1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器

本文介绍具有机好的P-N-P-N电流限制的双沟道平面掩埋异质结激光器(DC-PBH LD)。器件正向泄漏电流小于1μA/5V,阈值电流20mA,20℃时的光功率线性输出大于10mW,最大功率输出大于20mW,50℃光功率线性输出10mW,70℃连续工作,光功率输出大于1.3mW,外微分量子效率50％,比接触电阻3.6-4.8×10~(-5)Ωcm~2,光谱为极好的单纵模,远场辐射θ_2～15°,θ_1～15°-30°,耦合效率高达90％。     

1.52微米InGaAsP/InP双有源区双沟道平面掩埋异质结动态单纵模激光器

研制了1.52μm InGaAsP/InP双有源区复合腔结构的动态单纵模激光器,采用了双沟道平面掩埋异质结构来达到横向电流限制,制成的激光器20℃下阈值电流25—50mA,最高激射温度为80℃,线性输出功率>10mW,单面微分量子效率>20％,用565M bits/s、2~7-1位伪随机码调制,偏置电流由I_(th)～3I_(th)均能保持稳定的单纵模输出,其中谱线半宽为0.7±0.01A,纵模抑制比可达25dB(300:1)以上.     

1.3微米InP/InGaAsP多层限制掩埋新月型激光器

我们采用二次液相外延技术研制出1.3微米低阈值、稳定基横模激射多层限制掩埋新月型InP/InGaAsP激光器.典型室温连续工作阈值电流20mA,最低值10mA.在3-5倍阈值工作电流下仍可以稳定的基横模激射.单面微分量子效率为20-30％.     

1.3微米波长InGaAsP/InP双异质结面发光二极管

石英光纤在1.3μm波长处的损耗低达0.5dB/km,色散几乎为零。因此,工程实用系统广泛采用1.3μm波长的光纤传输系统。在可用的光源器件中,1.3μm面发光管是一种高可靠性、低成本的实用器件,能满足中、短距离光纤通信的要求。使用这种器件已建成了工作速率为274Mb/s、无中继传输距离8公里和400Mb/s、5公里的梯度多模光纤通信系统。近年来,具有1～2Gb/s超高速调制能力的面发光1.3     

新的1.62微米波长InGaAsP/InP隐埋异质结激光器

<正> 最近日本东工大成功地制备了1.62微米波长的 InGaAsP/InP 隐埋异质结激光器。器件的条宽3～5微米,腔长310～330微米,最低的室温脉冲阈值电流为25毫安,室温连续波阈值为37毫安,三倍阈值以上获得单横模工作。器件的工艺步骤是:在含有防回熔层的双异质结片子上用化学汽相淀积法形成 SiO_2膜,并用普通的光刻技术形成沿(110)方向的5～8微米宽的条,接着用 Br-CH_3OH 腐蚀2微米深,然后用4HCl-H_2O 溶液在0～1℃下选择腐蚀2分钟以去除 InP 部分(腐蚀     

具有反应离子蚀刻腔面的连续工作1.5微米InGaAsP InP掩埋异质结激光器

本文介绍了具有反应离子蚀刻腔面的1.5μm—波导 BH 激光二极管(LD)。此外,还介绍了 TiO_2掩模和 Cl_2—Ar 混合气体的应用。蚀刻特性:反应离子蚀刻所采用的装置是常规的平行板溅射蚀刻系统。Cl_2和 Ar 的混合物用做蚀刻气体。采用射频溅射技术形成 TiO_2和 SiO_2薄膜。InP 和 TiO_2的蚀刻率比约为10,而 InP 和 SiO_2蚀刻率比约为4。因为蚀刻率比值较高,TiO_2掩模可用以制造 LD.     

