J-O)理论,从铕螯合物Eu(DBM)3掺杂的聚甲基丙烯酸甲酯(PMM A)的发射光谱获得了光学跃迁的J-O参数Ω2、Ω4(Ω2=15.71×1-0 20cm2,Ω4=0.24×10-20cm2)。用J-O参数计算了铕离子激发态(5D0)的辐射跃迁几率(513.97-s 1)和辐射寿命(1945.6μs),同时计算了5D0→7FJ跃迁的受激发射截面ijσ和荧光分支比,β分析表明,Eu(DBM)3掺杂的PMM A可望用于聚合物光纤放大器和激光器。     

由钛的特性看其未来

作为金属单质的基础物性，主要有相变点、熔点、沸点、密度、杨氏模量、电阻率、熔化热、气化热、摩尔热容、热导率、线膨胀系数以及德拜温度等。钛与人们日常应用的金属如钢铁、铝、铅、锡、锌、锰等相比，在物性方面可以说是与众不同的。 在金属元素中，电阻率ρ值最高的是锰，为1600nΩ·m~1850 nΩ·m，铋超过 1160 nΩ·m，钛比稀土金属类稍低，约为 420nΩ·m~550 nΩ·m，比铁高4倍，在常用金属中相当高。根据魏得曼·弗朗茨（W-F）定律，一定温度下电导率σ与导热率κ的关系为κ/σT=π2K2B/3e2，定义σ=1/ρ时， Kρ/T则近似为…     

工艺条件对直流磁控溅射沉积ITO薄膜光电特性的影响

研究了采用直流磁控溅射法制备ITO透明导电膜时温度、靶材、氧压比、溅射气压、溅射速率等工艺条件对ITO膜电阻率和可见光透过率等光电特性的影响。实验结果表明,用ITO陶瓷靶溅射镀膜要比In-Sn合金靶好,特别是在电阻率上,前者要低一个数量级左右;并由实验结果得到,当温度330℃,氧氩比1/40,溅射气压0.45 Pa和溅射速率23 nm.min-1左右时,可获得薄膜电阻率1.8×10-4Ω.cm,可见光透过率80%以上的最佳光电特性参数。     

对国产探测器级P型硅单晶的评价

本文介绍了用739厂的P型硅单晶制作Si(Li)X射线探测器所得的一些结果。探测器对~(55)Fe5.89keVX射线的能量分辨率小于165eV(FWHM)。并介绍了用国内不同厂家的几种P型硅单晶在美国劳伦斯实验室(LBL)制作Si(Li)X射线探测器的结果。实验表明,国产P型硅单晶可以制出高质量Si(Lj)X射线探测器。对西德瓦克(Wacker)公司的一些P型硅单晶和国产一些较高电阻率材料进行了对比试验,利用LBL的条件分析了某些材料的深能级杂质,并对实验中的一些问题进行了简单的讨论。     

反渗透-电脱盐超纯水系统的改进

某厂2002年安装了一套反渗透-电脱盐超纯水生产系统,投产后,出水电阻率只为2～5 MΩ·cm,达不到≥12 MΩ·cm的设计指标.该厂对其进行了改造,将自动软化器和加盐系统前移.改造后,系统正常运转,经济效益显著.     

ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜国内的研究现状

综述了以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜的制备技术,系统地研究了各工艺参数,如氩气压强、射频功率、衬底基片温度、退火条件和氧流量等对其结构和光电特性的影响。在纯氩气中且衬底温度为300℃时制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率可降至8.7×10-4Ω.cm,可见光透过率在85%以上。X射线衍射谱表明,ZAO晶粒具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。     

上海市冶金局有色金属产品介绍

2.硅单晶捧电姐率中心值等技术条件电阻率中心值(p。)的分类 O一cm电阻率最大百分公差 %端面电阻率最大不均匀度┌──┐│B级 │└──┘少子寿命最小值 件SA级{B级掺杂元素晶向导电类型制备方法<111><100><111>SbAs15N<111)10CZPn.一.“﹃一n︸一一O一八U一勺一一匕︸八U一一     

添加Y_2O_3对LaCaCrO_3电性能的影响

铬酸镧(LaCrO_3)是属于一种稀土氧化物半导体材料。其中部分La~(+3)离子被碱土金属Ca~(2+)离子置换生成LaCaCrO_3,呈现出良好的电传导性(室温下电阻率不大于10Ω·cm)、     

《上海金属》(有色分册)第5卷(1984年)分类总目录

·冶炼·半导体·PZO4萃取剂的皂化技术杨钟林杭科文从铂把佬混合物里分离铐过程中某些化学反_应 的讨论余守慧张月英等从CuZS04一HZSOfCH:CN一HZO系中电解精 炼铜陈世瑞余仲兴从可伐合金镀金废件中回收钻、镍、金· 余守慧张月英等200安培四氯化钦熔盐电解中低价钦离子平均价 的电化学测定熊松煌陆庆桃一个定向凝固高温合金长时间组织稳定性的研 究姚德良周宝珠(1一9)悬浮区熔法制备中、低阻硅单晶李继光(2一19)(2一5)。。._,、二。,,,,.1 dt、。,、_~_一~,卜二七乙法健毕加王仅甲几二了一10一七勺热乐珑输构 、UXI(2一11)(l一14)(…     

Sm2O3掺杂PbTiO3陶瓷的制备与电性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了Sm2O3掺杂的PbTiO3陶瓷,并对其制备条件和电性能进行了研究。结果表明:Sm2O3掺杂能够缩短凝胶形成时间,降低PbTiO3陶瓷烧结温度,改善烧结性能;Sm2O3掺杂PbTiO3陶瓷的电阻率均低于纯PbTiO3陶瓷,当掺杂量为0.003(n(Sm2O3)∶n(PbTiO3))时,电阻率最低,为5.8×108Ω·m;通过XPS分析,得到了Sm2O3掺杂PbTiO3陶瓷中各元素的结合能位置,表明Sm3+、Ti4+等都存在着不同程度的变价,导致了PbTiO3陶瓷导电性的提高。     

锇(Ⅷ)-N-(8-喹啉基)-N’-苯甲酰基硫脲(QBTU)络合物吸附波的1.5次微分极谱研究

于0.025mol/LNaOH溶液中,Os(Ⅷ)-QBTU体系产生—明晰的极谱波,其1.5次微分峰电流与浓度在1.0×10~(-7)～4.0×10~(-5)mol/L范围内呈线性关系。研究了极谱电流的性质、反应机理及电极过程等后确认:络合物的组成为[OsO_4(OH)_2·QBTU]·Na_2并吸附于滴汞电极表面,配体QBTU在不离解出的情况下发生电还原,获得络合物吸附波,电极过程不可逆,[OsO_4(OH)_2·QBTU]~(2-)离子的条件稳定常数8.5×10~5。