Sr掺杂对TiO2双功能压敏陶瓷介电性能的影响

着重探讨了Sr掺杂对TiO2双功能压敏陶瓷介电性能的影响。经研究发现，Sr掺杂能显著提高TiO2双功能压敏陶瓷的介电性能。随着Sr含量的变化，TiO2双功能压敏陶瓷的介电性能在一个很宽的范围内变化。当Sr含量增加时，介电常数εeff的变化规律是先减小后增大，增大到一定值时又减小，而介电损耗则是先减小后一直增大，可在协调εeff和tanδ的情况下，取得较好的实验结果。     

钇离子掺杂BaTiO3基电容器陶瓷制备及性能研究

以BaCO3和TiO2为原料、Y2O3为添加剂制备了Y3＋离子掺杂BaTiO3基电容器陶瓷试样。采用XRD和SEM技术分析了试样的物相和陶瓷的显微结构,测试了Y3＋离子掺杂BaTiO3基电容器陶瓷系列试样的介电性能。结果表明,当Y3＋离子掺杂浓度为0.3mol%时,在1310℃保温时间为2h时,可制备介电常数为13965.4,介质损耗为0.110的BaTiO3基电容器陶瓷材料。     

Dy2O3掺杂对钛酸锶钡陶瓷结构性能的影响

采用草酸盐沉淀法,以硝酸锶、硝酸钡、钛酸丁酯和草酸为原料,Dy2O3为掺杂剂,制得了Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,并于1 250 ℃将其烧结成Ba0.6Sr0.4TiO3系电介质陶瓷.利用扫描电镜、X射线衍射及TH2818自动元件分析仪对Dy2O3 掺杂量为0.2%～2%的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的微观结构和介电性能进行研究.结果表明,Dy2O3的掺杂没有影响到BST陶瓷的主晶相钙钛矿结构,且一定量的Dy3+进入到BST晶格中.BST陶瓷的介电损耗随着掺杂量的增加而逐渐减小,介电常数随着掺杂量的增加呈现先增大后减小的趋势,当掺杂量为0.5%时,介电常数最大,为4 474.48.     

CCTO掺杂对BaTiO3-Nb2O5-Co3O4陶瓷系统介电性能的影响

以BaTiO3-Nb2O5-Co3O4(BTNC)系统陶瓷为研究对象,研究了掺杂CaCu3Ti4O12(CCTO)对该系统陶瓷介电性能的影响.结果表明,在20～85℃温度范围内,BT系统中CC-TO掺杂量为3.0%时,体系平均介电常数>2 600,温度稳定性△C/C≤4.7%;在20～125℃温度范围内,BTNC系统中CCTO掺杂量为2.0%时,体系的平均介电常数>2 700,温度稳定性△C/C≤10%;CCTO掺杂量为4.0%时,平均介电常数>2 200,温度稳定性△C/C≤4.7%.     

Dy_2O_3掺杂对钛酸锶钡陶瓷结构性能的影响

采用草酸盐沉淀法,以硝酸锶、硝酸钡、钛酸丁酯和草酸为原料,Dy2O3为掺杂剂,制得了Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,并于1250℃将其烧结成Ba0.6Sr0.4TiO3系电介质陶瓷。利用扫描电镜、X射线衍射及TH2818自动元件分析仪对Dy2O3掺杂量为0.2%~2%的Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的微观结构和介电性能进行研究。结果表明,Dy2O3的掺杂没有影响到BST陶瓷的主晶相钙钛矿结构,且一定量的Dy3+进入到BST晶格中。BST陶瓷的介电损耗随着掺杂量的增加而逐渐减小,介电常数随着掺杂量的增加呈现先增大后减小的趋势,当掺杂量为0.5%时,介电常数最大,为4 474.48。     

氧化铜包覆边界层陶瓷电容器的研制

为了提高边界层陶瓷电容器(GBBLC)的性能,采用非匀相共沉淀法制备了包覆有CuO的BaTiO3粉体,加入B2O3、MgO以提高样品的性能,按照普通电子陶瓷的制备工艺制得一系列样品.测试了样品的密度和体积收缩率,对样品的显微结构进行了分析,讨论了部分样品的介电常数和介质损耗特性.结果表明:样品致密性得到明显改善,最大体积收缩率超过40%,介电常数最高超过7×104,介质损耗也明显降低;CuO、B2O3具有明显的促烧作用,烧结温度可降至1100℃,MgO可以提高样品的性能,使得气孔率明显减小,介电性能也大大提高.     