InGaAsP/InP双异质结激光器的研究

近年来,激光通讯技术在国内外迅速发展。作为长波长激光通讯光源的InGaAsP/InP激光器也在不断改进,目前国际上已开始进入实用化阶段。我们从1979年开始研制InGaAsP/InP双异质结激光器,同年实现室温脉冲激射,今年10月初做出18℃下连续激射的样品,11月份实现了室温以上连续激射。器件波长为1.1μ,连续工作温度最高可达40℃以上,室温连续激射阈值电流最低可低于200mA。目前正在进行加电工作试验,20～25℃下连续工作已超过500小时,未见失效,这一工作还在继续之中。本文分三个部分报告InGaAsP/InP双异质结激光器的研制情况。     

InGaAsP/InP双异质结激光器的制备

本文介绍InGaAsP/InP双异质结激光器的各种制管工艺,重点介绍隐埋条形和扩散条形的结构和工艺。     

InGaAsP/InP 双异质结激光器的材料制备

本文简单介绍 InGaAsP/InP DH(双异质结)激光器的主要优点和发展动态,重点介绍光纤传输特性和与此相适用的最佳光源器件——InGQAsP/InP DH 激光器的材料制备。     

质子轰击条形InGaAsP/InP双异质结激光器

用液相外延方法生长了InGaAsP/InP四层双异质结,采用了镀金石英玻璃炉和水平滑动式石墨舟.研究了外延生长界面平直晶体质量好的InGaAsP/InP和InP/InGaAsP异质结的工艺细节.测量了异质结晶格失配度,确定了异质结匹配生长条件。研究了在InP液相外延中锌和碲的掺杂规律,分析了掺锌工艺对p-n结的位置、结的注入效率和其它结特性的影响.制作了质子轰击条形InGaAsP/InP DH激光器.在室温(300K)连续激射波长为1.30-1.33μm.室温宽接触激光器的阈电流密度为2000A/cm~2,规一化阈电流密度为5kA/cm~2·μ.测量了阈电流随温度的变化,在80—285K范围内特征温度T_o=79-108K,室温附近T_o=63-73K.选择两只激光器作了长期工作实验,其中一只寿命为560小时,另一只已经工作2500 小时,现仍在继续工作中.     

1.3μm InGaAsP/InP双异质结激光器阈值电流与温度的关系

测量了1.3μm InGaAsP/InP DC-PBH 激光器在直流工作条件下,阀值电流密度随温度的变化。应用电子从四元有源区泄漏入 InP 限制层的机理讨论了实验结果。     

1.3微米低阈值大功率基横模BH InGaAsP/InP激光器

我们采用二次液相外延技术,成功地研制出1.3微米低阈值,大功率,基横模BH InGaAsPInP激光器,其室温连续工作阈电流低至 10mA,单面微分量子效率达到 31％,最大线性光功率输出为20mW~*/facet以上,在2.5倍阈值的工作电流下仍可稳定的基横模工作.     

InGaAsP/InP双异质结激光器的温度特性

本文叙述了四元系InGaAsP/InP半导体激光器阈值温度特性研究的主要结果:载子泄漏;俄歇复合;价带间吸收;缺陷、杂质、界面等非辐射复合。就这些因素对四元系InGaAsP/InP激光器阀值温度特性的影响进行了讨论。     

低阈值1.5微米波长InGaAsP/InP隐埋双异质结结构激光器

<正> 最近日本 NTT 武藏野通研所制出目前最低阈值的1.5微米波长 InGaAsP/InP 隐埋双异质结结构激光器。首先使用低温液相外延防回熔技术在 InP(100)衬底上生长掺锡的4.5微米厚的 InP 层,继之生长0.2微米厚的未掺杂的 InGaAsP 有源层(生长温度为602℃),再生长掺锌的3微米厚的 InP 层,最后生长掺锌的1微米厚的 InGaAsP 帽层(禁带宽度 E_g=0.95电子伏);淀积 SiO_2,沿<110>方向用射频溅射光刻技术刻出二氧化硅条,台面刻蚀直到 n 型 InP 层;二次液相外延掺锌 p 型 InP 层(2.5微米厚)和 n 型 InP     

