反馈型介质腔稳GaAs FET振荡器

本文给出反馈型介质腔稳GaAs FET振荡器较严格的分析模型。导出振荡条件下FET的S参数与反馈电路参数间的关系式、振荡频率以及频率温度稳定度等的关系式。依此研制成两种X波段DRO,均获得良好的频率—温度特性。     

K波段介质谐振器稳频GaAs FET谐波振荡器

本文对介质谐振器稳频GaAs FET谐波振荡器进行了研究;分析了场效应管中的非线性源产生二次谐波分量的情况,利用两种不同类型的场效应管设计制作了两个介质谐振器稳频场效应管谐波振荡器,在22GHz和18GHz分别得到了5.4mW和305mW的二次谐波功率。     

高稳定介质谐振器FET振荡器

本文对采用介质谐振器进行稳定的砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)振荡器随温度变化而发生的长时间频率漂移从理论和实验两方面作了分析研究。人们发现,介质材料的稳定性和品质因数有某些限制,另外谐振频率的温度特性是非常合乎线性的。目前已经在BaTi_4O_9和Ba_2Ti_9O_(20)基础上研制出这种材料,并且已制成用超稳定介质谐振器稳定的振荡器,这种振荡器在11千兆赫、温度从-50℃～100℃时频率漂移约为±100千赫(≈±0.06×10~(-6)/K)。     

C波段介质谐振器稳频FET振荡器

本文运用电磁场理论对圆柱形介质谐振器进行了分析和计算,并设计制作了C波段反馈型介质谐振器稳频FET振荡器,其工作频率f_0=7.4GHz,输出功率P≥30mW,频率稳定度为±2×10~(-5)(-10～+50℃),频率温度系数为0.67ppm/℃。     

光控介质谐振器稳频FET振荡器研究

本文报导我们对光控介质谐振器稳频MESFET振荡器的研究状况，包括被控介质谐振器模型的建立、电磁分析和实验研究。采用有限元法，借助Ansoft三维仿真软件分析从实际振荡器结构中提取出的叠层DR模型。应用二维阻抗边界条件处理光照下光敏材料的光学效应，得出明晰的物理概念，使复杂问题简化，并较好地验证了实验结果。     

采用介质谐振器的C波段高稳定、低噪声GaAs FET集成振荡器

用BaO-TiO_2陶瓷介质谐振器稳频的GaAs FET集成振荡器提供一种高稳定低噪声小型微波功率源。新研制的陶瓷材料具有互相补偿的膨胀系数和介电常数温度系数,从而得出较小的谐振频率温度系数。振荡器在6千兆赫上得到输出功率100毫瓦,效率为17％,频率温度系数低达2.3ppm/℃。由于稳频使调频噪声电平减小30分贝以上。精确地测量了振荡器和谐振器的动态特性,以确定等效电路形式。介绍了基于这些等效电路形式的大信号设计理论,以便在振荡器和谐振腔之间实现最佳耦合条件。本稳频振荡器的性能可满足微波通讯系统的要求。     

采用介质谐振器的C波段高频稳度的低噪声GaAs FET集成振荡器

本文所介绍的采用氧化钡——二氧化钛系列陶瓷介质谐振器来稳频的GaAsFET(砷化镓场效应晶体管)集成振荡器,向人们提供了小型低噪声微波功率源。最近研制的陶瓷其膨胀系数与介电常数的温度系数相互补偿,因而谐振频率的温度系数很小。在6千兆赫时可获得输出为100毫瓦、效率为17％、频率温度系数小到2.3ppm/℃的振荡器。由于稳定,调频噪声电平还可减小30分贝。作者对振荡器和介质谐振器的动态特性作了精确测量,以决定等效电路表达式;提出了建立在这些等效电路表达式基础上的大信号设计理论,以求得振荡器与稳定介质谐振器之间的最佳耦合条件。本稳定振荡器的性能足以满足微波通信系统的需要     

Ku波段介质谐振器稳频电调FET振荡器

<正>目前,大多数FET DRO都采用反射型或反馈型电路形式。由于反馈型结构电路简单,频带宽,调试方便,不跳模,为此,采用反馈型电路,变容管通过一开路线与介质谐振器耦合,研制出一Ku波段介质谐振器稳频电调FET振荡器,其电路结构如图1所示。整个电路制作在22mm×15mm×0.6mm,ε_r=9.6的陶瓷基片上。     

UHF微带裂环介质谐振器FET振荡器分析

本文提出了微带裂环介质谐振器FET振荡器电路,分析了FET电路和微带裂环谐振器的特性,最后给出设计这种振荡器的频率温度稳定性考虑与优化方法.     

