用于OLED显示驱动芯片的双端口SRAM设计

详细描述了一种集成在OLED显示驱动芯片中的双端口SRAM设计。从电路和版图两方面对SRAM的核心部分进行了详细描述，并且设计了一种用于灰度OLED显示驱动芯片的132×64×6bit的双端口SRAM。基于0．35μmCMOS工艺进行了芯片流片及测试，得到了正确的测试结果并已成功应用于一款OLED显示驱动芯片中。     

用于0LED显示驱动芯片的双端口SRAM设计

详细描述了一种集成在OLED显示驱动芯片中的双端口SRAM设计.从电路和版图两方面对SRAM的核心部分进行了详细描述,并且设计了一种用于灰度0LED显示驱动芯片的132×64×6 bit的双端口SRAM.基于0.35μm CMOS工艺进行了芯片流片及测试,得到了正确的测试结果并已成功应用于一款OLED显示驱动芯片中.     

AM-OLED显示驱动芯片中内置SRAM的设计

详细描述了一种内置于AM-OLED显示驱动芯片中的单端口SRAM电路的设计方法,提出了一种解决SRAM访问时序冲突问题的仲裁算法。同时给出了基于0.18μm标准CMOS工艺设计的一款大小为320×240×18位的SRAM电路。通过Hspice仿真结果表明,该结构的动态功耗相对于传统结构可减小22.8%。     

TFT-LCD驱动控制芯片内置SRAM读取电路设计

针对TFT-LCD驱动控制芯片内置图形SRAM中具有数千位数据吞吐能力的显示驱动端口操作时引入的电压"风暴"问题和强烈寄生效应导致的TCON读出端口读数速度下降问题,提出分时分次的读出方案和灵敏放大器分段放大技术,并完成了电路和版图设计.电路后仿真结果表明,最大读出操作周期为13 ns,峰值电流小于400 mA,整个SRAM电路性能达到设计指标要求.设计结果已成功应用于自主研发的TFT-LCD驱动控制芯片-"龙腾T2"中.     

一种双存取SRAM接口电路设计

存储器对DSP的性能影响很大,双存取SRAM能以单端口SRAM的面积实现类似双端口SRAM的功能。提出一种实现存储器单周期双存取功能的驱动电路的设计,根据访存时序改进了DSP总线结构和双存取SRAM的接口控制单元。仿真结果表明,双存取SRAM驱动电路与DSP总线能够实现有效的连接和高效的访存性能。     

一种96×64彩色OLED显示驱动电路的设计

OLED是一种新型平板显示器件,文章设计了一种应用于96×64彩色PM-OLED的显示驱动芯片。该芯片能实现256级对比度调节和65k色彩显示。芯片为高压、大电流的数模混合电路,内部包括数字控制电路,片内SRAM,片内振荡器,DC-DC升压电路,行驱动电路,高压基准电流源电路,以及电流精确可调的列驱动电路。该芯片是一种电流驱动型电路,列驱动电路采用PAM方式实现灰度调制,以及大电流预充的方式对PM-OLED屏幕像素进行预充。全芯片已通过Nanosim仿真,并进行了部分测试。仿真和测试结果验证了设计的正确性。     

手机用TFT-LCD驱动芯片内置SRAM的研究与设计

内置单端口SRAM是单片集成的TFT-LCD驱动控制电路芯片中的重要模块,主要功能是存储CPU送来的一帧画面的显示图像数据以及输出数据到显示单元,其主要性能指标是存储速度和消耗功率。文章讨论了内置SRAM的分块存储结构,阐述了SRAM存储单元的设计方法。在预充电路的设计中采用了分块预充机制,既节省了功耗又保证了预充时间,同时提出了预充时位线电荷再利用设计方案,使得预充电功耗降低了1/2左右。采用0.25μmCMOS工艺设计并实现了TFT-LCD驱动控制电路芯片中的SRAM模块,其容量为418kbits。NanoSim仿真结果表明,SRAM存储单元的读写时间小于8ns,当访存时钟频率为3.8MHz时,静态功耗为0.9mW,动态功耗小于3mW。     

