多线切割张力控制系统研究

对多线切割张力控制技术进行论述,分析了多线切割机中张力控制技术的特点,在此基础上,提出了一种多线张力的控制方法。该方法基于对张力信号变化的实时检测,将检测张力的变化转变为电机扭矩的变化,通过控制扭矩电机的扭矩来调整切割线张力,由控制软件来实现对切割线张力的检测、分析与控制。控制精度高,成功实现了在双主辊系统驱动下的多线切割机张力控制。实验证明,该方法可靠、稳定,能很好地检测并控制多线切割系统张力精度。     

Si片多线切割技术与设备的发展现状与趋势

介绍了Si片的多线切割宏观切割机理与微观切割机理,指出控制钢线张力减少钢线震动是切割工艺的重要指标。讨论了切割过程主要影响因素,钢线的外包Cu会造成Si片表面金属残留,钢线磨损影响Si片厚度,砂浆喷嘴和线网角度在形成水平薄膜层时能够获得好的表面质量。分析了钢线带动砂浆进行切割的核心工艺,给出了Si片切割工艺理论切片量的计算方法。并简要概括了目前多线切割技术及设备的国内外发展形势和未来发展趋势,指出未来多线切割技术将朝着提高加工精度与加工效率、降低成本、改良切割用钢线这几个方向迈进。     

SiC用多线切割技术与设备的发展现状与趋势

介绍了SiC用多线切割宏观切割机理与微观切割机理,指出控制钢线张力减少钢线震动是切割工艺的重要指标。讨论了切割过程主要影响因素,钢线的外包铜会造成SiC片表面金属残留,钢线磨损影响Si C片厚度,砂浆喷嘴和线网角度在形成水平薄膜层时能够获得好的表面质量。分析了钢线带动砂浆进行切割的核心工艺,给出了SiC片切割工艺理论切片量的计算方法。并简要概括了目前多线切割技术及设备的国内外发展形势和未来发展趋势,指出未来多线切割技术将朝着提高加工精度与加工效率、降低成本、改良切割用钢线这几个方向迈进。     

快速走丝线切割钼丝恒张力控制装置的研究

本文就提高电火花线切割加工的精度和表面质量进行了研究,找出了影响加工质量的因素。为克服快速走丝线切割加工中钼丝张力的变化对模具加工精度和表面质量的形响,设计了一套“快速走丝线切割相丝的恒张力控制装置”。经试验,该装置在提高加工精度和表面质量方面具有较为显著的效果。     

机线张力数控系统卷绕驱动设计

简述了力矩电机的原理,分析机线张力数控系统卷绕驱动机构的工艺要求,针对普通伺服电机驱动收线轮装置存在的缺陷,提出了用力矩电机控制收线轮的方案。在卷绕驱动机构设计参数确定过程中,阐述了切割线张力形成的原理,并且依据控制电机的选择原则,给出了力矩电机选择计算方法,最终完成了力矩电机控制方式的设计,实现了多线切割恒张力、恒限速度的要求。采用力矩电机驱动收线轮能够使卷绕机构满足系统要求,简化卷绕装置的结构,并能使切割过程运行平稳。     

新型电火花线切割加工工艺研究

从研究我国快速走丝线切割加工方式特点入手,认为要进行综合治理,抓机床制造精度、控制精度、丝速可调、张力恒定、采用合理工艺参数以减少丝耗等关键问题,以使我国线切割加工工艺指标接近或达到国际先进水平。     

金刚石单线切割设备及切割技术

本文着重介绍了金刚石单线切割机的发展技术背景,并就中国电子科技集团公司第四十五研究所基于金刚石线切割自主研发的JXQ-401单线切割机详细的介绍,性能特点,关键技术以及切割工艺实验分析,就金刚石线切割机理分析以及应用进行了初步的探讨.     

金刚石线恒张力闭环控制研究

针对金刚石线切割机切割线高速往复运动下,要求张力稳定的特点,提出了一种切割线恒张力闭环控制方法.该方法通过建立张力系统数学模型,进行了切割线运行力矩分析、加减速变化和卷径变化、运行速度对张力的影响,并建立了函数关系,依据该关系式利用浮辊机构作为张力缓冲和反馈,通过张力反馈实时调整绕线轮伺服电机输出扭矩,解决了切割线高速运行下张力控制难题.     

