CaSiO3:Eu的发光性质

采用高温固相反应法合成出CaSiO3：Eu^3 荧光体。研究了其荧光性质。样品的晶体结构为α-CaSiO3和β-CaSiO3的混合相，其激发光谱的峰位位于240，320，362，383，394，415nm，分别对应于O→Eu的电荷迁移带和^7F0．1-^5H3，^5D4，^5GJ，^5L6，^5D3的吸收跃迁。在240nm和394nm激发下，Eu^3 离子的^5D0→^7F2电偶极跃迁最强，表明Eu^3 离子占据更多的非反演中心格位。研究了不同电荷补偿剂对发光性能的影响，以Li^ 离子的电荷补偿效果最好。     

用于白光LED的Sr3SiO5:Eu3+材料制备及发光特性

采用高温固相法制备了Sr3SiO5:Eu3+材料.测量了Sr3SiO5:Eu3+材料的激发与发射光谱:材料的发射光谱由576、585、611、618nm和650nm几个发射峰组成,分别对应于Eu3+的5D0→7F0、5D0→7F1、5D0→7F2、5D0→7F2和5D0→7F3辐射跃迁.监测618 nm主发射峰时所得激发光谱为一多峰宽谱,主峰分别为400nul和470nm.研究了Eu"浓度对Sr3Si05:Eu3'材料发光强度的影响,结果显示:随Etl3'浓度的增大,发光强度先增大后减小,Eu3+的摩尔分数为3%时,材料的发光强度最大,根据Dexter理论,其浓度猝灭机理为电偶极一偶极跃迁.引入电荷补偿剂Cl-、Li+、Na+和K+时,材料的发光强度均得到了提高,其中Cl-和Li+的提高幅度较明显.     

CQDs/Eu3+比率荧光探针的制备及对四环素的检测

以碳量子点(CQDs)和铕离子(Eu3+)为荧光基团,构建比率荧光探针(CQDs/Eu3+),用于四环素(TC)的可视化检测.在380 nm波长激发下,CQDs/Eu3+在439 nm处存在较强的蓝色荧光峰,在616 nm处存在较弱的红色荧光峰,当TC存在时,基于内滤效应439 nm处CQDs的荧光峰强度降低;基于天线...     

电荷补偿对SrCeO3:Sm3+材料光谱特性的影响

采用溶胶凝胶法合成了SrCeO3:Sm3+,M+(M=Li,Na,K)红色荧光粉,用X射线衍射、荧光光谱表征了样品的物相结构和发光性能。研究了电荷补偿剂对SrCeO3:Sm3+发光性能的影响。结果表明:适量掺入电荷补偿剂没有改变基质的晶型结构。样品的激发光谱由Ce4+→O2–的电荷迁移带和Sm3+的离子特征激发峰组成。样品在波长为408 nm的紫外激发下发射红光,发射主峰为601 nm,对应于Sm3+的4G5/2→6H7/2跃迁。样品的发光强度随电荷补偿剂掺量的增大先增强后减弱;对于不同电荷补偿剂,样品发光强度最大处所对应的电荷补偿剂的掺杂量不同;电荷补偿剂Li+、Na+和K+的最佳掺量分别为5%、2%和0.8%。     

电荷迁移态敏化Ba3Gd2WO9:Eu3+红色荧光粉的光学性能

采用高温固相法制备了一系列不同Eu~(3+)掺杂浓度的Ba_3Gd_2WO_9:Eu~(3+)红色荧光粉,并对其结构、形貌、光致发光以及电致发光特性进行了研究。结果表明:Eu~(3+)的~7F_0→~5L_6激发带坐落在O~(2–)→W~(6+)电荷迁移带的肩部,后者有效提高了395 nm处激发线宽与强度;在近紫外光激发下,~5D_0→~7F_2电偶极跃迁与~5D_0→~7F_1磁偶极跃迁强度相当,反映出Eu~(3+)同时占据具有中心和非中心对称的多个结晶学格位。根据荧光强度与掺杂浓度的变化趋势,确定出最佳Eu~(3+)掺杂量为50%(摩尔分数),并得出浓度猝灭是由Eu~(3+)间电偶极-电偶极相互作用引起;利用~5D_0–电荷迁移态共振跃迁模型分析了荧光温度猝灭行为,并计算得到热活化能为0.367 3 eV。将此荧光粉涂覆在近紫外LED芯片上,得到了性能优良的红光和白光LED灯珠。     