高灰度级彩色OLED驱动电路的研究

介绍了OLED显示技术及相关市场信息，讨论了当前OLED的驱动技术、芯片和存在的问题，提出OLED高灰度级扫描实现方法和驱动芯片的设计，并进行了系统测试与验证。     

一种改进的嵌入式SRAM内建自测试设计

对单端口SRAM常用的13N测试算法进行修改和扩展,提出了一种适用于双端口SRAM的测试算法。该测试算法的复杂度为O(n),具有很好的实用性。作为一个实际应用,通过将该算法和13N测试算法实现于测试算法控制单元,完成了对片内多块单端口SRAM和双端口SRAM的自测试设计。     

单片机控制OLED显示全彩色静态图片和动态图像的系统设计

根据有机发光二极管器件(OLED)的特性,利用单片机C8051F020和驱动芯片SSD1332,设计OLED的控制显示电路。从组成框图、硬件设计以及软件流程等几方面介绍了该OLED的驱动电路,给出了硬件接口电路图。利用该电路系统可以实现全彩色静态图片和动态图像显示,通过软件方式实现了产生动画和动画显示。在静态图片显示中,显示频率可以达到26.3Hz;在动态图像显示中,显示频率可以达到14.5Hz。利用单片机控制OLED的显示,可大大降低OLED彩色显示的成本,优化了OLED显示器件的驱动电路。     

TFT-LCD驱动控制芯片内置SRAM的自测试设计

针对单片集成TFT-LCD驱动控制芯片内置SRAM的特点,提出了一种将内建自测试与机台测试相结合的SRAM测试方案.测试向量由机台提供,测试过程中启动内部自测试电路.在SRAM的读出寄存器和写入寄存器之间建立一条通路,测试向量通过这条通路在SRAM单元之间传递,形成了一个长的移位链,读出数据送给比较器检测.与传统自测试结构相比,该方案面积开销小,灵活性高.     

An Organic FET SRAM With Back Gate to Increase Static Noise Margin and Its Application to Braille Sheet Display

An integrated system of organic FETs (OFETs) and plastic actuators is proposed, and it is applied to a Braille sheet display. Some circuit technologies are presented to enhance the speed and the lifetime for the Braille sheet display. An OFET SRAM is developed to hide the slow transition of the actuators. Developed five-transistor SRAM cell reduces the number of the bit lines by one-half and reduces the SRAM cell area by 20%. Pipelining the write-operation reduced the SRAM write-time by 69%. Threshold voltage control technology using a back gate increased the static noise margin of SRAM and compensated for the chemical degradation of the OFETs after 15 days. The oscillation frequency tuning range from -82% to +13% in a five-stage ring oscillator is also demonstrated with the threshold voltage control technology. The overdrive techniques for the driver OFETs reduced the transition time of the actuator from 34 s to 2 s. These developed circuit technologies achieved the practical 1.75-s operation to change all 144 Braille dots on Braille sheet display and will be essential for the future large area electronics made with OFETs     

用于LCD测试系统的程控驱动器设计

为了制作一款用于LCD测试系统的程控驱动器,采用基于嵌入式系统ARM7实现程序控制,内建DC/DC升压电路和DC/AC转换电路,以提供直流电源和产生驱动脉冲信号,电源内建/外接可选,其信号输出端按一定时序产生特定的连续脉冲, 供给LCD 屏的行列电极作驱动源, 从而使被选行与被选列交叉位置上的液晶像素或笔段在电场作用下呈现显示状态（遮光或透光） 。该系统输出的工作电压峰值、频率、占空比均可调,是一款低功耗、低输出阻抗的LCD程控驱动器。     

Design of an organic pixel addressing circuit for an active-matrix OLED display

In this paper, we present a design of a flat-panel display (FPD) based on organic light-emitting diodes (OLEDs) and on organic thin-film transistors (OTFTs). Addressing mode, circuit topology, layout, and drive scheme are developed in order to reach the desired frame rate and to control the gray levels against the threshold voltage dispersions of OTFTs and OLEDs. The design shows that the current OLED and OTFT technology are suitable for FPD technology, though setting serious constraints on driver design.     

A 4.0 GHz 291 Mb Voltage-Scalable SRAM Design in a 32 nm High-k + Metal-Gate CMOS Technology With Integrated Power Management

This paper introduces a high-performance voltage-scalable SRAM design in a 32 nm strain-enhanced high-k + metal-gate logic CMOS technology. The 291 Mb SRAM design features a 0.171 ?m² six-transistor bitcell that supports a broad range of operating voltages for low-power and high-frequency embedded applications. The tileable 128 kb SRAM subarray achieves 72% array efficiency with 4.2 Mb/mm² bit density, and consumes 5 mW of leakage power at the supply voltage of 1 V. The design provides 4 GHz and 2 GHz of operating frequencies at the supply voltages of 1.0 V and 0.8 V, respectively. The integrated power management scheme features close-loop memory array leakage control, floating bitline, and wordline driver sleep transistor, resulting in a 58% reduction in subarray leakage power consumption.     

