在p~+GaAs体单晶材料上进行的NEA活化实验

NEA活化实验是利用体单晶材料进行的,未经任何外延或真空解理手续。为确立活化工艺,特别是表面清洁处理规范,作了相应AES分析。借助于测量样品附近高纯Al的熔点以校准及控制样品表面的温度。在不太好的本底真空(2×10~(-7)—6×10~(-7)Pa)条件下,活化好的GaAs样品之白光光电灵敏度可达1000μA/lm以上。     

BF2+注入多晶硅栅的SIMS分析

文本采用SIMS技术,分析了BF₂⁺注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO₂中的迁移特性。结果表明,80keV,2×10¹⁵和5×10¹⁵cm^-2 BF₂⁺注入多晶硅栅经过900℃,30min退火后,部分F原子已扩散到SiO₂中。F在多晶硅和SiO₂中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。     

双色红外焦平面研究进展

介绍了叠层双色红外焦平面的发展背景和适用的材料体系,及其在国际上的发展现状,重点论述了叠层双色探测器结构类型及其探测特点,最后介绍了国内碲镉汞叠层双色焦平面的研究进展。报道了基于n⁺_-p-P-P-N多层异质结Hg_1-xCd_xTe材料的叠层中波/短波（256×1）×2红外双色焦平面器件研制及性能。在77 K液氮温度下,红外焦平面探测器的两个波段的截止波长λ_c分别为2.8 μm和3.9 μm,中波/短波焦平面的平均单色探测率D*_λp分别为1.8×10¹¹ cmHz^1/2/W和9.6×10¹⁰ cmHz^1/2/W。     

激光对吸附在Si(111)7×7和Si(100)2×1表面上的C60的不同作用

本文利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV STM),在室温下研究沉积了约0.005ML的C60分子的Si(111)7×7和Si(100)2 × 1再构表面在波长为266nm的激光束轰击前后的表面形貌的变化.结果表明,在266nm的激光作用下,Si(111)7×7表面上的C60分子保持完好,表面缺陷明显增加,但并没有完全破坏7×7再构形貌;而Si(100)2×1表面上的C60分子却被打碎,样品表面变得杂乱无章.     

高量子效率中波InAs/GaSb II类超晶格探测器分子束外延生长及特性

基于分子束外延（MBE）生长技术获得了高量子效率的InAs/GaSb T2SLs中波红外（MWIR）光电探测器结构材料,表现出了层状结构生长的光滑表面和出色的晶体结构均匀性。此超晶格中波红外探测器的50%截止波长约为5.5 μm,峰值响应率为2.6 A/W,77 K下量子效率超过了80%,与碲镉汞的量子效率相当。在77 K,-50 mV偏压下的暗电流密度为1.8×10^-6 A/cm²,最大电阻面积乘积（RA）（-50 mV偏压）为3.8×10⁵Ω·cm²,峰值探测率达到了6.1×10¹² cm Hz^{1 / 2}/W。     

高k HfLaO栅介质MoS2晶体管的性能研究

比较研究了HfO₂与HfLaO栅介质多层MoS₂场效应晶体管。实验结果表明,与HfO₂栅介质MoS₂晶体管相比,HfLaO栅介质MoS₂晶体管表现出更优的电性能。电流开关比高达1×10⁸,亚阈斜率低至76 mV/dec,界面态密度低至1.1×10¹² cm-2·eV-1,载流子场效应迁移率高达1×10⁹ cm²·V-1·s-1。性能改善的原因在于镧(La)对HfO₂的掺杂形成HfLaO化合物,减小栅介质薄膜的表面粗糙度,降低缺陷电荷密度,改善了栅介质/沟道界面特性,从而减小了界面态密度,抑制了库仑散射和界面粗糙散射。最终,提高了多层MoS₂晶体管的场效应迁移率,改善了晶体管的亚阈特性。     

p型Si1-xGex应变层中重掺杂禁带窄变的计算

针对应变Si_1-xGe_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在<100>Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过约2～3×10¹⁹cm^-3后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性。     

基于多次反射样品池的TDLAS逃逸NH3检测研究

时域激光吸收光谱(TDLAS)技术具有高选择性、 高准确性优点,为逃逸NH₃的在线检测提供了可靠的技术手段。本文利用TDLAS 系统分别在White和Herriott 两种样品池中对浓度为(10～100)×10－6的NH₃进行检测, 采集得到其二次谐波光谱,比较 了两种样品池测量结果,分析对比两种样品池的优缺点。实验显示,Herriott样品池的噪声 要大,根据光谱曲线的标准偏差得到White样品池最低检出限为1.21×10－6 ,Herriott样品池 的检测限为1.61×10－6。结果表明,Herriott样品池更适合 恶劣环境现场应用,能够满足逃逸NH₃的痕量检测要求,适合在线监测。     

一种基于分治的三维匹配问题DNA计算算法

 本文基于Aldeman-Lipton模型的生物操作与粘贴模型的解空间,提出一种三维匹配问题的DNA计算新模型;同时基于此模型和传统计算机中分治策略,提出一种求解三维匹配问题的DNA计算新算法.将提出的算法与已有文献结论的对比分析表明:本算法将穷举算法中的DNA链数从O(2ⁿ)减少至O(2^n/2)≈O(1.414ⁿ),同时生物操作数由O(n²)减少至O(15n+30q),测试试管数由所需的O(n)减少至O(1),最大链长由O(15n+45q)减少至O(15n/2+45q).因此,本算法理论上在试管级生化反应条件下能将求解三维匹配问题的规模从67(2⁶⁷≈10²²)提高到134(67×2=134).同时,与传统的穷举搜索算法相比,该算法具有高效的空间利用率及容错技术的优点.     

