半绝缘GaAs退火前后深能级的研究

用TSDC(热激去极化电流)法对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)退火前后的深能级进行了测量,并对该方法进行理论分析,推导出这一热激过程的动力学方程。用曲线拟合的方法对陷阱能量E等拟合,理论与实验结果吻合。测得SI-GaAs:Cr样品中Cr产生的深能级为E_c-0.716eV,Ec-0.532eV;高纯SI-GaAs样品中EL_2能级为E_c-0.735eV。另外,还测得其它几个深能级。     

Mn注入GaAs半导体的电特性研究

用离子注入的方法把Mn注入到非掺杂半绝缘(100)GaAs中，用霍尔以及电化学C-V方法研究了热处理温度对样品电特性的影响．发现在650～850℃温度范围内，随着退火温度的升高，样品的方块载流子浓度呈下降趋势，而载流子迁移率呈明显上升的趋势．这是由于在退火过程中，随着退火温度的升高，有更多的Mn参与MnAs或MnGa相的形成，使得以受主形式存在的Mn减少，并且晶格缺陷得到恢复所致，同时进行了Mn、C双注入实验，分析了C对样品电特性的影响。     

热处理对非掺杂半绝缘LEC GaAs电特性的影响

对非掺杂（ＮＤ）半绝缘（ＳＩ）液封直拉（ＬＥＣ）ＧａＡｓ单晶在 ９５０℃下进行了不同 Ａｓ压的热处理,研究了热处理对材料电特性的影响．发现在９５０℃温度和低Ａｓ压条件下 进行１４ｈ热处理,可在样品中引入本征受主缺陷,并导致体霍尔迁移率大幅下降和体电阻 率明显增加．这些受主缺陷的产生是由于高温和低 ＡＳ压条件下 ＧａＡｓ晶体中发生 Ａｓ间隙 原子的外扩散．提高热处理过程中的Ａｓ气压,可抑制这些受主缺陷的产生和电参数的变化．     

掺杂驰豫铁电陶瓷材料的电阻—温度特性

在比较铁电体材料与驰豫铁电体材料的异同之处的基础上，利用一般陶瓷工艺制备的Ｕ型电阻－温度特性热敏电阻材料钛酸钡锶和钛酸铅锶等固溶体是一种掺杂弛豫铁电体。根据能带理论，用Ｈｅｙｗａｎｇ模型较好地解释了钛酸钡锶等材料中出现的Ｕ型电阻－温度特性。     

GaAs MESFETs欧姆接触的快速评估和改进

提出了金属-半导体欧姆接触退化的快速评估方法-温度斜坡快速评价法,并建立了自动评估系统,用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能,和传统方法相比,耗时少,所需样品少,所得结果和传统方法一致．同时,针对传统AuGeNi／Au欧姆接触系统的缺点,提出了加TiN扩散阻挡层的新型欧姆接触系统．实验表明,新型欧姆接触系统的可靠性远远优于传统AuGeNi／Au欧姆接触系统．     

高压气体喷出时球形空间电荷云模型的空间电荷电场的分布

本文用球形分布模型模拟高压气体喷出时形成的空间电荷云，并计算该模型的电荷分布、电场分布和电场能量。     

GaAs在高压下的金属相变

为探究GaAs的晶体结构随压力的变化,在高压下对GaAs进行了原位电阻率测量,结果显示GaAs在12.0 GPa左右发生zb相到Cmcm相的相变.为探究Cmcm相的状态类别,在高压下对GaAs的变温电阻率进行了测量,结果显示GaAs的Cmcm相为金属相.在6.0 GPa和20.0 GPa下分别对GaAs进行了第一性原理计算,结果显示Cmcm相的能带可穿过费米能级,该结果进一步证实了GaAs能够发生金属相变.     

Temporal Characteristics of GaAs NEA and Alkali Metal Photocathodes

The temporal characteristics of GaAs NEA and alkali metal photocathodes are studied using Monte Carlo simulation method. The electron transit time and its distribution functions in the photocathodes are calculated.Based on the results, the time modulation transfer functions and temporal resolutions of the photocathodes are obtained. The results show that the response time and temporal resolution of alkali metal photocathode is in femitosecond order and those of GaAs NEA photocathode are in picosecond order.     

低密度聚乙烯中空间电荷包行为

利用激光感应压力波法(LIPP),对低密度聚乙烯中空间电荷包行为的研究发现,当电场强度约为50MV/m时,无论施加正高压还是负高压,总是从阳极产生正极性的空间电荷包并向阴极迁移,而且空间电荷包的宏观迁移率在室温时基本稳定为10~-14m~2/V·s数量级.     

两个新型的杂多酸喹啉电荷转移配合物的合成

首次报道了两个新型杂多酸喹啉电荷转移配合物[(C9H7NH)3]·[PMo12O40]和[(C9H7NH)6]·[P2Mo18O62]的合成方法,并用元素分析和红外光谱等手段对其进行了表征、对配合物1和2的结构分析表明这些化合物中的多阴离子仍保留其Keggin和Dawson结构,但其特征振动谱带有一定的红移蓝移,表明在配体和受体之间存在着较强的相互作用和电荷转移.     

基于PEA原理的一种新型电缆绝缘空间电荷测量系统

聚合物电缆绝缘层中空间电荷的存在和积累对电缆的电导特性、老化、击穿等有很大的影响．采用电声脉冲（PEA）法开发了一套新型的空间电荷测量装置．该系统采用带有相位检测的高压脉冲发生器,使装置在交直流状态下可实现对电缆绝缘层空间电荷分布状态的测量．利用此装置分别对新出厂的电缆和已运行过的电缆试样进行了测试．研究发现：在试验条件相同的情况下,运行多年的XLPE电缆（交联聚乙烯电缆）中的空间电荷积聚要明显多于新电缆．     

未掺杂半绝缘LECGaAs主要特性参数及其与集成电路性能的关系

利用霍尔效应、红外吸收和熔融 KOH 腐蚀的方法系统测量了φ2吋未掺杂半绝缘(SI)LECGaAs 晶体中电阻率、迁移率、深施主 EL2、浅受主碳(C)和位错分布,比较了这些参数与集成电路性能的关系,对有关问题进行了讨论.     

GaAs高过超能量态电子自旋相干动力学研究

研究了9.6K低温下、本征GaAs高过超能量态电子自旋相干动力学的浓度依赖,发现当光子能量为1.57eV,载流子浓度增大至2.65×1017cm-3时电子自旋相干量子拍的相位翻转180°。理论计算表明量子拍的相位翻转为区分轻、重空穴系统提供了重要依据,当载流子浓度大于2.6×1017cm-3时,量子拍的振幅主要起源于重空穴价带-导带跃迁,当载流子浓度小于2.6×1017cm-1时,量子拍的振幅主要起源于轻空穴价带-导带跃迁。因而,分别在轻空穴价带-导带系统和重空穴价带-导带系统实验测量电子自旋相干动力学成为可能,实验数据表明在轻空穴价带-导带系统测得的电子自旋相干弛豫时间明显大于在重空穴价带-导带系统测得的电子自旋相干弛豫时间。