RF磁控溅射功率对ZnO：AI薄膜结构和性能的影响

采用RF磁控溅射技术以ZnO2Al2O3（2wt％Al2O3）为靶材在石英玻璃衬底上制备多晶ZnO：Al（AZO）薄膜,通过XRD、AFM、AES以及Hall效应、透射光谱、折射率等手段研究了RF溅射功率（50-300w）对薄膜的组织结构和电学,光学性能的影响。分析表明：所制备的AZO薄膜具有c轴择优取向,并且通过对不同功率下薄膜载流子浓度与迁移率的研究发现对于室温下沉积的AZO薄膜,晶粒间界中的O原子吸附是影响薄膜电学性能的主要因素。同时发现当功率为250W时薄膜的电阻率降至最低（3．995×10^-33Ω·cm）,可见光区平均透射率为91％。     

退火时间对ZnO:Al薄膜性能的影响

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了Al/Zn原子比为0.1%的ZnO:Al薄膜,在500℃的氩气中进行了1~5h不同时间退火处理,利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、透射光谱和四探针法研究了退火时间对薄膜性能的影响.结果显示,退火1h时,样品出现了c轴择优取向,深能级发射(DLE)提高,可见光区光学透过率约为80%,电阻率仅为4×10-2Ω·cm.更长时间退火后,随着退火时间增加,薄膜结晶质量逐渐变差,电阻率逐渐增大.     

利用射频磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO：Zr透明导电薄膜

利用射频磁控溅射法首次在室温水冷柔性衬底PET上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌（ZnO：Zr）透明导电薄膜。X射线衍射和扫描电子显微镜表明,ZnO：Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有平行于衬底方向的择优取向。实验获得ZnO：Zr薄膜的最小电阻率为1．55×10^-3Q·cm。实验制备的ZnO：Zr薄膜具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率超过90％。     

日盲探测器高Al组分n-Al_(0.6)Ga_(0.4)N欧姆接触(英文)

研究了应用于日盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti（20nm）/Al（100nm）之间的欧姆接触.在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理,金属制作后再在N2氛围中做快速热退火处理.使用高精度XRD测试样品表面特性,并对不同温度下的情况进行比较.样品的比接触电阻率是用环形传输线模型通过I-V测试得到.670℃下90s退火得到最优ρc为3.42×10-4Ω·cm^2.将该处理方法应用到实际的背照式AlGaN p-i-n日盲探测器中,探测器的光谱响应度和反向特性等参数得到很大的优化.     

箔分压器电阻

这些电阻具有100Ω～20kΩ的电阻范围,在55～125℃（参考值为＋25℃）范围内具有±0．2×10^6／℃的低典型TCR,0．1×10^6／℃的TCR跟踪,±0．005％（50×10^6）的容差匹配,以及在＋70℃、额定功率时长达2000小时的±0．005％负载寿命稳定比率。其他电阻技术需要几秒钟甚至几分钟才能实现稳态热稳定性,而300144Z及300145Z具有不足1s的热稳定性时间。     

Vishay推出新型超高精度Z箔电阻VPR221Z

日前,Vishay Intertechnology,Inc．（NYSE股市代号：VSH）宣布推出新型超高精度Z箔电阻——VPR221Z。此新型器件可提供±0．05ppm／°C（当温度介于0°C至＋60°C之间及±0．2ppm／°C（当温度范隔在（55°C至＋125°C）（参考温度为＋25°C）的工业级别绝对TCR、在＋25°C时最多8W的额定功率（符合MIL—PRF-39009规范,在自由空气中为1．5W）、±4ppm/W（典型值）的优越功率系数（“自身散热产生的R”）及±0．01％的容差。     

真空退火时间对ZAO薄膜的结构与性能的影响

采用射频磁控溅射法制备了Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究了真空退火对其组织结构和光电性能的影响规律.结果表明,所制备的ZAO薄膜厚度均匀、组织致密,具有(002)择优取向的六方纤锌矿结构,400℃真空退火后,薄膜晶粒粗大,(002)晶面择优取向性进一步加强.延长退火时间对薄膜的相结构、组织形貌及晶粒大小没有明显的影响.随着退火时间的增加,薄膜的电阻率呈降低趋势,退火3 h时电阻率最低,为2.25×10-3Ω·cm,但长时间退火,电阻率变化不大.薄膜样品的透光率随真空退火时间的延长先降低,后升高,再降低;样品在真空退火4 h时对可见光的平均透过率最佳,在80%以上.退火后,ZAO薄膜的吸收边发生了蓝移现象,光学禁带宽度增大.     

