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作者用高气压加纵向非均匀磁场获得了二种单频、自稳频高输出功率的外腔式He-Ne激光器,1m激光器的频率非稳定度为6.175×10 ̄(-9)(τ≤10s)和3.38×10 ̄(-9)(τ≤1s);1.8m激光器的频率非稳定度为1.1×10 ̄(-8)(τ≤1s)和2×10 ̄(-8)(τ≤10s),所有数据由中国计量科学院测定。本文是继文献[1],[8],[9]和[10]发表后,对这两种激光器的自稳频原理的再分析。 相似文献
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本文报道了采用选择区域生长(Selective area growth, SAG)方法,在 SiO2作掩膜的 InP衬底上选择生长出高质量的 InGaAsP-MQW,并成功地制作出波长调谐范围达 6.5 nm的可调谐 DBR激光器和性能可靠的电吸收调制DFB激光器.SAG成为实现光子集成器件的有效途径,得到广泛的研究,并已实现了DFB激光器与电吸收调制器的单片集成 (electroabsorption modulated DFB Laser, EML).我们在国内率先开展这方面的研究,并取得重大的突破. 采用 … 相似文献
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利用叔丁砷化氢(TBA)和叔丁磷化氢(TBP)的MOVPE已制成低阈值1.3μm的InGaAsP多量子阱(MQW)激光器。实验证明:与用常规的氢化物HsH3和PH3生长的四元InGaAsP材料相比,用TBA和TBP进行的四元材料生长可改善V族组分的可控性。从而使2英寸的InGaAsP MQW晶片的光致发光(PL)波长具有极好的均匀性,其标准偏差仅2.6nm,4.2K时,PL的最大半值全宽(FWHM 相似文献
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S_2蓝绿激光器寿命的新记录我们研制的S2激光器寿命已超过5年.5年前(1990.6)光转换效率为1.55%、全谱输出能量为2mJ的S2激光器,现在(1995.12)仍能正常运转。经测试,在相同的泵浦条件下,泵浦能量(波长308nm)为128.57m?.. 相似文献
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作者用高气压加纵向非均匀磁场获得了二种单频自稳频高输出功率的长腔He-Ne激光器,其相干长度均大于14m,1m放电管长(腔长为1140mm)单频激光器功率输出为18~25mW,在没有采取任何稳频措施的情况下,用这种激光器与碘稳定的He-Ne激光器拍频,经计算机自动采样,并进行阿仑方差(AllanVariance)处理,测得其频率非稳定度为6.175×1O ̄(-9)(≤10s)和3.38×10 ̄(-9)(≤1s).1.8m放电管长(腔长为1900mm)单频激光器功率输出为40~50mW,用测lm激光器同样的方法,亦在没有采用任何外加稳频措施的情况下,测得频率非稳定度为1.1×1O ̄(-8)(r≤1s)和2×10 ̄(-8)(≤10s),所有测试数据由中国计量科学院测定。 相似文献
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3.3认证数据报文举例分析 以下是在局域网上截取的以太网帧的数据,包括以太网帧头。IP包头、UDP包头,仅去掉了以太网的帧头同步序列和FCS。 ( 1) Access-Request( NAS→、RADIUS) 0.08 00 20 83 15 97 00 90 bf f7 80 00 08 00 45 00………………?……E. 以大网帧头 16.0074 52 e5 00 00 ff 11 d9 09 3d 9e 0a 17 3d 9c.tR……。 IP包头 32.0a 3b 06 6d 06 6d 00 60 45 c6 01 7e 00 … 相似文献
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GaAs表面钝化的新方法:S_2Cl_2处理 总被引:1,自引:1,他引:0
本文用光致发光谱(PL)结合俄欧电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS),首次研究了S2Cl2钝化的GaAs(100)表面.结果表明,PL强度较钝化前样品提高了将近两个数量级.钝化后的表面AES谱显示含有S,Ga,AS,C和少量Cl原子而不含O原子.XPS谱说明S原子和Ga、As原子都成键.与(NH4)2S处理的比较结果显示,几秒钟的.S2Cl2处理即可达到或超过几十分钟(NH4)2S处理的钝化效果. 相似文献
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可重复生长的非线性红外晶体AgGaSe2是Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2簇化合物之一。具有42m对称的负单轴特性。使用光栅选频要中调谐TEA CO2激光器输出的9P支线泵浦AgGaSe2晶体可产生波长4.75μm左右的激光。晶体长度为6.7mm,在10.6μm处按Ⅰ类相位匹配加工。 相似文献
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本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积(LP-MOCVD)外延生长InGaAsP/InP应变量子阶材料,材料参数与外延条件的关系,量子阱器件的结构设计及其器件应用.用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于400A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值7~12mA的1.3μm量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于600A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值9~15mA的1.55μm量子阶激光器以及高功率1.3μm量子阱发光二极管和InGaAsPIN光电探测器. 相似文献
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用LPE研制的室温连续工作的1.48μm单量子阱激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
利用液相外延(LPE)技术研制出室温连续工作的InGaAsP/InP分别限制单量子阶(SCH-SQW)双沟平面掩埋(DC-PBH)激光器。室温下,腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为23mA(激光器腔长为200μm,CW,13℃)。激射波长为1.48μm,最高输出功率达18.8mW(L=200μm.CW,18℃)。脉冲输出峰值功率大于50mW(脉冲宽度1μs、频率1kHz),未见功率饱和。量子阱的阱宽为20nm[1]. 相似文献
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MBE生长高质量GaAs/AlGaAs量子阱激光器 总被引:6,自引:4,他引:2
我们利用分子束外延方法研制了GaAs/AlGaAs缓交折射率分别限制(GRIN-SCH)单量子阱和双量子阱激光器.对腔长为600μm的端面不镀膜的宽接触条型F-P腔激光器,阈值电流密度(平均值)分别为290A/cm2和240A/cm2.腔长在1200μm的双量子阱激光器的阈电流密度低达190A/cm2.对出光面和背面分别镀以增透膜和高反膜的宽接触条型(80μm).激光器,线性输出功率高达1.82W;出光面的斜率效率达到1.04W/A;利用湿法化学腐蚀所制备的脊形波导结构单量子阱激光器阈值电流最低可达8mA 相似文献
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