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相似文献
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1.
Mg:Mn:Fe:LiNbO3晶体永久性全息存储研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
在Mn:Fe:LiNbO3中掺进6%MgO(康尔分数)采用Czochralski技术生长Mg:Mn:Fe:LiNbO3晶体。晶体在Li2CO3粉末中经500℃下24h的还原处理和在Nb2O3粉末中经1100℃下10h的氧化处理。晶体的测试结果表明,Mg:Mn:Fe:LiNbO3晶体的抗光散射能力比Mn:Fe:LiNbO3晶体提高1个数量级以上。采用He—Ne激光作为记录光,紫外光作选通光,用双光子法测试Mg:Mn:Fe:LiNbO3晶体二波耦合衍射效率。双光子稳态衍射效率为ηo=52%,固定衍射效率为ηG=29%,记录时间为40min,记录速度比Mn:Fe:LiNbO3晶体提高3倍。对记录光、选通光的作用和三掺杂Mg:Mn:Fe:LiNbO3晶体双光子全息存储的机理进行研究。  相似文献   

2.
在Mn∶Fe∶LiNbO3中掺进6%MgO(摩尔分数)采用Czochralski技术生长Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体.晶体在Li2CO3粉末中经500 ℃下24 h的还原处理和在Nb2O3粉末中经1 100 ℃下10 h的氧化处理.晶体的测试结果表明,Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体的抗光散射能力比Mn∶Fe∶LiNbO3晶体提高1个数量级以上.采用He-Ne激光作为记录光, 紫外光作选通光, 用双光子法测试Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体二波耦合衍射效率.双光子稳态衍射效率为η0=52%, 固定衍射效率为ηG=29%, 记录时间为40 min, 记录速度比Mn∶Fe∶LiNbO3晶体提高3倍.对记录光、选通光的作用和三掺杂Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体双光子全息存储的机理进行研究.  相似文献   

3.
以双中心模型为基础,研究了连续光条件下近化学计量比LiNbO3:Fe和LiNbO3:Fe:Mn晶体在稳态情况下的非挥发全息存储性能。考虑在深、浅能级中心间所有可能的电子交换过程,从理论上证实在低光强范围内LiNbO3:Fe晶体比LiNbO3:Fe:Mn晶体有着更高的动态范围。  相似文献   

4.
郑威  桂强  徐玉恒  雷清泉 《硅酸盐学报》2007,35(8):1013-1016
在同成分铌酸锂晶体中掺入0.03?2O3和0.1%MnO2(质量分数),分别掺入0,1%,3%,4.5%,6%的MgO(摩尔分数),用提拉法生长了一系列Mg:Mn:Fe:LiNbO3晶体.检测了Mg:Mn:Fe:LiNbO3晶体的红外光谱和抗光损伤能力.掺0,1%,3%,4.5%Mg的Mg:Mn:Fe:LiNbO3晶体的OH-红外振动峰位于3484cm-1,而掺6%Mg的Mg:Mn:Fe:LiNbO3晶体红外振动峰移到3 535gm-1.采用波长为632nm的He-Ne激光器作为光源,通过二波耦合方法测试晶体的全息存储性能.结果表明:Mg:Mn:Fe:LiNbO3晶体的写入时间和动态范围随掺镁量的增加而显著减小,而光折变灵敏度略有上升,抗光损伤性能增强,其中掺镁量为3%Mg:Mn:Fe:LiNbO3晶体更适合作为全息存储介质.  相似文献   

5.
采用Czochralski技术生长了掺In摩尔分数分别为1%,2%和3%的In∶Fe∶LiNbO3晶体.测试In∶Fe∶LiNbO3晶体的红外光谱发现3%In∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-吸收峰由Fe∶LiNbO3晶体的3 484 cm-1位移到3 507 cm-1.首次以全息法研究了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度.研究表明晶体波导基片的光折变灵敏度大小顺序为Fe∶LiNbO3>1%In∶Fe∶LiNbO3>2%In∶Fe∶LiNbO3>3%In∶Fe∶LiNbO3.采用锂空位模型讨论了3%In∶Fe∶LiNbO3晶体OH-吸收峰位移的机理.讨论了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度减弱和抗光折变能力增强的机理.  相似文献   