Sm掺杂SrTiO3陶瓷的高介电常数和超低介电损耗性能研究

为了在SrTiO₃优异的性能基础上,在宽温度及频率范围内实现高介电常数与低介电损耗共存,文中采用固相合成法,通过在钛酸锶的A位掺杂三价稀土离子Sm制备了Sr_1-3x/2Sm_xTiO₃(x分别为0.005 0,0.007 5,0.010 0,0.012 5)陶瓷材料,并对其相组成、微观结构和介电、存储性能进行了表征与分析。研究结果表明：经过N₂气氛对陶瓷样品进行退火处理后,所制备的Sr_1-3x/2Sm_xTiO₃(SST)陶瓷样品均具有介电常数高且介电损耗较低,在较宽的范围内频率和温度稳定性优良的性能;在室温1 kHz下不同掺杂含量的陶瓷样品介电常数均在50 000以上,介电损耗小于0.025;掺杂量为x=0.010 0时,Sr_0.985Sm_0.01TiO₃陶瓷在低于10 kHz频率范围内同时得到大于60 000较高的介电常数和小于0.025的低介电损...     

CaCu_3Ti_4O_(12)巨介电常数多孔陶瓷的制备

通过固相合成及常压烧结的方法,以淀粉为造孔剂制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)巨介电常数多孔陶瓷材料,采用XRD、SEM等测试手段对其合成与烧结过程中的物相变化进行了表征.结果表明,制备该CCTO多孔陶瓷的适宜烧结温度为1075℃,试样结晶完整,孔隙率大,大孔与小孔之间形成交错分布的开气孔结构,能够达到预期的效果.     

仿生法制备功能陶瓷薄膜材料

介绍了一种新的功能陶瓷薄膜制备方法——仿生法。该方法不同于传统的湿化学方法，如水热合成法、熔胶凝胶法、电化学法等，其突出特点是无外加电场，不需要调制熔胶或者凝胶，可以在常温常压下合成。该方法涉及两个关键点：基板表面的修饰和溶液条件的控制。我们在基板(单晶硅，玻璃等)的表面通过化学吸附的方式生长了一层自组织单分子层，然后将这层单分子层部分暴露在紫外光下，使暴露部分发生光化学反应，从而生成与未暴露部分不同的新的官能团。以此为模板，在适合的溶液条件下(溶液的过饱和度等)，通过溶液与模板表面官能团之间的选择性的物理化学作用，实现了从溶液中直接制备位置、形貌、结晶形态等可控的功能陶瓷薄膜。作者以SrTiO3为例简单介绍了这种新的合成方法。     

修正BaTiO3基PTC陶瓷材料二次添加物量的研究

介绍了ＢａＴｉＯ３基ＰＴＣ陶瓷材料二次添加物及其作用,讨论了修正添加量的必要性,给出了修正方法并通过实验得出结论     

STUDY OF SURFACE RESISTIVITY MODIFICATION IN Al_2O_3 CERAMIC IMPLANTED BY Fe~(2 )

The implanted ion range, the depth profileand the film sttucture of the implanted layer werestudied; the carrier concentration and the mobilitywere measured; the conductivity mechanism of thefilm implanted Fe into Al_2O_3 ceramic was discussed.The conclusion is that the implanted Fe~(2 ) ions moveinto Al_2O_3 lattice and replace Al~(3 ) to form subs-titution impurities so that the ion implanted lat-tice, as compared with the original one, presentsan effective negative charge which forms a negativecharge center. A vacancy is bound arround it, andan acceptor is introduced in the forbidden band.     

A PRELIMINARY STUDY ON THE STABILITY OF TERNARY CoCl_2-FeCi_3 GRAPHITE INTERCALATION COMPOUNDS

The ternary CoCl_2-FeCl_3 graphite intercalationcompounds(CoCl_2-FeCl,GIC)have been subjected to differenttreatments in various media.It is found that the CoCl_2-FeCl_3GIC is stable when it is stored under conditions of opening to at-mosphere,whereas,acids,NaOH,boiling water,and heat treat-ments have different effects on the stability of the CoCl_2-FeCl_3GIC.     

STUDY ON COMPLEX IMPEDANCE SPECTROSCOPY OF CU-IMPLANTED SEMICONDUCTING (BaO.72PbO.28)TiO3 CERAMICS

The ac impedance of Nb-doped semicon-ducting (Bao.72Pbo.28)TiO3 ceramics implanted with copper ions(200keV,6X1015 and 1X1017 ions/cm2) in the temperature range 25-320C and the frequency range 10 Hz -13MHz was measured. According to the change of impedance spectroscopy and the equivalent circuit model of semiconducting(Ba, Pb)TiO3 ceramics, the dependence of resistance of bulk and grain-boundary on temperature was analyzed. The results show that relatively low dose must be used to increase the magnitude of the positive temperature coeffieient of resistance(PTCR)effects in the cermmics. In addition,the effects of Cu ion implantation on the PTCR behavior of the ceramics was studied by raststance-tempera-ture measurement.