高精度Z箔电阻

VPR221Z是一款新型超高精度z箔电阻,此新型器件可提供±0．05×10-6／℃（当温度介于0～60℃之间）及±0．2×10-6／℃（当温度范围在55～125℃）（参考温度为25℃）的工业级别绝对TCR、在25℃时最多8W的额定功率（符合MILPRF-39009规范,在自由空气中为1．5W）、具有±4×10-6／W（典型值）的优越功率系数（“自身散热产生的△R”）及±0．01％的容差。     

退火对N离子注入ZnO:Al薄膜性能的影响

利用溶胶-凝胶法在(0001)Al2O3衬底上制备了Al/Zn原子比为1%的ZnO:Al薄膜,将能量56keV、剂量1×1017ions/cm2的N离子注入到薄膜中.离子注入后,样品在500～900℃氮气气氛中退火,利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、透射谱和四探针研究了退火温度对薄膜性能的影响.结果显示,在800℃以下退火,随退火温度提高,薄膜结晶性能逐渐变好;在600℃以上退火,随退火温度提高,紫外近带边发光峰(NBE)和缺陷相关的深能级可见光发光带都逐渐增强;600℃退火时,样品的电阻率仅为83Ω·cm.     

缓冲层厚度对透明导电薄膜ZnO∶Zr性能的影响(英文)

利用直流磁控溅射法在有ZnO∶Zr缓冲层的水冷玻璃衬底上成功制备出了ZnO∶Zr透明导电薄膜,缓冲层的厚度介于35～208nm。利用XRD、SEM、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计研究ZnO∶Zr薄膜的结构、形貌、电光性能。结果表明,薄膜的颗粒尺寸和电阻率对缓冲层厚度具有较强的依赖性。当缓冲层厚度从35nm增加到103nm时,薄膜的颗粒尺寸增大,电阻率减小。而当缓冲层厚度从103nm增加到208nm时,薄膜的颗粒尺寸减小,电阻率增大。当缓冲厚度为103nm时,薄膜的电阻率最小为2.96×10^-3Ω.cm,远小于没有缓冲层时的12.9×10^-3Ω.cm。实验结果表明,在沉积薄膜之前先沉积一层适当的缓冲层是提高ZnO∶Zr薄膜质量的一种有效方法。     

超高精度Z箔电阻

VPR221Z是一款新型超高精度Z箔电阻。此新型器件可提供±0．05×10^-6／C（当温度介于0～＋60℃之间）及±0．2×10^6／℃（当温度范围在55～＋125℃）（参考温度为＋25℃）的工业级别绝对TCR、在＋25℃时最多8W的额定功率±4×10^-6／w（典型值）的优越功率系数（自身散热产生的R）及±0．01％的容差。     

硼硅酸盐玻璃／Al2O3陶瓷LTCC材料的研制

选择邻苯二甲酸二丁酯（DOP）／聚乙二醇（PEG）作为复合增塑剂,经流延制备硼硅酸盐玻璃／Al2O3陶瓷生带,研究生带的力学性能与LTCC基板的理化性能。结果表明：复合增塑剂的增塑效果优于单组份增塑剂,当增塑剂中W（PEG）为30～70％,固含量为86．5～87．3％时,生带拉伸强度为1．94MPa,断裂伸长率为12．07％;烧成LTCC基板具有较低的介电常数（7．1～7．62）,较小的介质损耗（18．4～28．8×10^-4）,合适的热膨胀系数（5．61～6．35×10^-6／℃）,较高的热导率（3．09～3．82W／m·K）,较高的抗弯强度（117～226MPa）。     

高Al组分N—AlxGa1-xN材料的欧姆接触

基于各层金属间在快速热退火时容易合金化及Ti，Al易被氧化的特点，在高Al组分N-AlxGa1-xN（x≥0．45）材料上溅射生长多层金属Ti／Al／Ti／Au，并且变化Ti，Al比例以及改变退火温度和时间，得到了金属与高Al组分N-AlxGa1-xN（x≥0．45）材料间的欧姆接触，由传输线模型方法测试得比接触电阻为4．9×10^-2Ω·cm^2。实验中用到的样品为P（Al0.45Ga0．55N）／i（Al0.45Ga0.55N）／N-Al0.63Ga0．37N多层结构的材料。最后，利用伏安特性和俄歇电子能谱深度分布（AES）研究金属与高Al组分的材料之间形成欧姆接触的原因。     

双靶共溅射制备AZO薄膜的光电性能研究

采用双靶共溅射的方法制备了光电性能较好的掺Al氧化锌(AZO)薄膜,利用X射线衍射仪、霍尔测试仪、SEM等多种技术手段研究了不同的Al溅射功率和快速退火条件对AZO薄膜的影响,发现AZO薄膜在Al溅射功率为15W、退火温度为400℃时性能最佳.当A1溅射功率为15W时,其电阻率最低为6.552×10-4 Ω·cm,可见光波段(400～700 nm)平均透过率超过92％.随着Al溅射功率的增大,可见光波段的透过率逐渐减小,红外波段(2.5～20 μm)的透过率逐渐增大,最大为40％.     