油气润滑在脆硬材料多线切割设备中的应用

针对半导体脆硬材料的切割加工成为多线切割设备发展的突出因素,通过与传统多线切割设备轴系比对分析,设计了适合碳化硅等脆硬材料切割加工设备轴系的油气润滑方式。通过实验比对得出使用油气润滑提升了多线切割设备的工艺优越性及精密性。     

快速走丝线切割电极丝张力下降原因的分析

本文从实践、实验观察着手,对快速走丝线切割电极丝的张力下降原因提出了新的观点,认为加工区内的高温塑性是其张力下降的重要原因。     

多线切割工艺中切割线直径对翘曲度影响的研究

目前,在硅单晶锭切割领域多线切割机已得到广泛的应用。切割砂浆及切割线在切割中有着极其重要的作用,不同的使用条件会直接影响切割晶片的几何参数。主要讨论切割线直径的不同对切割出晶片几何参数的影响。     

Experiment study on electroplated diamond wire saw slicing single-crystal silicon

This paper conducted the slicing experiments of single-crystal silicon using a reciprocating electroplated diamond wire saw. The machined wafer topography and wire wear were observed by using scanning electron microscope (SEM). The influences of process parameters and cutting fluids on single-crystal silicon wafer surface roughness (SR), subsurface micro-crack damage (SSD) depth, total thickness variation (TTV) and warp were investigated. The bonded interface sectioning technique was used to examine the cut wafers SSD depth. Study results show that a higher wire speed and lower ingot feed speed can produce lower wafer SR and SSD; the lower warp of wafer needs lower wire speed and ingot feed speed; and low wafer TTV can be obtained by an appropriate matching relationship between wire speed and ingot feed speed. The synthetic cutting fluid has a better total effect to improve the wafer quality. The pulled-out of diamond abrasives is the main wear form of wire, which indicates that more research on improving the abrasives retaining strength on wire surface should be investigated in fixed-abrasive wire manufacturing process, in order to improve the wire life and wire saw machining process.     

Effect of wire vibration on the materials loss in sapphire slicing with the fixed diamond wire

Sawn kerf, wafer profile error and wafer subsurface damage were systematically measured and were used to evaluate the materials loss for the sapphire slicing with the fixed diamond wire. The vibration of saw wire was also measured during the slicing process. The impact of each part on the materials loss was discussed. The effect of the wire vibration on the materials loss was explored. It was found that the sawn kerf loss and the wafer profile error loss were the main forms of the materials loss during the slicing process. Wire vibration has significant influence on sliced wafer morphology. Influence of slice parameters on the kerf loss is similar with the case on the vibration amplitude, which indicates that the wire vibration is the key factor to cause the kerf loss. Wire slicing model with the wire vibration is established to understand the influence of wire vibration on the materials loss.     

硬脆性材料线切割切削液的组成和发展

综述了国内外太阳能光伏产业及半导体等高精端电子产业中硬脆性材料线切削液的发展、分类和应用.归纳总结了国内外近年来切削液的使用量,对2008年的市场需求进行了预测,重点分析综述了国内外水性切削液产品组成、配方的研究进程及切削液产品对线切割工艺过程、晶片质量的影响,并对国内线切削液今后的发展提出了建议.     

铜与金引线的特性比较

近来由于黄金价格的强势增长,使得作为低成本键合引线的的铜丝受到众多封装界内的关注。如一些粗引线的低引脚封装,业已用铜引线在批量生产中获得成功。当采用这种引线时,它需要一些与金引线不同的条件,例如氧化的程度,机械特性,键合机操作的应用范围等。因此,当用户开始采用铜引线时,就必须考虑减少试验和误差。如果黄金价格继续走高,向铜引线的转化速度将会加快。     

变频器在电线电缆收线机械电控系统中的应用

本文分析了变频器内置PID调节器的闭环反馈系统的工作原理，应用于电线电缆收线张力恒定系统，配合主从传动点的主从应用宏，达到调节加工速度和张力恒定的要求。     

多线切割机排线方法研究

介绍了一种用于多线切割机的线轮排线方法、及其排线控制系统,该方法适用于多线切割机高速单向或往复工作时的线轮排线工作,具有实现简单,工作可靠等优点,已在新型300mm多线切割机上成功应用。     

金刚石多线切割设备在SiC晶片加工中的应用

介绍了金刚石多线切割设备的原理,并采用直径为250μm的金刚石线进行切割工艺实验。使用不同的工艺参数,比较了不同工艺参数对晶片TTV(整体厚度偏差)的影响,给出了实验比较结果,通过改变工艺参数可以使各切割片的TTV控制在25μm之内。     

双曲面插孔连接器的装配机构

双曲面插孔是国际连接器接触偶中结构独特、可靠性极高的插孔.它具有接触电阻小、插拔力小、抗震、耐冲击、寿命长的特点,在极其恶劣的环境下仍能保持完美的接触.主要介绍了双曲面插孔连接器装配机的组装工艺和其中某些结构设计.     

多线切割工艺中晶片翘曲度的控制

翘曲度是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一.采用逐点扫描法对多线切割制备的晶片翘曲度分布进行了测量.通过对切割线张力、砂浆使用次数、切割速度等影响翘曲度的主要因素进行实验分析,阐述了产生的原因,并得出了翘曲度的分布规律.针对影响翘曲度的主要因素,根据其分布规律调整相应的切割工艺条件,可较好地控制晶片的翘曲度.虽是针对Si单晶加工中出现的实验情况进行分析,但该结论完全可用于Ge、GaAs等其他晶体的加工中.