环路反馈式场效应管介质稳频振荡器

本文介绍了一种环路反馈式场效应管介质稳频振荡器.该振荡器主要是由一个FET放大器及一个独立的介质谐振器反馈电路结构组成.通过分别仔细地调试此两部分的指标,可以获得较好性能的振荡器.所研制的振荡器的基本性能为:振荡频率为2.7GHz;从室温到50℃范围内频率稳定度可达0.3ppm/℃;输出功率为5～20mW.     

A Highly Stabilized GaAs FET Oscillator Using a Dielectric Resonator Feedback Circuit in 9-14 GHz

A new type of highly stabilized GaAs FET oscillator using a dielectric resonator and a stabilization resistor in the feedback circuit has been developed. The oscillator fabricated with a microwave integrated circuit has a high external quality factor Q/sub ex/ for more than1000 with no hysteresis phenomena. The microwave characteristics of the GaAs FET oscillator has revealed 1) high efficiency of 20 percent with 70-mW output power at 11.85 GHz, 2) a wide tuning range more than1000 MHz, 3) a wide oscillation frequency from 9 to 14 GHz with same MIC pattern by using five dielectric resonators of different sizes, 4) a high-frequency stability as low as /spl plusmn/ 150kHz in the tempature range from -20 to + 60/spl deg/ C, and 5) low FM noise of 0.07 Hz/ /spl radic/Hz at off-carrier frequency of 100kHz.     

A Highly Stabilized Low-Noise GaAs FET Integrated Oscillator with a Dielectric Resonator in the C Band

A GaAs FET integrated oscillator stabilized with a BaO--TiO/sub 2/ system ceramic dielectric resonator provides a high-frequency-stabilized low-noise compact microwave power source. The newly developed ceramic has an expansion coefficient and dielectric constant temperature coefficient that offset each other and result in a small resonant frequency temperature coefficient. A stabilized oscillator output of 100 mW with a 17-percent efficiency and a frequency temperature coefficient as low as 2.3 ppm//spl deg/C are obtained at 6 GHz. FM noise level is reduced more the 30 dB by the stabilization. The dynamic properties of the oscillator and resonator are precisely measured to determine equivalent circuit representations. A large-signal design theory based on these equivalent circuit representations is presented to realize the optimal coupling condition between the oscillator and stabilizing resonator. The stabilized oscillator performance is sufficient for application to microwave communications systems.     

X波段砷化镓场效应管介质振荡器

本文介绍了反馈型介质振荡器,给出了介质谐振器尺寸的计算方法.该振荡器在8GHz下,温度范围-40～+70℃,频率稳定度为0.6ppm/℃,输出功率16～30mW,在+55℃下连续工作8 小时,频率漂移小于50kHz,推频系数小于10kHz/V,在偏离载频100kHz的FM噪声为-110dBc/Hz.该振荡器在无人值守中继系统中作上下变频器的本振源,使用良好.这类振荡器在10.7GHz下,温度范围-40～+55℃,频率稳定度0.6ppm/℃,输出功率大于5mW.     

介质腔稳频FET压控振荡器

本文介绍一种新颖的,用介质腔稳频的压控振荡器,叙述了其电调原理,设计考虑,并给出了实验结果;该振荡器的中心频率f_0=5.415GHz;电调带宽△f≥20MHz(V_0=G～-15v);输出功率p_o≥15mw;频率温度系数T≤3.2ppm/℃;在偏离载频100kHz处的调频相位噪声<-90dBc/Hz,该振荡器性能已满足使用单位的要求。     

介质谐振器反馈式振荡器（DRFO）的实用机辅设计方法

介绍了一种介质谐振器反馈式振荡器的实用机辅设计方法,并根据此方法设计出了X波段振荡器,经测试,设计满足要求,工作稳定可靠.     

4千兆赫介质谐振器振荡器

本文叙述了介质谐振器作为加载带阻滤波器稳频的基本原理,介绍了4GHz介质谐振器振荡器.该振荡器在-40℃到+55℃范围内,频率稳定度在2ppm/℃左右,在+55℃下连续工作8小时,频率漂移一般在50kHz以内,振荡器的输出功率在10mW左右.该振荡器曾在国际卫星通迅公司5号星电视传输试验中作接收系统的本振源,使用良好.     

Highly Stable Dielectric Resonator FET Oscillators

The long-term frequency drift of GaAs FET oscillators with temperature has been analyzed theoretically and experimentally in view of stabilization using dielectric resonators. It was found that the dielectric material stability and quality factor should be within certain limits, and, in addition, that the resonance frequency over the temperature characteristic should be quite linear. Such a material has been developed on the basis of BaTi/sub 4/O/sub 9/ and Ba/sub 2/Ti/sub 9/O/sub 20/ , and ultra-stable DRO's with frequency drifts of around +- 100 kHz for -50 to 100°C at 11 GHz (ap +- 0.06 ppm/K) have been realized.