电荷补偿对KSr4(BO3)3:Dy3+,Tm3+发光性能的影响

通过高温固相法制备出单基质KSr4(BO3)3:n%Dy~(3+),0.5%Tm~(3+)(n=0.5,1.0,1.5)白光荧光粉,对356 nm激发的发射光谱进行了测试,发射光谱包含有Dy~(3+)的特征发射峰(491,574 nm),也包含有Tm~(3+)的特征发射峰(454nm)。随着Dy~(3+)掺杂浓度的增加,Tm~(3+)的发光强度逐渐减弱,而Dy~(3+)的发光强度逐渐增强。计算得到KSr_4(BO_3)_3:n%Dy~(3+),0.5%Tm~(3+)(n=0.5%,1%,1.5%)的色温依次为:12 797,7 180,5 734 K。将掺杂浓度为1.5%的补偿电荷Li~+、Na~+和K~+掺入了KSr4(BO3)3:1.0%Dy~(3+),0.5%Tm~(3+)中,发光强度都有明显的增强,补偿电荷为Na~+时KSr_4(BO_3)_3:1.0%Dy~(3+),0.5%Tm~(3+)在574nm处的发光强度最高。通过XRD表征发现掺入Na~+、K~+后基质结构没有明显的改变,Li~+的掺入导致了一个小杂峰的出现。     

LaF_3∶Eu纳米管阵列可控制备及荧光性能

在多孔氧化铝模板中,采用负压抽滤法制备了LaF3∶Eu纳米管阵列。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、选区电子衍射和能量色散谱对LaF3∶Eu纳米管的晶相结构、形貌、元素组成进行了表征。研究了Eu3+掺杂量对LaF3∶Eu纳米管荧光性能的影响。结果表明:制备LaF3∶Eu纳米管为非晶态结构,其形貌可控,且纳米管直径均一,直径约为100nm。LaF3∶Eu纳米管中La、F和Eu元素的摩尔比为23.42∶72.94∶3.64。荧光光谱表明,当Eu3+掺杂量为6%(摩尔分数)时,LaF3∶Eu纳米管阵列荧光强度最强。     

碱金属对ZnMoO4:Eu3+红色荧光粉发光性能的影响

以(NH4)6Mo7O24·4H2O、Zn(CH3COO)2·2H2O、Eu(NO3)3·6HO2、LiNO3、NaNO3、KNO3为原料,采用高温固相法合成了ZnMoO4:Eu3+和ZnMoO4:Eu3+,M+(M+=Li+、Na+、K+)红色荧光粉,用X射线衍射、光致发光光谱和荧光衰减曲线,对荧光粉的结构和发光性能...     

均相共沉淀法制备纳米ZnO:(Eu,Li)红色荧光粉的光致发光

以Zn(NO3)2·2H2O,Co(NH2)2,Eu(NO3)2·6H2O和LiNO3·2H2O为原料,采用均相共沉淀法制备了Eu,Li共掺的纳米ZnO:(Eu,Li)荧光粉.用扫描电镜、X射线衍射、热重-差示扫描量热分析等表征了样品的结构、形貌.研究了Eu与Li的摩尔比和煅烧温度对样品的发光性能的影响.结果表明:合成的ZnO:(Eu,Li)粉体具有六方纤锌矿结构的ZnO晶型,粒度分布均匀,粒径尺寸为20～40 nm.当Eu与Li的摩尔比为3:1时,700℃下煅烧2h的样品发光强度最高.在发射光谱中样品的发射峰位于570～620nm,其发射主峰位于61nm处,对应于Eu的5D0→7F2跃迁.     

白光发光二极管用LiBaBO3:Eu3+材料的发光特性

采用固相法制备了LiBaBO3:Eu3+材料,并研究它的发光特性。LiBaBO3:Eu3+材料的主发射峰位于594、613、651nm和686nm,分别对应Eu3+的5D0→7F1、5D0→7F2、5D0→7F3和5D0→7F4跃迁;监测613nm发射峰,对应的激发光谱主峰为260、329、368、400nm和470nm。研究了Eu3+含量对LiBaBO3:Eu3+材料发射强度的影响,结果表明:随Eu3+含量的增大,发射强度先增大后减小,Eu3+摩尔分数为3%时,发射强度最大,依据Dexter理论知浓度猝灭机理为偶极-偶极相互作用。掺入电荷补偿剂Li+、Na+和K+均提高了LiBaBO3:Eu3+材料的发射强度。     

