硅中载流子浓度的红外自由载流子吸收测定法

硅材料和硅器件的许多性质和性能都与载流子浓度有直接依赖关系。测定硅中载流子浓度已发展有许多方法,如四探针法、霍耳系数法,C-V法、光致荧光法、杂质吸收法等等。1958年吴仲墀等人利用室温下10.6μm处自由载流子的吸收系数α测定硅中载流子浓度,作者则采用在500～3500cm~(-1)红外波段内测量的吸收系数α,得到了载流子浓度N。     

掺氧GaAs单晶的红外吸收研究

报道了掺 As_2O_3 和掺 Ca_2O_3+Cr 水平法生长的 CaAs 单晶中氧有关缺陷的红外吸收谱,揭示了氧缺陷吸收蜂的出现和样品电阻率的依赖关系,并对氧缺陷中心(O_i-V_(As))的负 U 特性进行了讨论。淬火实验表明,氧还可能以其它形态存在于 GaAs 晶体中。     

GaP:NLPE片的纵向载流子浓度分布

阐述了ＧａＰ：ＮＬＰＥ片纵向载流子浓度分布的测量方法,探讨了各层载流子浓度和载流子浓度分布对发光效率的影响。     

GaP∶NLPE片的纵向载流子浓度分布

阐述了ＧａＰ∶ＮＬＰＥ片纵向载流子浓度分布的测量方法, 探讨了各层载流子浓度和载流子浓度分布对发光效率的影响。     

LEC轻掺铬半绝缘GaAs单晶电学性质均匀性研究

近年来,LEC法高质量SI-GaAs单晶被广泛用作微波器件、光电器件、高速数字集成电路和光电集成电路的衬底。目前,待解决的问题之一是消除SI-GaAs晶片上制造集成电路时FET阀值电压的不均匀性。而要解决这一问题就要研究GaAs晶体电学性质的均匀性。本文用Vander Pauw法测定了轻掺铬SI-GaAs单晶体的电阻率、霍耳迁移率和载流子浓度的横向和纵向分布,用变     

GaAs单晶生长技术的新进展

日本光技术共同研究所(简称“光共研”)正以数十亿日元的投资,进行看第二代光技术的核心——光电集成电路(OEIC)的基础技术开发。要使OEIC生产获得高成品率,必须制备位错密度极低、高纯的半绝缘GaAs衬底。目前GaAs的工艺水平要比Si落后20年。为此“光共研”已把高速计算机、微波通     

低位错掺铟与不掺杂LEC SI—GaAs单晶生长工艺研究

在微波半导体领域内,2～3英寸高迁移率、高完整性的SI-GaAs单晶是制做GaAs器件特别是GaAs IC的理想材料,但用LEC法生长的单晶位错密度较高,EPD达10~4～10~5cm~(-2)。根据国内外的报道,现有降低LEC GaAs单晶位错工艺的实质是降低单晶的热应力与提高临界切应力。根据这种观点,我们在改进的高压单晶炉中生长了直径     

VGF法GaAs单晶位错分布的数值模拟和Raman光谱研究

采用数值模拟技术和Raman光谱法对4inch垂直梯度凝固(VGF)法GaAs单晶位错进行了研究。运用数值模拟软件计算了GaAs晶体生长过程中的位错分布,模拟计算与实验结果一致。通过Raman光谱测量,定量计算了晶片表面的残余应力分布。Raman测量结果表明,残余应力与位错密度分布基本一致。在VGF法生长的GaAs单晶中观察到了不完整的位错胞状结构,并利用Raman光谱法对其进行了微区分析。     

水平三温区法制备低位错和无位错掺Si—GaAs单晶

本文叙述了水平三温区法制备低位错和无位错掺Si—GaAs单晶的工艺,介绍了三温区炉的结构,论述了掺Si—GaAs晶体与石英舟的沾润和单晶生长的有关问题。试验结果表明水平三温区炉工艺稳定,具有重现性。在本工艺的条件下,单晶生长率可达70％以上。(100)面生长,获得8厘米~2低位错单晶,位错密度小于2000厘米~2;(100) 面为5厘米~2无位错单晶,位错密度小于500厘米~(-2),在尾段有零位错样品。     

GaAs和GaP单晶的生产与应用

简术了ＧａＡｓ，ＧａＰ单晶材料近年来的生产与发展，国外生产厂家，品种和规模，以及目前单晶材料在发光领域内应用的现状和发展预测。     

掺杂GaAs单晶中位错的腐蚀观察与探讨

本文阐述水平三温区炉生长的掺杂(Si,Te或Cr)GaAs中位错的腐蚀观察工艺和基本原理。详细探讨了由化学腐蚀所获得的一些结果,诸如位错坑,浅坑或碟坑,沉淀物和夹杂等。     

掺锌（100）GaSb单晶的生长

采用LEC方法研制出掺锌(100)GaSb单晶;用霍尔测量法算出的锌掺杂浓度计算得出锌的有效分凝系数keff约为0.84±0.01,沿晶体生长方向随着锌浓度的提高,位错密度缓慢增加,数值约为(2～3.2)×103cm-2,当掺锌浓度大于3×1019cm-3以后,GaSb发生简并,载流子浓度随掺锌浓度的增加缓慢提高.采用重掺锌母合金作掺杂剂,可减少锌的损失,较好地控制掺杂浓度.     

