MOS场效应管工作原理简介

MOS场效应管也被称为MOSFET．即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写,有耗尽型和增强型之分。增强型MOS场效应管（C-MOS管）内部结构如图1所示,分为NPN型和PNP型,NPN型常称为N沟道型,PNP型常称为P沟道型。N沟道的场效应管源极和漏极接在N型半导体上,P沟道的场效应管源极和漏极接在P型半导体上。     

场效应管的结构与检测

场效应管按结构可分为:结型场效应管(JFET)、绝缘栅场效应管(IGFET);按导电沟道可分为:N型沟道、P型沟道场效应管;按栅极数目可分为:单栅、双栅场效应管。一、结型场效应管1.结型场效应管的结构原理、类型及符号结型场效应管的内部结构如图1所示。在N型半导体两侧是两个高掺杂的P型区,从而构成了两个PN结(又称耗尽层),在两个耗尽层的中间形成一条导电沟道。两侧P型区相连接,引出一个称为栅极(G)的控制极;在N型半导体上下两端分别图2两种结型场效应管的符号图3常见结型管的外形和管脚排列引出漏极(D)和源极(S)。它与普通三极管相比较…     

从电子、家用电器元器件到基本电路(廿七)

2.绝缘栅场效应管结缘栅型场效应管与结型场效应管的不同点在于它们的导电结构:结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽层的宽窄来控制漏极电流,而绝缘栅型场效应管是利用感应电荷的多少来改变导电沟道的性质。绝缘栅型场效应管的结构是由金属—绝缘体—半导体三层材料构成的,目前应用最广泛的绝缘体是二氧化硅(SiO_2氧化物),故其结构又变为金属—氧化物—半导     

场效应管的结构与检测

场效应管按结构可分为：结型场效应管（JFET）、绝缘栅场效应管（IGFET）；按导电沟道可分为：N型沟道、P型沟道场效应管；按栅极数目可分为：单栅、双栅场效应管。     

从电子、家用电器元器件到基本电路(廿六)

除N沟道结型场效应管外,还有P沟道结型场效应管,其结构及符号如图198所示。P沟道管中参与导电的是“空穴”,它的工作情况与N沟道管类似,只是各电源的极性接得相反。管子栅极箭头方向也要反过来(向外),P沟道结型场效应管的应用不如N沟道管普遍。 (3)结型场效应管特性曲线与主要参数     

国内外部分电气图形符号对照一览表

国别符号名称电感器极性电容器单向击穿二极管半导体二极管电阻器电容器NPN型半导体管PNP型半导体管光电池N沟道结型场效应管P沟道结型场效应管接地接机壳屏蔽电缆中国国委际员电会工美国德国日本(续表)国别符号名称端子插头插座开关及动合触点动断触点动合按钮动断按钮双绕组变压器桥式全波整流器熔断器放大器继电器变换器火花间隙电流表中国国际电工日本委员会美国德国(续表)国别符号名称中国国委际员电会工美国德国日本电压表电度表照明灯信号灯“与”门(续表)国别符号名称中国国委际员电会工美国德国日本“或”门“非门”及反相器“…     

VDMOS功率效应管及检测

VDMOS功率场效应管根据导电载流子的不同,分为N沟道和P沟道两类,其中以N沟道应用为多。下面以N沟道为例介绍VDMOS功率场效应管及检测。     

显示器中场效应管工作特点与检测方法

场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件,它有P型和N型两种导电沟道,并且还有结型和绝缘栅(金属氧化物)型两种结构。结型是利用PN结在反向偏置下所产生的耗尽区,绝缘栅型则利用栅极电压产生的感应电荷来改变导电沟道的宽窄,从而控制多数载流子在沟道中的漂移运动所产生的漏极电流。所以它属于电压控制类型的器件。从工作性能的角度来看,场     

贴片场效应管介绍(三)

2.绝缘栅型贴片场效应管的检测绝缘栅型贴片场效应管是在一块低掺杂的P型硅片上,通过扩散工艺形成两个相距很近的高掺杂N区,分别作为源极S和漏极D.另外,在两N区之间的二氧化硅(SiO2)绝缘层上蒸发一个金属电极作为栅极G.通常简称MOS场效应管.     