Gd2O3:Eu荧光粉体的制备及其发光特性

分别采用溶胶-凝胶/燃烧合成结合法和共沉淀法合成了Gd2O3:Eu粉体,借助X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、分光光度计等分析手段,对比研究了两种工艺制备Gd2O3:Eu荧光粉体的物相组成、形貌及荧光特性.结果表明:共沉淀法合成的Gd2O3:Eu为立方相;溶胶-凝胶/燃烧合成法制备的Gd2O3:Eu为单斜相.溶胶-凝胶/燃烧合成法制备的Gd2O2:Eu粉体蓬松、多孔,但存在一定程度的团聚.共沉淀法制备的立方相Gd2O3:Eu粉体在610 nm处呈现Eu2 的特征荧光;溶胶-凝胶/燃烧合成法制备的单斜相Gd2O3:Eu的发射波长产生红移,其中最强的2个发射峰起源于Eu3 的5D0→7F2跃迁,分别位于612 nm和621 nm.两种工艺制备Gd2O3:Eu粉体荧光特性的差异是由Eu3 在这两种粉体中所处晶格结构的对称性差异引起的.     

共掺ZnO提高LiNbO3晶体中Ho3+分凝系数的研究

在Ｈｏ：ＬｉＮｂＯ３中掺入摩尔分数为６％和ＺｎＯ,生长（Ｈｏ,ＺｎＯ）：ＬｉＮｂＯ３晶体。用电感硝等离子体发射光谱（ＩＣＰ－ＡＥＳ）法,测定了晶体不同部位Ｈｏ＾３＋的浓度,并计算其分凝系数,共掺ＺｎＯ后,晶体中Ｈｏ＾３＋的分凝系数为０．３提高到０．６,表明Ｈｏ＾３＋在晶体中分布更为均匀。对双掺Ｈｏ和Ｚｎ的ＬｉＮｂＯ３晶体组分均匀性提高的机理进行了探讨。     

合成制度对白光LED用硅酸盐Sr_2SiO_4:Eu荧光粉发光性能的影响

采用高温固相法合成用于白光发光二极管(light-emitting diode,LED)发光的Sr2SiO4:Eu荧光粉,测量Eu2+掺杂0.0035mol时样品的激发与发射光谱,研究荧光粉在不同合成温度、不同保温时间的荧光光谱及在不同激发波长激发的发光性能。用X射线衍射和扫描电镜比较分析荧光粉在不同合成温度的物相和形貌,确定还原气氛中Sr2SiO4:0.0035Eu荧光粉的最佳合成温度为1250℃和保温时间为3h时,可得到发光性能较好的斜方晶系、α′相Sr2SiO4:Eu。     

一类新型分子内电荷转移荧光体—苯甲酰苯胺衍生物

评述了苯甲酰苯胺及其衍生物的发光行为和电荷转移/质子转移光物理模型的研究进展，并展望了该类新型分子内电荷转移荧光体在化学及生物分子识别与传感中的潜在应用前景。     

白光LED灯用蓝色荧光粉的发光性能和结构

按2(Sr0.99,Eu2 0.01)O-0.16B2O3-0.84P2O5配料以固相法合成蓝色荧光粉.该荧光粉在还原性气氛中,分别在1 100,1 150,1 200℃和1 250℃下进行焙烧.对不同温度下制成的样品进行X射线衍射分析,确定样品的晶体结构及晶相组成.通过测定样品的激发光谱和发射光谱,研究了焙烧温度对荧光粉结构的影响.结果表明:在1200℃下合成的荧光粉Sr6BP5O20为单一相,属四方晶系,P4/mmm空间群,晶胞参数分别为α=0 9794nm;c=0.951 6 nm,对应发射谱中478nm的发射峰;在低于1 200℃下合成的荧光粉中含有α-Sr3(PO4)2和α-Sr2P2O7 2个晶相,对应发射谱中420nm的发射峰.     

ZnO引发剂对铝合金直接熔融氧化生长的影响

通过热重分析实验，研究了在高温空气气氛中覆盖在Al—Zn—Si合金表面的ZnO引发剂对铝合金直接氧化生长过程的作用。实验结果表明：ZnO能显著缩短A1—Zn—Si合金熔体直接氧化所需的孕育期及Al2O3／Al复合材料的生长时间。同时发现：ZnO有助于Al2O3／Al复合材料以光滑的方式进行氧化生长，形成细化胞状晶团，提高组织结构的均匀度和材料的致密度。促进Al2O3／Al复合材料生长的ZnO覆盖最佳量为7mg／cm^2。