VGF法生长6英寸GaAs单晶生长速率的优化

晶体的生长速率关系着晶体质量和生产效率,保证晶体质量的同时,实现较高的生产效率是晶体生长速率优化的主要目标.VGF技术生长晶体时,晶体的生长速率主要取决于控温点的温度及降温速率.在保持加热器控温点不变的情况下,利用数值模拟方法研究了0.9,1.8,3.6mm·h-13个速率下6英寸VGF GaAs单晶的生长,通过对比不同生长速率下温度梯度(均为界面附近晶体中的温度梯度)和固-液界面形状的变化及热应力的分布,得出以下结果:随着晶体生长速率的增加,轴向温度梯度增大的同时,沿径向增加也较快;但由于受氮化硼坩埚轴向较大热导率的影响,晶体边缘轴向温度梯度迅速减小;径向温度梯度在晶体半径70 mm处受埚壁的影响均变为负值,晶体中大量的热沿埚壁流失,导致生长边角上翘;生长速率的增加使得界面形状由凸变平转凹,"边界效应"逐渐增强,坩埚与固-液界面的夹角逐渐减小,孪晶和多晶产生的几率增加;通过对比,1.8 mm·h-1生长时晶体界面平坦、中心及边缘处热应力均较小、生长速率较大,确定为此时刻优化的生长速率.     

研制生长GaAs单晶的AlN、ZrB_2坩埚材料

随着以镓、砷为主的单晶市场的正式开展,拉制单晶的不可缺少的坩埚材料的研制工作开始活跃起来。拉制 GaAs 用 PBN(热分解氮化硼)坩埚污染少,但价格甚高(即便考虑订货量,一个直径6时的坩埚需150万日元),只有美国联合炭素工厂生产此种材料,此种材料随使用时间增加其脱皮量增     

重掺碲(100) GaSb 单晶的研制

采用LEC工艺 ,通过特殊的过滤措施 ,可以批量拉制重掺碲的GaSb单晶材料。计算结果表明 ,在该生长系统及工艺条件下 ,碲在GaSb中的有效分凝系数约为 0 38。GaSb单晶EPD测试表明 :EPD沿径向分布呈“W”型 ,数量约为 1× 1 0 3cm- 2 ;沿晶体生长方向 (1 0 0 )变化不大。     

硅焊接整流器补偿电抗器的代用

我厂购进了一台硅焊接整流器，型号：ZPG7—1000，生产厂家是上海华东电焊机厂。我们在认真阅读了使用说明书，用摇表测试各个部位绝缘合格后通电试机，当时采用“炭弧焊”，焊接电流在600A～700A之间，经过15min的试机，发现从机体内冒出一股烟，并伴有绝缘烧焦的气味。随断电停机检查，发现补偿电抗器DK4线圈已烧。开始我们怀疑是制造厂家在绕制线圈时存在质量隐患，于是按照原线圈的技术参数重新绕制，安装上重新试机仍然出现上述症伏。通过上述两次同样的故障现象，并再次对照使用说明书，我们认为补偿电抗器DK4在焊机中起如下作用…     

掺Cr-Te半绝缘(SI)GaAs 的某种特性

一引言离子注入工艺具有成本低,制作的器件参数重复性好,均匀性好等优点,已被应用于器件制作工艺中,并成为制备高频高速集成电路的基础。国外,GaAs FET生产中     

半导体外延材料导电类型及载流子浓度的简易判定法

本文利用金属—半导体接触的基本理论,发展了一种炉前简易判别化合物半导体外延层导电类型和载流子浓度范围的方法,其准确率为:GaAs和GaInP达100％,GaInAsSb可达90％左右。     

磷化铟单晶退火及热应力分布的研究

磷化铟单晶生长是一种液相转变为固相的过程,晶体生长过程中的热场条件直接影响晶体的热应力、电学均匀性、位错密度、晶片的几何参数。通过实验和理论分析研究热场条件对InP晶体生长的影响,通过晶锭退火、晶片退火、位错测量、应力测量等实验研究、分析位错密度与残余热应力的关系和减除热应力的方法。在InP晶体生长阶段,熔体温度、炉内气体压强、氧化硼厚度、熔体及晶体的形状、炉体结构、加热功率等都是影响晶体生长过程中热场分布的因素。这些因素共同导致晶体内部产生径向和轴向温度梯度,从而产生热应力。晶体长时间处于温度梯度很小的高温状态,能使其应力得到释放并且内部的晶格畸变也会发生变化。通过后期适当的高温热处理可以使晶体内部残余热应力得到释放。采用金相显微镜观察InP样片观察到的位错呈现"十"字状分布,中心和边缘位错低,两者之间的"十"字部分位错高,与晶片残余应力分布基本保持一致。晶体生长过程中,热应力大于临界剪切应力导致的晶格滑移使InP的晶格结构产生畸变,导致晶体内部形成位错。