场效应晶体管的分类及鉴别

本刊04/9/P29已谈到“场效应管电极质量的判别方法”,但原文仅限于 N 沟道耗尽型的场效应管,尚有 N 沟道增强型、P 沟道场效应管并未提及。面对多种场效应管,单一种测试方法无法应对,且会引起误判。另外,原文中关于增强型场效应管的图形符号画法有误,这里一并补正。1.各种场效应晶体管(FET)的符号场效应管的符号、结构、导电类型及简要特性参见表1所示。其中的图形符号为基本的,有些大功率场效     

贴片场效应管介绍(三)

2.绝缘栅型贴片场效应管的检测绝缘栅型贴片场效应管是在一块低掺杂的P型硅片上,通过扩散工艺形成两个相距很近的高掺杂N区,分别作为源极S和漏极D。另外,在两N区之间的二氧化硅(SiO2)绝缘层上蒸发一个金属电极作为栅极G。通常简称MOS场效应管。(1)栅极G的判别将万用表置于100Ω或lkΩ档,分别测量被测管三个电极之间电阻。如果测得某极与其他两电极的电阻均为无穷大,     

斩波型脉宽调制器HA16114FP应用心得

HA16114FP是单通道PWM开关稳压器集成控制器,其输出形式是为使用一个P沟道功率MOS场效应管而设计的。使用该芯片设计的降压器,电路结构简单紧凑,外围元器件少,工作稳定可靠程度高,功耗低,因此特别适合用于制作斩波型直流降压器。     

信息二则

高效肖特基半导体整流器 巴西北卡罗利纳大学功率半导体研究中心的B.J.Baliga和M.Mehrotra博士研制出的半导体电源整流器,在电源中应用能极大地提高效率。他们发明的新的器件结构可把淀积浓度提高一个数量级,高的淀积浓度能把器件里的导通电压降由一般器件的0.5V降到0.2V,故改进了效率。一般来说,淀积浓度提高一个数量级,器件的击穿电压降至9.5V。 这种称作沟道MOS势垒肖特基(TMBS)整流     

简说贴片IGBT管

IGBT管(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型贴片晶体管,是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。适用于直流电压为1500V的高压变流系统,如交流电机、变频     

用场效应管和晶体管产生负阻

把一个n型沟道场效应管和一个npn型晶体管,连接成共射一共基极放大器。当改变供电电压时,场效应管的偏置从零变负,而晶体管的基极电流从零增到量大。可以看到,供电电压从零增加到满程时,首先,晶体管截止,而场效应管是负偏置,处于导通状态。供电电压增加到最大时则相反,此时场效应管被切断,而晶体管处于完全导通状态。因此,在零电压和最大电压时,通过线路的电流是零和最小。在电源电压的两个极端之间,电流首先是增加,     

功率MOS场效应管无换向器永磁电动机

随着钕铁硼(NdFeB)稀土永磁材料和功率电子器件的发展,电子运行永磁电机成为当前国内外研究的中心课题之一。本文在介绍全控功率MOS场效应管无换向器永磁电动机的基础上,分析了电压型逆变电子换向下的电机基本运行特性。本文采用直流电动机分析法,得出MOS场效应管无换向器永磁电动机的调速特性,通过实验强调指出,MOS场效应管触发相位角γ对电机转速的影响;本文采用同步电动机分析法,得出该电机的另一基本特性——转矩特性。由此得出电压型逆变电子换向永磁电机触发相位角γ的整定原则。     

QL—12型半导体存贮器中间测试仪

本仪器用于各类半导体存贮器(双极型,p沟 MOS型、n沟MOS型)的生产中测试。它由测试图形发生器,相脉冲发生器,测试工作电源,管脚电路,显示器五个部分,同时加有直流功耗监视,构成一完整的半导体存贮器测试设备。由于其结构简单、造价低,维护容易及具有波形     

采用磁调制器的20位数/模转换器(DAC)

加权电路的不稳定性限制了DAC的分辨率、线性度和准确度。本文所述的20位DAC使用安匝平衡比较器,它的每一位都有一个输入线圈和一个MOS场效应管开关(以代替R—2R阶梯网络)。同时还论及误差以及噪声产生的原因。     

基于SG3525半桥型开关电源的研制

美国硅通用半导体公司设计的适用于高频功率MOS管驱动的第二代集成电路脉冲宽度控制器SG3525,用于驱动N沟道的功率MOS管。本文将介绍用该集成电路组成的半桥型开关稳压电源,该稳压电源具有逆变频率高、稳压性能好的特点,适用于工业用电源。     

低伏特值的稳压电路

为了得到零点几伏的稳定电压,常采用二极管构成稳压电路,这样的电路虽然简单,但稳压效果不够理想。用场效应管构成的稳压电路,可以得到很好的稳压效果。 用N沟道耗尽型MOS管构成的稳压电路如图1所示。图2是它的结构图。R_1、R_2与MOS管的源—衬PN结