6.
In:Mn:Fe:LiNbO3晶体非挥发性全息存储   总被引:1,自引:0,他引:1  
王锐  周楠  杨春晖  徐玉恒 《硅酸盐学报》2005,33(11):1330-1333
在Mn:Fe:LiNbO3(Mn:Fe:LN)中掺进不同摩尔分数In2O3,用提拉法生长In:Mn:Fe:LN晶体。测试了晶体的红外光谱,发现:3%In:Mn:Fe:LN晶体OH吸收峰位置移到3506 cm^-1。用光斑畸变法测试晶体抗光致散射能力表明:In:Mn:Fe:LN晶体抗光致散射能力比Mn:Fe:LN晶体提高1~2个数量级。探讨了In:Mn:Fe:LN晶体OH吸收峰移动和抗光致散射能力增强的机理。以He—Ne激光作记录光,高压汞灯紫外光作开关光.In:Mn:Fe:LN晶体中Mn:Fe:LN和1%In:Mn:Fe:LN晶体作为存储介质实现非挥发性存储。射效率。研究了In:Mn:Fe:LN晶体的双光子全息存储机理。一种杂质Fe充当较浅能级,另一种杂质Mn充当较深能级,以用双光子固定法测量了In:Mn:Fe:LN晶体的二波耦合衍射效率。研究了In:Mn:Fe:LN晶体的双光子全息存储机理。  相似文献   

7.
在Mn∶Fe∶LiNbO3中掺进 6%MgO(摩尔分数 )采用Czochralski技术生长Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体。晶体在Li2 CO3粉末中经 5 0 0℃下2 4h的还原处理和在Nb2 O3粉末中经 110 0℃下 10h的氧化处理。晶体的测试结果表明 ,Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体的抗光散射能力比Mn∶Fe∶LiNbO3晶体提高 1个数量级以上。采用He-Ne激光作为记录光 ,紫外光作选通光 ,用双光子法测试Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体二波耦合衍射效率。双光子稳态衍射效率为 η0 =5 2 % ,固定衍射效率为 ηG=2 9% ,记录时间为 40min ,记录速度比Mn∶Fe∶LiNbO3晶体提高 3倍。对记录光、选通光的作用和三掺杂Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体双光子全息存储的机理进行研究  相似文献   

8.
在同成分LiNbO3中,掺入摩尔分数为0~3%的MgO,0.09%RuO2和0.03%Fe2O3,采用提拉法生长Mg:Ru:Fe:LiNbO3晶体。以Kr+激光器(476 nm)和He-Ne激光器(633 nm)作光源测试Mg:Ru:Fe:LiNbO3晶体的光激载流子类型和光折变全息存储性能。结果表明:在蓝光(476 ...  相似文献   

9.
贾宝申  赵业权  申岩  何焰蓝 《硅酸盐学报》2007,35(11):1535-1537
采用助熔剂提拉法,从掺入0.1%(摩尔分数)Fe2O3,0.2% MnO和11.2% K2CO3的同成分LiNbO3熔体中生长出高质量近化学计量比Mn:Fe:LiNbO3晶体.采用提拉法生长了相同掺杂的同成分晶体.与同成分晶体相比较,近化学计量比晶体的紫外吸收发生紫移,红外吸收变窄.利用二波耦合光路测试了晶体的衍射效率、增益系数和响应时间.结果显示:近化学计量比晶体的增益系数和衍射效率分别达到25 cm-1和68.3%,响应时间为亚秒级.  相似文献   

10.
采用提拉法生长了不同Sc掺杂的Sc:Mn:Fe:LiNbO3晶体,通过紫外-可见光谱测试分析了Sc:Mn:Fe:LiNbO3晶体的缺陷结构,利用光斑畸变法表征了其抗光损伤能力.结果表明:当Sc2O3的浓度超过阈值浓度(1.5%,摩尔分数)时,Sc:Mn:Fe:LiNbO3晶体的抗光损伤能力远远高于未达到阈值浓度的晶体,其紫外-可见光谱将发生红移;当Sc2O3的浓度未达到阈值浓度时,随着Sc掺量的增加,Sc:Mn:Fe:LiNbO3晶体的紫外-可见光谱将发生紫移.  相似文献   

11.
采用Czochralski技术生长了掺In摩尔分数分别为1%,2%和3%的In∶Fe∶LiNbO3晶体.测试In∶Fe∶LiNbO3晶体的红外光谱发现:3%In∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-吸收峰由Fe∶LiNbO3晶体的3 484 cm-1位移到3 507 cm-1.首次以全息法研究了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度.研究表明:晶体波导基片的光折变灵敏度大小顺序为Fe∶LiNbO3>1%In∶Fe∶LiNbO3>2%In∶Fe∶LiNbO3>3%In∶Fe∶LiNbO3.采用锂空位模型讨论了3%In∶Fe∶LiNbO3晶体OH-吸收峰位移的机理.讨论了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度减弱和抗光折变能力增强的机理.  相似文献   