集成LCoS芯片内的可编程多通道参考电压产生器

在LCoS显示芯片内集成参考电压产生器有很多优点,能产生更精确的参考电压、LCOS屏接口的外围引线更少、芯片系统的整体功耗更低、可靠性更高等.提出了集成LCOS芯片内的可编程多通道参考电压产生器的设计,分析了 LCoS 显示系统中参考电压的作用,给出了部分电路的原理图、版图以及电路低功耗的实现方法.整个电路系统有I2C接口电路、多通道寄存器、控制电路、多通道 DAC 以及多通道缓冲器组成.重点介绍了参考电压产生器中多通道 DAC 和多通道缓冲器的设计,并且用EDA设计工具完成了对部分电路原理图的设计和仿真.最后用SMIC CMOS工艺完成了电路版图的设计以及后续的ERC、DRC和LVS检测和验证.最后结果显示此电路系统能够完全满足 LCoS 显示的要求.     

一类无源OLED显示模块在嵌入式系统中的应用

介绍了OLED显示模块的特点及其在ARM核处理器S3C4510B和uClinux嵌入式操作系统下的应用。给出了系统的硬件电路设计。根据OLED模块指令集特点，在uClinux下采用对OLED模块编写用户空间设备驱动程序的方法。实现了终端对OLED的控制。实验表明，采用用户空间驱动程序可以减小操作系统开销、提高系统对外设的响应速度。     

基于嵌入式Linux内核驱动的电气控制系统

在物联网环境下进行电气控制系统优化设计,提高电气自动化控制的品质和稳健性.提出一种基于嵌入式Linux内核驱动的电气控制系统设计方法,实现了水声智能传感电机的电气控制.首先进行了物联网环境下的水声智能传感电机系统的电气控制算法设计,通过基线漂移抑制,得到水声智能传感电机的电气控制内环模型参量整定模型.系统的硬件设计包括A/D采样电路、信号滤波电路、时钟控制电路、程序加载电路、接口电路等.采用嵌入式Linux内核驱动实现程序加载,实现系统的软件优化设计.仿真结果表明,该控制系统具有较好的输出匹配性能,鲁棒性较好,控制品质较高.     

抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器

介绍在部分耗尽绝缘体上硅(PD SOI)衬底上形成的抗辐射128kb静态随机存储器.在设计过程中,利用SOI器件所具有的特性,对电路进行精心的设计和层次化版图绘制,通过对关键路径和版图后全芯片的仿真,使得芯片一次流片成功.基于部分耗尽SOI材料本身所具有的抗辐射特性,通过采用存储单元完全体接触技术和H型栅晶体管技术,不仅降低了芯片的功耗,而且提高了芯片的总体抗辐射水平.经过测试,芯片的动态工作电流典型值为20mA@10MHz,抗总剂量率水平达到500krad(Si),瞬态剂量率水平超过2.45×1011 rad(Si)/s.这些设计实践必将进一步推动PD SOI CMOS工艺的研发,并为更大规模抗辐射电路的加固设计提供更多经验.     

90-nm process-variation adaptive embedded SRAM modules with power-line-floating write technique

The power consumption of a low-power system-on-a-chip (SoC) has a large impact on the battery life of mobile appliances. General SoCs have large on-chip SRAMs, which consume a large proportion of the whole LSI power. To achieve a low-power SoC, we have developed embedded SRAM modules, which use some low-power SRAM techniques. One technique involves expanding the write margin; another is a power-line-floating write technique, which enables low-voltage write operation. The power-line-floating write technique makes it possible to lower the minimum operating supply voltage by 100 mV. The other techniques involve using a process-variation-adaptive write replica circuit and reducing leakage current. These techniques reduce active power during write operations by 18% and reduce active leakage of the word-line driver by 64%. The prototype SRAM modules achieve 0.8-V operation, and a 512-kb SRAM module achieves 48.4-/spl mu/A active leakage and 7.8-/spl mu/A standby leakage with worst-leakage devices.