高反压晶体管的关键工艺——玻璃钝化

本文较详细地介绍了高反压晶体管玻璃钝化的生产工艺。该工艺操作简单、成本低、生产出的产品一致性好，可靠性高。     

行输出高反压晶体管的新工艺特性研究

(1)高反压晶体管的结构与特性高反压晶体管与普通低压晶体管的根本区别,在于组成其结构的材料具有特殊的电阻。为了让高反压晶体管获得1000V或更高的击穿电压,在其集电极(N~+)和基极(P)之间插入一个称为Ⅰ层的低密度杂质层,见图1。图2给出了高反压晶体管的标准输出特性V_(CE)-I_C。图中包括5个区域:(A)深饱和区,(B)准饱和区,(C)放大区,还有截止     

电泳法玻璃钝化在大功率晶体管上的应用

玻璃钝化由于具有高可靠性和稳定性,被广泛用于高反压大功率三极管的台面钝化.目前,形成钝化膜的方法主要有电泳法、阴极溅射法、离子沉淀法、汽相淀积法和“博士”,刀片法等几种方法.电泳法虽然工艺比较复杂,但由于它选择性强,膜厚容易控制,一致性好,光刻兼容容易等特点而被广泛使用.     

3DK20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制

本文较详细地介绍了３ＫＤ２０９００高反压大功率硅ＮＰＮ晶体管的研制过程和生产工艺。该器件最大集电极电流Ｉｃｍ＝２０Ａ，最大耗散功率Ｐｃｍ－２５０Ｗ，Ｃ－Ｅ结反向击穿电压ＶＢＲ（ｃｅｏ）≥９００Ｖ，Ｃ－Ｂ结反向击穿电压ＶＢＲ（ｃｂｏ）≥１２００Ｖ，属国内首创，技术性能指标基本达到国际同类军用产品水平。     

3DK20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制

本文较详细地介绍了3KD20900高反压大功率硅NPN晶体管的研制过程和生产工艺。该器件最大集电极电流I_(cm)=20A,最大耗散功率P_(cm)=250W,C-E结反向击穿电压V_[(BR)(ceo)]≥900V,C-B结反向击穿电压V_[(BR)(cbo)]≥1200V,属国内首创,技术性能指标基本达到国际同类军用产品水平。     

玻璃钝化与真空技术

半导体器件制造是一种多学科多门类技术综合应用的系统工程。本文通过半导体器件中比较典型的一个分支，高反压台面晶体管关键工序玻璃化及其相关工序的讨论，介绍了真空技术在半导体生产中的广泛应用，从中可以看出半导体工艺与真空技术的紧密联系乃至深刻的依赖关系。     

高压硅堆钝化封装玻璃

高压硅堆具有良好的电性能、化学稳定性和均匀对称的外形封装.它的关键是在钝化封装玻璃(ZnO-B_2O_3-SiO_2系)的组分中引入了添加剂MnO_2和成核剂ZnO,并且通过该玻璃热成形过程的工艺选择达到对核化过程、晶体生长以及主晶相特性的有效控制,从而获得上述特性.     

硅平面高反压大功率晶体管的设计与工艺

本文对高反压平面大功率晶体管制造中集电结终端结构的设计及效果进行了研究,提出了新的设计方法。并探讨了生产工艺中经常出现的芯片成品率低的现象,找到了易于实施的有效方法。     

高压玻璃钝化管芯新型工艺

针对玻璃钝化二极管管芯制造过程中的晶片弯曲及切割速度慢等问题,设计开发了一种新型的制造工艺,为大批量生产创造了条件.     