12.
在生长LiNbO3溶体中掺入2%(摩尔分数)HfO2和0.05%(质量分数)Fe2O3,采用提拉法技术生长2%Hf0.05?:LiNbO3晶体.对晶体进行极化后切割成片,再进行氧化和还原处理.进行了HfFe:LiNbO3晶体全息图像热固定实验,加热温度为120℃,加热时间为40 min,经过显影,在热定影实验中获得200h的无损读出结果.以Hf:Fe:LiNbO3晶体作为存储介质,进行热固定衰减时间、存储寿命τ0测试.结果表明:Hf:Fe:LiNbO3晶体中Fe离子激活能Ea=1.125 eV;τ0=6.1×109s;20℃下衰减时间为115年,比Fe:LiNbO3的衰减时间(5.2年)长20倍.  相似文献   

13.
在LiNbO3中掺进CeO2 ,MnCO3生长Ce∶LiNbO3和Ce∶Mn∶LiNbO3晶体 ,晶体被极化和还原处理。X射线衍射仪测试晶体的晶格常数 ,采用UV -Spectrophotometer测试晶体的吸收光谱。讨论了掺杂离子对晶格常数的影响、掺杂离子在晶体中的占位及使LiNbO3晶体吸收边发生红移的机理。利用二波耦合实验测试了晶体的指数增益系数、衍射效率和响应时间 ,结果表明 :Ce∶Mn∶LiNbO3晶体的最大指数增益系数达到 2 2cm- 1 ,Ce∶LiNbO3晶体的最大指数增益系数为 17cm- 1 ;Ce∶Mn∶LiNbO3和Ce∶LiNbO3晶体的有效载流子浓度分别为 0 .4× 10 1 5cm- 3和 0 .2× 10 1 5cm- 3;最大衍射效率分别为 85 %和 72 % ;Ce∶LiNbO3和Ce∶Mn∶LiNbO3晶体的二波耦合响应时间分别为 3min和 3.5min。与Ce∶LiNbO3晶体相比 ,Ce∶Mn∶LiNbO3是性能更为优良的光折变晶体  相似文献   

14.
Ce:Fe:LiNbO3晶体的生长及光折变性能   总被引:1,自引:1,他引:0  
徐朝鹏 《硅酸盐学报》2007,35(6):765-769
在氧化锂(Li2O)摩尔分数(下同)为48.6%~58%的LiNbO3中掺入0.1%的氧化铈(CeO2)和质量分数为0.03%的氧化铁(Fe2O3),用提拉法技术生长出高光学质量的具有不同摩尔比n(Li)/n(Nb)的Ce:Fe:LiNbO3晶体.通过紫外-可见光谱和红外光谱测试了晶体样品的组成和缺陷结构.通过二波耦合实验系统研究了Ce:Fe:LiNbO3晶体样品的光折变性能.结果表明:晶体样品随n(Li)/n(Nb)比增加,样品的衍射效率降低,动态范围降低,但是,全息响应速率和光折变灵敏度提高.  相似文献   

15.
In:Fe:LiNbO3晶体的生长及其在全息关联存储中的应用   总被引:3,自引:3,他引:0  
用提拉法生长1%(摩尔分数,下同)In :Fe :LiNbO3(LN),2%In :Fe :LN,3%In :Fe :LN和Fe :LN晶体,配料中掺入0.03%(质量分数)Fe2O3。采用光斑畸变法测试晶体的光损伤阈值。结果表明:1%In :Fe :LN和2%In :Fe :LN晶体的光损伤阈值比Fe :LN晶体高1个数量级以上。3%In :Fe :LN晶体的光折变阈值比Fe :LN晶体高2个数量级以上。晶体的位相共轭效应测试结果表明,1%In :Fe :LN晶体的位相共轭反射率(R1=185%)高于3%In :Fe :LN晶体(R3=120%)。以3%In :Fe :LN晶体作为存储元件,1%In :Fe :LN晶体作为位相共轭镜.进行全息关联存储实验.其再现图像清晰完整,噪音小。  相似文献   

16.
近化学计量比Cu:Fe:LiNbO3晶体的生长及蓝光优化光折变性能   总被引:1,自引:1,他引:0  
以K2O为助溶剂在LiNbO3中掺入0.15%(质量分数,下同)CuO,0.03%和0.05%Fe~03,用顶部籽晶溶液生长法生长近化学计量比Cu:Fe:LiNbO3晶体.以Ar+激光器的488nm激光为光源测试Cu:Fe:LiNbO3晶体的光激载流子类型,采用二波耦合光路测试了晶体的光折变存储性能,并与633nm红光...  相似文献   