1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光二极管的研究

<正> 一、引言由于石英光纤在1.3μm处于零色散点附近而且损耗极小,因此长波长光纤通信越来越受到人们的重视。用波长1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光二极管的光通信系统提供的数据容量为AlGaAs/GaAs双异质结发光二极管光通信系统的十倍,数据率可达2.5KMbit/s,在传输距离上可与AlGaAs/GaAs双异质结激光器相比,InGaAsP/InP双异质结发光二极管同时还具有稳定可靠、驱动简单、价格便宜等优点。因此长波长光纤通信系统的实用化,首先着眼于采用InGaAsP/InP双异质结发光二极管作为光源。本文着重介绍功率型发光二极管的研究。我们首先着眼于功率效率的提高,这就要求外     

掩埋弯月形InGaAsP/InP激光器稳态特性研究

本文对掩埋弯月形InGaAsP/InP激光器的稳态特性作了数值计算和理论分析。对有源层栽流子浓度分布的剖面形状给予解释,并分析了结构参数对激光器阈值电流的影响。计算结果和实验符合较好。     

条形InGaAsP/InP双异质结激光器的高温特性

本文介绍了发射波长为1.3μm的条形InGaAsP/InP双异质结激光器的高温特性。为了估计热特性,诸如热耗散功率、热阻、四元有源层的温度增加对连续工作的影响,并推导高温下稳定工作的条件,分析了增益导引激光器和折射半导引激光器的热特性与条宽和腔长的关系。采用了质子轰击激光器和自对准激光器,研究了室温以上的振荡性能,并与分析结果进行了比较。     

1.55μm掩埋条形InGaAsP/InP激光器

用两次液相外延的方法制备了 1.55μm掩埋条型 InGaAsP/InP双异质结激光器.室温下的阈电流低达55mA.在接近3格阈值时,器件的光强-电流特性仍保持良好的线性度.直到1.6倍阈值时仍可得到稳定的单纵模、基横模工作.     

InGaAsP/InP隐埋异质结构1.3μm激光器的可靠性

本文研究了激光器芯片周围Au-Sn健合焊料层的表面上由老化引起的Sn须生长,还研究了主要在p-面向下键合的激光器中恰好在有源层下面的焊料和激光器晶体的界面上发生的金相反应。这些现象引起了InGaAsP/InP激光二极管的短路。在长期工作的器件中突然出现了这种短路,而没有任何在其老化的特性中曾经出现过的那种预兆。为了完全消除这种失效,在以1.3μm波长发光的InGaAsP/InP隐埋异质结构激光器的制作中,采用了一种新的装配方法。这种方法,是使用Pb-Sn焊料将芯片p-面向上地安装在半绝缘SiC的辅助框架上。用这种方法装配的隐埋异质结构激光器,即使在60℃及5mW/面输出功率的条件下工作8000小时之后也未出现任何短路失效。得到了很小的退化速率,例如在60℃下3％/kh(平均),证实了这种改进了的激光器的可靠性。只要有源层的条宽达到为获得无扭折的光输出-电流特性所必需的1.5～2.5μm的最佳化范围,那么在老化的激光器中,就观察不到激光器特性上的有害变化,这些特性包括横模和纵模、以及动态输出响应。在本文中,叙述了观察到的长期退化方式,并且讨论了可能的原因。     

双沟道平面掩埋异质结激光器(DC—PBHLD)的研制工作取得新进展

武汉电信器件公司研制的1.3μm双沟道平面掩埋异质结激光器最近取得新的进展;1.5μmDC—PBHLD也取得初步试验成果。 1.3μmDC—PBHLD,20℃阈值电流最低可达13mA;光功率输出一般为10mW;温度在20～70℃时△I/△T一般可达0.7mA/℃;其中质量较好的LD温度为70℃时线性输出功率