多晶硅敏感技术(连载一)

<正>l 前言 多晶硅敏感技术主要讲述多晶硅薄膜的制备、分析方法,结构、特性、敏感机理以及正在研究中的和已经商品化的典型器件。     

多晶硅敏感技术(连载三)

<正> 4 多晶硅薄膜的电学特性 多晶硅薄膜的敏感特性与它的电学性质有着密不可分的联系。为了获得良好的多晶 硅敏感器件,必须分析其电学性质,找出它与薄膜结构、进而与生长条件、工艺过程等的联系,以便通过对生长条件及其工艺过程的控制来获得性能良好的多晶硅敏感器件。4.1 概述 与单晶硅相比,多晶硅薄膜的电学性质     

多晶硅敏感技术(连载四)

<正> 5 多晶硅薄膜的压阻效应 目前,多晶硅薄膜在传感器上的应用主要有压力传感器、加速度传感器、应变计、热电传感器及执行器等。对于前几种可归结为力学量传感器,其理论基础是依据于多晶硅的压阻效应。     

多晶硅敏感技术（连载八）

多晶硅敏感技术（连载八）王善慈（东北传感技术研究所）ＳｅｎｓｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＢａｓｅｄｏｎＰｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｌｉｃｏｎ（ＳｅｒｉａｌＥｉｇｈｔ）￥ＷａｎｇＳｈａｎｃｉ（ＮｏｒｔｈｅａｓｔＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔ...     

多晶硅敏感技术（连载七）

多晶硅敏感技术（连载七）王善慈（东北传感技术研究所）ＳｅｎｓｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＢａｓｅｄｏｎＰｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｌｉｃｏｎ（ＳｅｒｉａｌＳｅｖｅｎ）￥ＷａｎｇＳｈａｎｃｉ（ＮｏｒｔｈｅａｓｔＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔ...     

多晶硅敏感技术（连载九）

多晶硅敏感技术（连载九）王善慈（东北传感技术研究所）ＳｅｎｓｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＢａｓｅｄｏｎＰｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｌｉｃｏｎ（ＳｅｒｉａｌＮｉｎｅ）￥ＷａｎｇＳｈａｎｃｉ（ＮｏｒｔｈｅａｓｔＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕ...     

多晶硅薄膜残余应力在线测量技术

介绍了多晶硅薄膜中的残余应力对微结构性能的影响,分析了应力在线测量技术的必要性。说明了T型微检测结构的测试原理,并基于单T型结构设计出双T型检测结构。探讨了检测结构的制作工艺,加工出试验样片,用刻度显微镜测量出试验数据,推导出误差修正公式,结合M athCAD软件计算出应力值。在结论部分,指出了双T型检测结构能够提高测量精度,并给出了多晶硅薄膜残余应力在线测量技术的工艺实现方法。     

微系统技术（连载一）─—微系统技术概况

简要介绍微系统的含义，主要工艺、发展历史、现状和发展前景。     

微系统技术（连载一）─—微系统技术概况

简要介绍微系统的含义，主要工艺、发展历史、现状和发展前景。     

SAS通道技术

在校园数字化的建设过程中,数据资料快速膨胀。为了满足数据存储的需求,更多的学校开始把注意力转向大型的存储系统。顾名思义,存储系统需要有大量的硬盘装载能力,承担海量数据存储的要求,而存储系统的架构设计则直接影响到系统的性能、最大磁盘数等核心指标。本文重点介绍了SAS（Serial Attached SCSI串行SCSI）通道技术的技术细节,如技术架构、各类端口命名和含义、宽端口技术等,并且和原有的存储系统通道技术,如FC协议,进行了比较。并且认为,SAS作为磁盘通道技术,在接口带宽、工作性能、可扩展性、组网应用、可靠性等方面,有着突出的优势,尤其适合应用于企业级系统。     

基于WindowsAPI的串行通信编程技术

本文给出了串行通信的基本模式,对ＲＳ－２３２的定义作了说明,给出了串行通信的常用连方式,对Ｗｉｎｄｏｗｓ的通信机制作了说明,在此基础上,对串行通信的Ｗｉｎｄｏｗｓ编程作了详细的描述。