17.
徐超  王锐  杨春晖  孙亮 《硅酸盐学报》2008,36(5):668-671
同成分LiNbO3(LN)溶体中掺进摩尔分数为2%的ZrO2和质量分数为0.03%的Fe2O3,从不同Li/Nb摩尔比(0.94,1.05,1.20,1.38,0.85)熔体中用提拉法生长了系列Zr:Fe:LN晶体.测量了晶体的红外光谱、抗光损伤能力、指数增益系数和全息存储性能.结果表明:不同Li/Nb摩尔比的Zr:Fe:LN晶体红外光谱OH-吸收峰出现了3475,3478cm-1和3486cm-1 3个新峰.晶体的光折变性能都有不同程度的提高.近化学计量比Zr:Fe:LN晶体(Li/Nb的摩尔比为1.38)的抗光损伤能力比Fe:LN晶体提高2个数量级以上.指数增益系数是Fe:LN晶体的2倍,写入速度比Fe:LN晶体提高1个数量级,光折变灵敏敏度和动态范围皆提高4倍以上.近化学计量比Zr:Fe:LN晶体是优良的光折变和全息存储晶体材料.  相似文献   

18.
在Mn∶Fe∶LiNbO3(Mn∶Fe∶LN)中掺进不同摩尔分数In2O3,用提拉法生长In∶Mn∶Fe∶LN晶体。测试了晶体的红外光谱,发现:3%In∶Mn∶Fe∶LN晶体OH-吸收峰位置移到3 506 cm-1。用光斑畸变法测试晶体抗光致散射能力表明:In∶Mn∶Fe∶LN晶体抗光致散射能力比Mn∶Fe∶LN晶体提高1~2个数量级。探讨了In∶Mn∶Fe∶LN晶体OH-吸收峰移动和抗光致散射能力增强的机理。以He Ne激光作记录光,高压汞灯紫外光作开关光,In∶Mn∶Fe∶LN晶体中一种杂质Fe充当较浅能级,另一种杂质Mn充当较深能级,以Mn∶Fe∶LN和1%In∶Mn∶Fe∶LN晶体作为存储介质实现非挥发性存储。用双光子固定法测量了In∶Mn∶Fe∶LN晶体的二波耦合衍射效率。研究了In∶Mn∶Fe∶LN晶体的双光子全息存储机理。  相似文献   

19.
Mg:Ce:Fe:LiNbO3晶体生长及其全息存储性能   总被引:1,自引:2,他引:1  
在同成分LiNbO3(LN)中,掺入MgO的摩尔分数分别为0,2%,4%,6%,掺入(质量分数)0.1?O2和0.08?2O3,采用提拉法生长了优质的Mg:Ce:Fe:LN晶体.检测了Mg:Ce:Fe:LN晶体的红外透射光谱和光损伤阈值.结果表明:6%Mg:0.1?:0.08?:LN晶体的OH-振动吸收峰紫移到3 532cm-1,其光损伤阈值比Ce:Fe:LN晶体提高2个数量级以上.用二波耦合光路测试晶体的衍射效率,写入时间和擦除时间.计算了光折变灵敏度和动态范围.结果表明:Mg:Ce:Fe:LN晶体全息存储性能优于Fe:LN晶体和Ce:Fe:LN晶体.以4%Mg:0.1?:0.08?:LN晶体作为全息记录材料,实现了总存储页面为3 200幅图像的存储,再现图像清晰完整.  相似文献   

20.
原料采用固液同成分配比,在LiNbO3(LN)晶体中掺入质量分数为0.1%CeO2和0.015%MnCO3,摩尔分数分别为0,1%,2%和3%的In,用提拉法生长In:Ce :Mn :LN晶体。测试了In :Ce :Mn :LN晶体的红外透射光谱和抗光损伤能力。结果表明:3%In :Ce :Mn :LN晶体的OH振动吸收峰紫移到3508cm^-1位置;其抗光损伤能力比Ce :Mn :LiNgO3晶体提高2个数量级以上。利用二波耦合光路测试晶体的写入时间(τw)、擦除时间(τc)和衍射效率(η),计算晶体的动态范围(M^#),研究In^3+掺量对Ce :Mn :LN晶体光折变性能的影响。结果表明:In :Ce :Mn :LN晶体是比Ce :Mn :LN晶体综合性能更好的全息存储材料。  相似文献   

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