金属材料改性的离子注入技术

本文概述了金属离子注入技术的特点，并就国内外的应用情况，介绍了离子注入后，金属材料耐磨性、抗蚀性显著改善的研究。着重对金属离子注入机的要求和发展方向作了简要介绍。     

金属材料改性的离子注放技术

本文概述了金属离子注入技术的特点，并就国内外的应用情况，介绍了离子注入后，金属材料耐磨性，抗蚀性显著改善的研究。着重对金属离子注入机的要求和发展方向作了简要的介绍。     

砷化镓中的离子注入

在半导体器件制造工艺中,离子注入技术日益广泛地得到应用。特别是在硅器件中,利用离子注入制作MOS器件和双极晶体管以及MOS集成电路等都已投入大量生产。预计在1975～1980年将实现全注入MOS及双极大规模集成电路。在化合物半导体中的离子注入技术也在进行广泛研究,特别是在砷化镓方面的研究已取得较大成果,正逐步应用于器件制造中。     

甚大规模集成电路制造中的离子注入技术

本文总结了离子注入技术用于今后甚大规模集成电路(ULSI)时的部分研究结果,并讨论了在ULSI应用中离子注入技术可能遇到的实际问题及解决措施。就目前而言,已有的离子注入技术(包括离子注入设备系统)尚不能满足甚亚微米器件和电路制造的需要。今后的主要任务除了开发与离子注入技术相配套的其它半导体工艺设备和技术之外,必须要探索和研究具有更强加工能力(可加工φ75mm到φ200mm硅片)、性能更可靠(均匀性、重复性小于1％)、参数指标范围更宽(注入角度全方位可调且精确可控、束流可大于200毫安、注入能量从几百eV到几百keV)的新一代离子注入系统。     

透射电镜原位研究Ni纳米晶粒成核生长

离子注入能够精确地控制能量和剂量 ,能够注入几乎所有的元素 ,甚至同位素 ,而且注入离子形成的纳米晶粒镶嵌在衬底里 ,使得形成的纳米颗粒得到了很好的保护。近年来 ,离子注入绝缘衬底材料形成量子点结构成为研究的热点。随着离子注入技术和工艺的不断改善 ,该方法在工业应用中成本越来越低 ,相信会在今后的材料制备中得到更广泛的应用。本研究在法国核谱质谱中心 (ＣＮＳＮＭ)的离子注入机和透射电镜联机装置上进行[1] ,衬底材料是用电子束蒸发沉积而形成的非晶ＳｉＯ2 薄膜 ,厚度在 90～ 10 0ｎｍ。选取适当的注入能量使注入离子的投影射…     

离子注入技术与设备常见故障分析

介绍了离子注入技术的特点及其原理,在分析介绍其设备种类的基础上,简要概述了离子注入设备的基本结构,详细分析了影响注入工艺的各种因素,根据多年的设备维护经验,总结归纳了离子注入机的常见故障,并提出了各种故障的处理措施.     

大束流离子注入形成CoSi2/Si肖特基结电学特性

文中研究了使用大束流金属离子注入形成的CoSi2/Si肖特基结的特性。肖特基结由离子注入和快速热退火两步工艺形成。Co离子注入剂量为3×1017ion/cm2,注入电压25kV。快速热退火温度为850°C,时间为1min。应用I-V和C-V测量进行参数提取。I-V分析得到势垒高度约为0.64eV,理想因子为1.11,C-V分析得到势垒为0.72eV。最后依据实验结果对工艺提出了改进意见。     

新型四探针法测量离子注入精度与均匀性

1 引言离子注入方法具有很高的注入精确度和均匀性,其注入剂量重复性优于1％,整个硅片上的注入均匀性约在±1％左右。这是其它工艺方法所无法比拟的,因此离子注入已广泛地用于大规模集成电路的工艺过程中。     

北大重离子所离子注入工作现况

北京大学初步建成能量直至兆电子伏级的离子加速器——离子注入设备系统。本文总结了北大重离子物理所离子束应用组几年来开展离子注入研究的工作,包括:开发应用微机计算离子射程分布的SARIS、TRION、MACA程序,其中后者可适用于高剂量注入动态靶;实验研究了MeV硼离子注入硅的分布,提出了多能注入形成平台载流子分布的实用方法;在离子注入高分子材料研究中观测到了增强氧化和C=C双键形成等现象,研究了光刻胶的离子束曝光特性;系统研究了应用离子束混熔技术在低碳钢表面形成的Al和Al合金镀层,大大提高了基体钢的耐腐蚀能力。     

一台专用强流氧离子注入机的研制

制备SOI材料的SIMOX技术因其工艺简单、易控制、重复性好、成本低、易向商业化过渡等优点而引起了S0I材料界更为广泛的关注。SIMOX技术所需要的最关键的设备就是大束流专用氧离子注入机。专用氧离子注入机与常规离子注入机有较大的区别：注氧时间长，注入剂量大，注入过程中要求晶片保持600℃左右的高温，金属污染非常低。本文着重介绍一台专用强流氧离子注入机主要结构单元的研制方法及工艺试验结果分析。     

一种制造高纯三氟化磷气体的简易方法

本文介绍一种高纯PF_3气体的简易制作方法。给出所研制的PF_3气体在L1-2离子注入机上质谱分析的结果以及工艺试验结果。结果表明可供各类离子注入机、尤其冷阴极离子源的注入机掺磷使用。     