新型热释电材料及其在高性能红外探测器中的应用

采用改进的Bridgman法生长出了大尺寸高质量的Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃(PMNT)单晶,并发现了PMNT单晶具有非常大的热释电响应。为探索高性能的热释电材料,提高现有红外探测器的性能,对PMN-PT的热释电性能、及其在红外探测器中的应用进行了系统的研究。研究表明：PMNT单晶具有优异的热释电性能,其综合性能优于传统的热释电材料。用PMNT单晶制备出了的红外探测器,电压响应率和比探测率分别为Rv = 211 V/W,D* = 1.06×108 cm·Hz^1/2·W^-1,器件性能能够基本满足使用要求,同时也表明PMNT单晶有望在高性能的红外探测及成像器件中得到实际应用。     

GaAs表面及Al_xGa_（1－x）As／GaAsHBT外基区表面（NH_4）_2S／SiN_x钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理、ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶＤ淀积及退火并与现有ＨＢＴ工艺兼容的外基区表面钝化工艺，使发射区面积为４×１０μｍ２的器件增益比钝化前提高了４倍，且６０天内不退化。     

（Hg_（0．69）Pb_（0．31））Ba_2Ca_2Cu_3O_（8＋δ）的

本文采用溅射中性粒子质谱仪（ＳＮＭＳ），俄歇电子谱仪（ＡＥＳ）和Ｘ光电子能谱仪（ＸＰＳ）研究分析了汞系超导材料的表面状况，其中Ｈｇ元素在超导体表面的ＨｇＯ和游离态Ｈｇ并存，Ｐｂ元素在超导体表面的富集等分析结果表明，汞系超导材料存在着表面不稳定性和表面钉扎效应的表面特性。     

Efficiency enhancement of organic light emitting diode via surface energy transfer between exciton and surface plasmon

Organic light emitting diodes (OLEDs) with surface plasmon (SP) enhanced emission have been fabricated. Gold nanoclusters (GNCs) deposited using thermal evaporation technique has been used for localization of surface plasmons. Size of GNCs and distance of GNCs from the emissive layer have been optimized using steady state and time resolved photoluminescence (PL) results. 3.2 Times enhancement in PL intensity and 2.8 times enhancement in electroluminescence intensity of OLED have been obtained when GNCs of size 9.3 nm has been introduced at a distance of 5 nm from emissive layer. Distance dependence of energy transfer efficiency between exciton and SPs was found to be of 1/R⁴ type, which is typically the dependence for dipole-surface energy transfer.     

表面安装技术与表面安装元件发展面面观

本文综合性地介绍了国内外表面安装技术与表面安装元件的发展现状、技术水平、市场动向,以及今后尚需开发的主要课题。     

Force Spectroscopic Investigations During the Local Oxidation of n‐Octadecyltrichlorosilane Monolayers

Scanning force spectroscopy (SFS) is a powerful tool for investigating surface properties with high precision. Unlike most common spectroscopic techniques, information about local properties can also be obtained from surface areas with nanometer dimensions. This makes SFS a useful investigative tool for small lithographic structures. We apply the continuous recording of force curves to extract valuable information about the local oxidation of a monolayer of n‐octadecyltrichlorosilane molecules self‐assembled on silicon. The oxidation is carried out while simultaneously recording the force curves during the application of a bias voltage to the tip. The dynamics of the induced surface modifications and changes in the surface properties are followed by analyzing specific spots in the force curves.     

Strong UV intensity enhancement in ZnO nanorods via surface modification of formic acid

The ZnO nanorods arrays synthesized by the chemical bath deposition method were surface modified by the formic acid at room temperature in a very short time. The optical properties of the samples before and after modification had been investigated in detail. The results showed a remarkable strong enhancement of UV emission intensity by almost a factor of 14 after the formic acid modification, which is mainly attributed to the great suppression of the surface recombination since the formic acid can effectively remove a part of OH bonds on the surface of ZnO nanorods.     

液态金属表面特性研究的新途径

以流体动力学方程和光栅衍射原理为基础，得到了研究液态金属表面特性的理论方程式。在液态金属的表面上，激振出了理想的一维表面张力驻波，交视作为一种反射式光栅；研制成能自动地采集光信息与处理数据的系统，它由电荷耦合器件、驱动电路、模数转换及计算机所需的硬、软件组成，从而提供了测试分析液态金属表面特性的新途径。     

高分辨率的厚膜丝网印刷技术

厚膜丝网印刷是浆料润湿陶瓷基板的过程。陶瓷基板的表面张力和厚膜浆料对基板的润湿度会影响印刷线条的分辨率。文章着重研究基板的表面张力可以有效地改进丝网印刷分辨率。     

功率LDMOS中的场极板设计

本文提出了LDMOS器件漂移区电场分布和电势分布的二维解析模型,并在此基础上得出了LDMOS漂移区电势分布和电场分布的解析表达式。通过表达式的结果,研究了多晶硅场板的长度和位置对于器件表面电场和电势的影响,解析结果与MEDICI结果相符。