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相似文献
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1.
基于分段温度补偿带隙实现的低温漂LDO电路   总被引:1,自引:0,他引:1  
设计一种基于分段温度补偿带隙实现的低温漂LDO电路.将整个温度范围,分成四段,在不同的温度范围下,改变带隙的正温度系数,从而完成对带隙电压的分段补偿,由此得到温度系数很小的带隙基准源,用此带隙基准源作为LDO的参考电压,来实现低温漂的LDO.电路使用0.8um的BCD工艺库模型进行仿真,仿真结果表明,使用分段补偿带隙使LDO的温度系数得到了极大的降低,温度系数从原先未补偿的43.6ppm/℃变为2.4ppm/℃.  相似文献   

2.
介绍了一种基于CLASS-AB类运放无片外电容的低压差线性稳压器(LDO)。电路在高摆率误差放大器(EA)的基础上,通过构建动态偏置电路反馈到EA内部动态偏置管,大幅改善了LDO的瞬态响应能力,且动态偏置电路引入的左半平面零点保证了LDO的环路稳定性。同时,EA采用过冲检测电路减小了输出过冲,缩短了环路稳定时间。电路基于65 nm CMOS工艺设计和仿真。仿真结果表明,在负载电流10μA~50 mA、输出电容0~50 pF条件下,LDO输出稳定无振荡。在LDO输入2.5 V、输出1.2 V、无片外电容条件下,控制负载在10μA和50 mA间跳变,LDO输出恢复时间为0.7μs和0.8μs,下冲和上冲电压为58 mV和15 mV。  相似文献   

3.
4.
该文提出了一种低电压、高稳定性低压差(LDO)线性稳压器,该LDO线性稳压器可输出6种可调电压(2.0V、1.8V、1.6V、1.4V、1.2V、1.0V).LDO的基本功能是优化便携设备的电池使用寿命,并且为电路系统提供稳定的输出电压.芯片设计基于CSMC公司的0.18微米CMOS混合信号模型.仿真结果表明,该稳压器的线性调整和负载调整的典型值分别为0.7mV和5mV;输出的最大电流为90mA;其输出压差在90mA输出电流,1.8V输出电压下为170mV.  相似文献   

5.
一种两级误差放大器结构的LDO设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种两级误差放大器结构的LDO稳压器。该电路运用两级误差放大器串联方式来改善LDO的瞬态响应性能,采用米勒频率补偿方式提高其稳定性。两级放大器中主放大器运用标准的折叠式共源共栅放大器,决定了电路的主要性能参数;第二级使用带有AB类输出的快速放大器,用来监控LDO输出电压的变化,以快速地响应此变化。电路仿真结果显示:在电源电压为5 V时,输出为1.8 V,输出电压的温度系数为10×10-6/℃;当电源电压从4.5 V到5.5 V变化时,线性瞬态跳变为48 mV;当负载电流从0 mA到60 mA变化时,负载瞬态跳变为5 mV。且环路的相位裕度为74°,整个电路的静态电流为37μA。该电路结构的瞬态跳变电压值远小于其他电路结构,且能实现低功耗供电。  相似文献   

6.
对一种应用于锁相环分频器中的前置放大电路模块进行分析和设计,使得该模块具有由单端输入到双端差分输出,电源噪声抑制性能好,频率范围广以及电源输入范围宽等特点.采用TSMC的0.35um的工艺模型仿真,测试结果表明,其电源输入的范围为2.5V-6.5V,锁相环的最高工作频率可以达到1.3GHz.  相似文献   

7.
<正>2014年6月17日,凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出具备有源输出放电功能的高压、低噪声、低压差电压线性稳压器LT3063。该IC提供高达200 mA的连续输出电流,在满负载时具备300 mV压差电压。LT3063包含一个内部NMOS下拉电阻,如果SHDN引脚由低电平驱动或输入电压被关断,那么下拉电阻就给输  相似文献   

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