Flory模型与激光诱导电晕场构象对聚合物离子注入的混合熵

本文在聚合物Flory模型下研究了激光诱导电晕等离子体对聚合物离子注入时，聚合物混合熵和化学势的变化情况，以及伴随离子注入时结构的统计热力学稳定性。根据Flory模型，聚合物具有准晶格排列，每个电晕等离子体注入离子占据一个格点，聚合物的柔性决定了构家具有相同的能量．分子链段的均匀分布，决定了涟段占有任一格点的几率相等。本文求出了离子注入后的聚合物混合构象熵△Sm与高于注入聚合物的混合自由能△Fm，以及注入后离子的化学势△μ2和聚合物的化学势面△μ1：其中n1和n2为摩尔数，T为绝对温度，R为气体常数，X1反应聚合物…     

全离子注入技术在硅栅CMOS工艺中的应用

本文运用有关离子注入的原理和射程分布损伤机理等理论,结合作者所在工厂的硅栅CMOS工艺中应用全离子注入技术的实验数据及实践经验,对注入工艺参量与器件工艺参数的相关性及注入质量的控制等进行了探讨;就注入过程中的若干影响因素,寻求到了有效的解决方法。此技术已用于作者所在厂的我厂门阵列产品的研制和生产中,取得了令人满意的结果。     

双重离子注入钢表面钝化层的形成和抗腐蚀特性

利用金属离子与碳离子双注入可在金属表面形成陶瓷化的复合层,取得了抗腐蚀和抗磨损优良特性,研究了注入剂量和束流密度对这种复合层结构的影响,X射线分析结果表明,双注入可形成金属合金相和碳化物的钝化复合层,电化学测量和扫描电子显微镜观察表明,金属离子注入可明显地改善H13钢表面抗腐蚀特性,Mo C和Ti C双注入则此Mo和Ti单注入抗腐蚀和抗磨效果好得多,碳和金属离子双注入顺序对腐蚀特性也有明显的影响,研究表明,先注入碳后注入金属效果更好。随束流密度的增大,改性效果增强,注入后退火可形成陶瓷化的复合层,抗腐蚀效果进一步得到提高。     

离子注入在硅半导体器件中的应用

离子注入在硅半导体器件中的应用最早,1970年以前,一般都处于研究阶段,注入设备都是借用核子研究用的加速器。1970年以后在硅器件中的应用逐步成熟,开始出现半导体专用离子注入设备。逐步成为和扩散工艺相互补充的工艺手段。原则上讲,几乎所有的硅半导体器件均能用离子注入工艺制造,但实际上目前主要还是用于MOS集成电路,微波晶体管、微波二极管以及线性电路中大阻值电阻等。     

SiC功率器件离子注入和退火设备及工艺验证

针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题,利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备(ULVAC,IH-860DSIC)、碳膜溅射设备(ULVAC,SME-200)和高温激活退火设备(ULVAC,PFS-6000-25)。通过计算模拟、AFM对比结果、Hall电阻测定和RHEED图像分析等表征手段,研究了高温高能多步注入、碳膜覆盖技术和退火温度分别对SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性的影响。结果表明,采用500℃Al离子注入浓度为5×1018cm-3、20 nm厚碳膜溅射技术和1 700~2 000℃激活退火技术,能够实现具有良好表面特性和电学特性的p型SiC掺杂工艺。设备的稳定性已在多条SiC生产线上用于制造SiCSBD器件和SiC-MOSFET器件完成工艺验证。     

等离子体浸没离子注入技术在FinFET掺杂中的应用

基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术。总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行掺杂时的优点。利用自行设计并搭建的等离子体浸没超低能离子注入机分别对平面单晶硅和鳍状结构进行离子注入,并对鳍状结构进行快速退火。利用二次离子质谱(SIMS)测量了平面单晶硅的注入结深,通过透射电子显微镜(TEM)测试了退火前后鳍状结构的晶格损伤及修复状况,结果显示,利用等离子体浸没离子注入技术可以对鳍状结构进行有效的掺杂,而且对注入后的样片进行快速退火后,晶格损伤得到良好的修复。     

非晶态合金及其离子注入效应

非晶态合金是一种新型的具有独持优异性能的无机材料,其工业应用潜力是无与伦比的。非晶态合金的离子注入效应则是近十多年内发展起来的用离子束技术研究非晶态合金问题的新领域,它主要研究离子注入引起的非晶态合金的结构变化和有关现象,并用以测定非晶态合金的抗辐照损伤能力,为探索高抗辐照损伤能力的材料提供依据。 本文在简述非晶态合金主要优良性能之后,介绍非晶态合金离子注入效应研究的基本内容和取得的结果。包括:注入非晶态合金的结构状态;非晶态合金中注入He的研究及由此引起的注入条件(能量、剂量、束流密度)、合金成分、注入前样品的不同预处理等对注入效应的影响。     

双电荷离子注入技术

一、概述离子注入技术作为半导体集成电路制作工艺中的新型掺杂技术，具有均匀性好、重复往高、分布随意、掺杂精度准确等优点，已被广泛地运用于集成电路制作工艺中。特别是当今集成电路向着大规模、小尺寸方向的迅速发展，更加突出了离子注入技术在电路制作过程中的重要作用。与此同时，离子注入技术自身也在此过程中经历着不断的发展，离子注入技术的各种新应用层出不穷。特别是高能离子束、聚焦离子束技术在集成电路领域的运用已是日趋成熟。国内由于受注入设备局限，这些方面的工作开展较少。我们基于工艺发展需要并结合我们已有的中能…     

高能离子注入技术的应用

1 前言 最近,利用MeV级高能离子注入直接向半导体衬底的深部掺杂的技术已经在实际中应用。在提高注入的均匀性和缩短热处理周期方面都超过了以往离子注入的水平,为器件的制作带来了新的手段。高能离子注入在LSI工艺的以下几个方面开始获得应用:注入剂量为