高反膜镀制工艺研究的新进展

叙述了近几年国内外的研究进展,包括高反膜几种不同的制备工艺,如电子柬蒸发沉积、离子束辅助沉积、离子束溅射沉积和溶胶-凝胶沉积法等,分析了各种制备方法及工艺的特点;针对高反膜的抗激光损伤阈值低从而影响激光器输出功率的问题,讨论了提高损伤阈值的途径;最后归纳了各种制备工艺的优缺点,并探讨了进一步提高薄膜反射率的可能性。     

利用废KP管芯片改制成高反压硅整流器件

介绍了利用废KP管芯片改制成高反压硅整流器件过程;阐述这种改造成功的理论根据以及注意的问题;估计了它所产生的经济效益。     

高反压大功率晶体管烧结工艺的改革

本文在分析了3DA58型高反压大功率晶体管,因采用金-锑(Au:Sb=99％:1％)合金真空烧结而造成“微等离子体击穿”之后,提出了一种采用“化学镀镍法”,在管芯背面淀积镍磷合金,同时使用锡-铅-银软焊料,把管芯烧焊在刻有槽或凹坑的F-2管座上,使管芯和     

大台面电力半导体器件玻璃钝化技术研究

本文就大台面高电压，大电流晶闸管玻璃钝化，从理论和实践上阐述了钝化机理，系统介绍了台面造型。玻璃涂复、熔烧等工作途径，并给出了研究结果。     

玻璃钝化高频高压硅堆的性能分析及提高措施

玻璃钝化高频高压硅堆(以下简称玻硅堆),它是电视机组件一体化回扫变压器不可缺少的器件,是电视机重要配件之一.玻硅堆性能好坏,对电视机的质量起着重要的影响.其性能概括可分为动态性能和静态性能两个方面.静态又可分为常温和高温静态性能;动态也可分为常温和高温动态性能.所谓静态性能,就是直接测量玻硅的参数,看是否符合规定要求;所谓动态性能,是模拟电视机使用情况,对玻     

直流条件下高反压大功率开关晶体管可靠性研究

集电极峰值电流(I_(CM))、集电极-发射极击穿电压(V_(CEO))、最大耗散功率(P_(CM))、直流二次击穿临界电压(V_(SB))是衡量大功率晶体管可靠性优劣的重要指标。依据实际电参数指标要求,首先利用TCAD半导体器件仿真软件完成了一款基于三重扩散工艺的双极型高反压大功率开关晶体管的结构设计,然后全面系统地分析了高阻单晶硅电阻率和器件集电区厚度对I_(CM)、V_(CEO)、P_(CM)及V_(SB)影响。仿真结果表明:由器件仿真得到的电学性能满足大功率晶体管电参数指标要求,器件结构参数的选择及工艺条件的设计较合理。增大单晶硅电阻率,虽然有利于提高集-射击穿电压和器件抗二次击穿能力,但不利于集电极峰值电流和最大耗散功率的提高。增大器件集电区厚度只对集-射击穿电压的提高有利,而对集电极峰值电流、最大耗散功率及抗二次击穿能力均产生不利的影响。     

玻璃钝化二极管的一体化焊接工艺

本文详细介绍玻璃粉钝化封装功率二极管的管芯焊接件的一体化焊接工艺原理及方法。并比较现有焊接方法的优缺点。     

采用12MeV电子辐照技术制造高反压大功率开关晶体管

本文研究了首次应用最佳能量（１２ＭｅＶ）电子对大功率开关晶体管辐照的结果。应用结果表明：１２ＭｅＶ电子辐照开关晶体管具有开关特性优良、热稳定性高、器件参数一致性好等特点。     

玻璃钝化技术对半导体放电管抗浪涌能力的影响

半导体放电管是新一代抗浪涌保护器件，极问电容是其应用到高频环境下的一个限制因素。文章从半导体放电管的基本结构出发，介绍了用玻璃钝化技术去除放电管侧壁电容的方法。理论分析表明，在没有采用玻璃钝化技术时，流过放电管结底部的电流大于流过其侧壁的电流，因此，采用玻璃钝化技术对半导体放电管的抗浪涌能力影响不大。     

晶体管工艺筛选必要性的定性分析

本文简述了工艺筛选用试验项目及作用机理，并就一般元器件的失效规律结合工厂的实际情况作了一般性的探讨；同时对工作中遇到的一些问题做了详细的定性分析，表明工艺筛选是整个生产过程中的一个重要环节。