110 GHz铟磷异质结双极晶体管小信号模型参数提取方法

介绍了一种可以用于频率高达110GHz的InP基HBT小信号模型模型参数提取方法, 并且在所提出的模型中考虑了基极馈线的趋肤效应.该方法将直接提取和优化技术相结合, 将本征参数描述为寄生电阻的系列函数进行后续优化.实验结果表明在2～110GHz频率范围内S参数吻合很好.     

异质结双极型晶体管SPICE模型及其参数提取

将异质结双极型晶体管(HBT)模型分为本征模型和外模型,并综合考虑了异质结双极型晶体管的寄生效应、空间电荷区的复合效应、隧道效应、热效应和重搀杂效应等因数,应用VC 语言编制提取HBT模型参数软件包,根据HBT的物理参数模拟了HBT的Ⅰ-Ⅴ特性、差分电路的稳态特性和瞬态特性,并与实验结果相对比,验证了HBT模型的正确性.     

f_（max）为224GHz的异质结双极晶体管

ｆ_（ｍａｘ）为２２４ＧＨｚ的异质结双极晶体管据日本《ＮＥＣ技报》１９９４年第４期报道，ＮＥＣ公司开发了用于通信发射接收机的高性能异质结晶体管，该器件的最高振荡频率高达２２４ＧＨＺ。该器件的特点：①采用晶格不匹配形式，并将ＩｎｘＧａ；ｘＡｓ作为应变倾?..     

异质结双极晶体管概况

<正> 一、前言 1951年肖克莱提出了宽能带发射极原理,1957年由Kroemer详细地介绍了双极晶体管中采用宽能带发射区,从而提高注入效率和电流放大系数的理论。由于当时没有先进的工艺技术作基础,无法证实这种双极晶体管的优越性能。直到七十年代初,随着液相外延(LPE)技术的出现,对异质结晶体管的研制及其有关的研究工作才开始活跃起来。许多学者曾利用LPE技术制成了微波和光电应用的AlGaAs/GaAs异质结构的分立器件,并证明了异质结双极晶体管(HBT)的许多优点。随着对HBT的深入研究,发现它所要求的基区宽度很薄,要求     

fT为75GHz的SiGe基区异质结双极晶体管

报道了具有最高单位电流增益截止频率（fT)的Si异质结双极晶体管（HBT）的制作，器件的fT值达75GHz，集电极－基极偏压1V，本征基区层电阻（Rbi)17kΩ/□，发射极宽0．9um，该器件用SiGe作基底材料，采用多发射极双极工艺制作，其75GHZ的性能指标几乎比Si双极晶体管的速度提高一倍，45nm基区中的Ge是缓变的，这样就产生了约为20kV/cm的漂移电场，因而本征渡越时间仅为1．9ps。     

f_T为75GHz的SiGe基区异质结双极晶体管

报道了具有最高单位电流增益截止频率(f_T)的Si异质结双极晶体管(HBT)的制作。器件的f_T值达75GHz,集电极-基极偏压1V,本征基区层电阻(R_(bi))17kΩ/□,发射极宽0.9μm。该器件用SiGe作基底材料,采用多发射极双极工艺制作,其75GHz的性能指标几乎比Si双极晶体管的速度提高一倍。45nm基区中的Ge是缓变的,这样就产生了约为20kV/cm的漂移电场,因而本征渡越时间仅为1.9ps。     

异质结双极晶体管的最新进展

八十年代以来，微波半导体技术的迅速发展，应用领域不断扩大，为适应微波、毫米波半导体技术的发展，近年来已出现不少新结构、新器件，如异质结双极晶体管（HBT）、高电子迁移李晶体管（HEMT）、双极反型沟道场效应晶体管（BiCFET）调制掺杂场效应晶体管（MOFET）、谐振隧道晶体管（RTT）、负阻效应晶体管（NBERFET）、毫米波混合隧道雪崩渡越时间（MITATT）二极管、超导器件及量子器件等。本文主要叙述异质结双板晶体管的最新进展及其应用。     

微波功率异质结双极晶体管

本文首先简要介绍异质结双极晶体管(HBT)的结构和特点,接着评述HBT工艺技术发展现状、单元设计和目前制作的功率HBT的性能。     

异质结双极晶体管直流（DC）特性的广义解析输运模型

异质结双极晶体管直流（ＤＣ）特性的广义解析输运模型＝ＧｅｎｅｒａｌｉｚｅｄａｎａｌｙｔｉｃａｌｔｒａｎｓｐｏｒｔｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｔｈｅＤＣｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃ－ｔｉｏｎｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［刊，英...     

162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管

报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流Ic=34.2mA的条件下,发射极面积为0.8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz,最大振荡频率fmax为52GHz,最大直流增益为120,偏移电压为0.10V,击穿电压BVCEO达到3.8V(Ic=0.1μA).这种器件非常适合在高速低功耗方面的应用,例如OEIC接收机以及模拟数字转换器.     

截止频率高于10GHz的GaAs/GaAlAs异质结双极晶体管

本文描述了npn GaAs/GaAlAs异质结双极晶体管的制作和高频性能。制作过程利用了分子束外延,并特别作了具有500(?)厚度的基极层。测量晶体管的截止频率f_t为11GHz(该值受与健合点及健合引线相联系的寄生元件限制)。     

国外异质结双极晶体管的发展

随着微波半导体技术的发展，近年来出现不少新结构、新器件。本文介绍国外异质结双极晶体管的发展，包括ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ，ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ，ＧｅＳｉ等开发现状和性能参数达到的水平。     

异质结双极晶体管的能带设计

异质结双极晶体管(HBT)是一种新型的超高速、微波与毫米波半导体器件,可以有效地解决同质结双极晶体管中高速度与高放大的关系。本文以AlGaAs/GaAs npn HBT为例,讨论了HBT能带设计中的有关问题,并简要介绍了HBT的研究现状与发展方向。     

X波段功率异质结双极晶体管

讨论了 X波段功率异质结双极晶体管 (HBT)的设计 ,介绍了器件研制的工艺过程及测试结果。研制的器件在 X波段功率输出大于 5 W,功率密度达到 2 .5 W/mm。采用 76mm圆片工艺制作 ,芯片的 DC成品率高于 80 %。     

SiGe／Si异质结双极晶体管

介绍了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管的特点，自对准ＨＢＴ、非自对准ＨＢＴ的结构以及通过低温热循环、ＳＰＯＴＥＬ、重硼掺杂等工艺使ｆＴ从２０ＧＨｚ增至１１０ＧＨｚ的方法。