[惊天夺宝超强彩蛋]国家宝藏(National Treasure)碟评

电影简评： 本·富兰克林·盖茨（尼古拉斯·凯奇Nicolas Cage饰演）家族流传着一个关于美国建国时期失落宝藏的传说,家族几代人为之付出不少的精力和时间．谁知道却是无功而返。本·富兰克林·盖茨没有气馁．拉上电脑专家莱利·波尔（贾斯汀·巴沙．Justin Bartha饰演）一同击发掘探险。在此过程中还遇上美女博士雅缓·却斯（黛安·克鲁格．Diane Kruget饰演）．两人也不免于惜地发生互相欣赏的爱幕之意。另一方面．富豪冒险家伊恩（西恩·宾．Sean Bean饰演）也对宝藏虎视眈眈．他用自己的法子和本展开了一场紧张激烈的寻宝争斗……     

sol-gel法制备的ZnO:(Al,La)透明导电膜光电性能

通过X射线衍射、紫外–可见分光光度计、扫描电镜和四探针仪分析等手段,考察了退火温度对ZnO:(Al,La)薄膜微观结构、光学和电学性能的影响,Al掺杂浓度对电阻率的影响。结果表明:随退火温度的升高,薄膜(002)晶面择优取向生长增强,平均晶粒尺寸增大,电阻率降低,透光率上升。在x(Al)为1%,退火温度550℃时,薄膜最低电阻率为1.78×10–3?·cm,平均透光率超过85%。     

掺Sn的In203透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响

采用反应热蒸发法制备掺sn的In203（ITO）透明导电膜，系统研究了ITO薄膜生长的优先取向对其光电性能的影响，结果表明，ITO薄膜（400）取向的优先生长对其透过率影响很小，但可明显增加载流子迁移率，从而有效降低了薄膜的方块电阻。在两个相同的薄膜硅／单晶硅太阳能电池上分别沉积（222）和（400）ITO优先取向膜，光电转换效率分别为10．3％和12．9％，表明（400）取向更有利于提高电池效率。经优化，最佳衬底温度（Ts）为225℃，最佳氧流量（fo2）为4sccm。在优化的沉积条件下制备ITO薄膜，其电阻率可达到4.8x10^-4Ω·cm，可见波段的透过率大于90％，性能指数为3.8×10^-2□/Ω。     

CrSi薄膜电阻温度系数研究

对可能影响CrSi（铬硅）薄膜电阻温度系数（TCR）的工艺参数进行研究分析,通过有针对性的多组试验,优化了工艺奈件,使电阻温度系数从±50ppm／℃降到了±20ppm／℃。     

非晶态TeO2／36°Y-X LiTaO3 SAW基板

研究了非晶态TeO2／36°Y-X LiTaO3 层状结构的延迟温度系数（TCD）,并计算了该结构中声表面波（SAW）的其他重要特性,如声波模式和机电耦合系数（K2）。非晶态TeO2薄膜作为一种新型具有负温度系数的材料,当将其沉积于具有正温度系数的36°Y-X LiTaO3上时,在膜厚仅为传统SiO2薄膜的1／3情况下就可实现零延迟温度系数。另外,该结构中被利用的1阶Love波模式很纯,没有和其他模式明显的耦合,而且其k2高达8．61％。故此结构是一种具有广泛应用前景的新型复合SAW应用材料。     

VCS1625Z：Z箔表面贴装电流感应芯片电阻

Vishoy宣布推出新型VCS1625Z超高精度Z箔表面贴装电流感应芯片电阻。新器件可提供±0．05ppm／℃（当温度介于0℃至＋60℃之间）或±0.2ppm／℃（当温度范围在55℃至＋125℃之间）（参考温度为＋25℃）的工业级别绝对TCR、在额定功率时±5ppm的超卓功率系数（自身散热产生的△R）及±0.2％的容差。