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相似文献
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1.
图1所示电路可在外部DAC(未示出)控制下为EEPROM提供编程电压。您可以用一个电位器来代替该DAC,以建立从12V电源上工作并能提供OV~32V可变输出电压的通用电源。如图1所示,凌特科技公司(Linear Technology)的LT1072HV型可变升压开关稳压器IC1,驱动一个由运放IC2、升压级Q3及发射极跟随器达灵顿晶体管Q2组成的A类放大器。电阻器R9和R10将放大器的正相环路增益设定为1+(R9/R10)。  相似文献   

2.
驱动串联的高亮度LED可保证均 匀的亮度,但是这种方法一般需 要电源电压大于跨接在LED串上的总正向电压。一个开关方式升压变换器能以小于LED正向偏压的输入有效地驱动LED串,但是这样的电路同样不具有调节流经LED的电流的能力。增加一些电阻和两个晶体管可使电路升压且同时调节电流(见电路图)。 用5V工作时,标准的升压变换器(IC1、L1、D1和所有的电容器)把电压加在LED串上,足以产生由电流读出电阻器R4值设置的LED电流。R4的上  相似文献   

3.
单片系统(SoC)一般需要为核心准备一个电源.为I/O准备另一个电源。为了恰当地给器件加电,您经常需要某个电源先于另一个电源加电。借助图1所示电路,您可以测试SoC的通电顺序。两个TPS75501线性稳压器IC3和IC4产生两个电源。TPS75501可调稳压器从6V最大输入提供1.22V~5V输出电压。该电路使用5V作为输入源.并且最多能供应5A电流。SoC需要3.3V和1.5V。以下方程描述了电压设置方式。对于IC3,  相似文献   

4.
现有许多电路都适合用低电压源对LED进行恒流驱动。例如,参考文献1、2和3所示的电路都使用开关式稳压器IC和低电压源为LED提供LED电流。为了用参考文献2中的电路产生恒流输出,就要将稳压器IC配置成升压开关电源,并用一只电阻器检测LED串的低侧(即负返回支路)中的负载电流。这只检测电阻器产生的比例电压通过一个2.5V基准二极管,加到LT1300的检测输入端。  相似文献   

5.
这种直接耦合的绝对值电路具有低输入偏流、高输入阻抗和驱动2.5V(50Ω负载)的能力.晶体管Q1对输入进行缓冲来得到高输入阻抗,并通过R_(10).偏移输入电平,以便与大电流增益晶体管Q2以及R_4、R_7、R_8、R_9和R_(11)组成的单位增益例相器的输入相匹配.输入偏流通过R_1和R_2,而不流经输入源.在正输入电压时,Q1、Q3上R_3和R_(10).形成一个零偏置电压跟随器.而倒相器使Q4截止.在负输入电压时,Q3截止,而倒相器通过Q4驱动输出,以至Vout=|Vin|.  相似文献   

6.
ISFET(离子敏感场效应晶体管)可用于测量流体的酸性.精确的测量要求ISFET的偏置条件(ID和VDS)保持恒定,同时栅极直接接触被测流体.流体的酸性改变通道宽度,从而产生一个与流体的PH值成正比例的栅极-源极电压VGS.图1所示电路是一种更简单、更精确的实现方法.电压VA通过ISFET Q1设定漏极电流ID,而电压VB设定Q1的漏极-源极电压VDS.两个AD8821型高精度测量放大器IC1和IC2均配置得具有等于1的增益.IC3是AD8627型精密JFET输入放大器,它缓冲漏极电压VD,确保流经R1的电流全都流经Q1.  相似文献   

7.
DESIGN SHOWCASE     
图1所示的高效RAM备份电源为8V至32V的输入在1mA时提供5V电源.大部分工作在这一范围的单片稳压器是静态电流相当于1mA负载电流的双极型IC.然而,这一电路工作时仅消耗10μA.串联旁路JFET在一个开关线性稳压器中用作开关型电流源:启动时,C1充分放电,Q1用作电流源.C1充电时,V_(OUT)呈线性上升,在2V处激活IC1并继续上升到R3和R4设置的5V门限.IC1内集成了一个CMOS微功率比较器和1.182V带隙基准.当V_(OUT)达到其门限值时,比较器输出转为低电平,反向偏置Q1的选通源结点使其断开.当负载电流使C1放电到输出门限以下时,Q1重新导通并完成一个  相似文献   

8.
MAX8515并联型稳压器具有0.6V的反馈门限、初始精度可达±0.5%,采用微小的SC70封装,利用一个外部NPN晶体管和几只阻容元件可以方便地构成廉价、小尺寸的低压差线性稳压器(LDO),如图1所示。该电路输入电压范围为1.2V至2.5V,输出电压为1V,MAX8515的电源电压为2.5V,输出电流可达2A。改变分压电阻R2、R3可以调节输出电压,可参考下式选择外部电阻:为保证提供足够的负载电流,可参考下式选择电阻R1:式中,VREG为线性稳压器输出电压,IOMAX为最大负载电流、VBE为晶体管Q1发射结的正向导通电压,β是Q1在最大负载电流下所能…  相似文献   

9.
将降压型开关转换器IC配置成反相器,便可获得一个高效大功率-5V电源,其输出电流在输入电压为12V时高达4.5A,在输入电压为5V时为3.2A(图1).常见的反相电源用一个D沟道MOSFET进行开关切换(图2).这种电路配置在输出电流很小时能运转正常,但在输出电流超过2A左右时,其使用受到限制,这要视输入、输出电压电平和你使用的MOSFET而定.  相似文献   

10.
有些应用场合要求集成电路的输入电压高于其电源引脚的击穿电压。在升压变换器和SEPIC(单端初级电感变换器)中,可以把集成电路的V_(IN)引脚与输入电感器分开,并使用简单的齐纳稳压器来产生集成电路的电源电压。图1示出了一种使用4~28V输入电压、在输出电流为100mA时产生5V输出电压的SEPIC。在这一应用中,因为电源电压超过了IC_1的最大输入电压,所以IC_1的电源电压是由Q_1和Q_2产生的。该电路使用Q_1代替齐纳二极管以节约成本。Q_1的射极-基极击穿电压提供了稳定的6V基准电压。Q_2是一个跟随器,它为集成电路提供电源电压。此电路展示了一种拓宽集成电路输入电压范  相似文献   

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