TEOS—O3常压CVD膜形成技术

一、前言随着器件的高集成化，绝缘膜平坦化便成了更为重要的课题。因此，人们正广泛讨论替代原来SiH4－O2常压CVD法的TEOS－O3常压CVD法。其主要原因是TEOS－O3常压CVD膜具有极其良好的台阶覆盖性。尽管如此，TEOS－O3常压CVD膜在特性上尚有诸多探讨之处。本文就TEOS－O3常压CVD股特性，以我们所掌握的数据资料为基础加以论述。二、关于NSG膜NSG膜具有自平坦性。这一点是TEOS－O3常压CVD成膜技术的最大特点。为此，用简单的工艺便可获得平坦的绝缘膜。同时，它是代表今后CVD工艺方向的新技术。1．含杂质问题采用TE…     

TEOS—O3系常压CVD技术

一、前言目前，LSI随着器件结构的微细化，运用多层布线技术的器件结构的多层化得到进一步发展。由于这种器件结构复杂，对用绝缘收掩埋在圆片上所形成的高纵横尺寸比台阶这一平坦化技术的要求也就越来越严。近年来，作为解决这一问题的最有效伯措施则是采用TEOS[四乙氛基硅炼Si（OC2H5）4]的CVD技术采取代以往采用的硅院（SiH4）．特别引人注目的是，TEOS和嗅氧（O3）采用常压CVD法而形成的氧化股，具有良好的台阶复盖性。此外，用这种方法所形成的BPSG膜与硅烷系相比，台阶复盖性也优越，所以成为人们研讨的热门课题。本文介…     

TEOS—O3常压CVD膜形成中的GeO2添加效果

一，TEOS／O3常压CVD技术利用TEOS[tetraethylorthosilicate（四乙氧基硅烷）]与O3在常压下化学反应的低温SiO2膜形成技术，它在具有优越的台阶覆盖、低颗粒度、自平坦化特性等方面业已显露头角，在VLSI器件领域内已达到了广泛实用化程度．在该方法中，由于TEOS，以及O3在形成气相中的中间体（聚合物）上起着重要作用，对掩埋特性的提高有一定贡献，对于表面的反应，它作为主体的同时，我们获悉，存在着衬底表面状态对成股具有很大影响的一种“衬底表面依赖性”。因此，如何控制这个表面依赖性将是实用上的关键．在TEOS／O3常任…     

TEOS减压CVD膜形成中的加水效果

一、前言近年来，在各种各样的股形成工序中，底摸台阶一直在逐渐增大。例如，在DRAM中，随着微细化而作为电容电极的存储结（SN），相对于社底表面方向（横向）被缩小，但是，为了确保静电电容，在与衬底垂直方向（纵向）上必须形成三维的SN而借以补偿电容面积，作为三维式的SN形状，目前虽然有深为道式和圆筒式等等，但无论那一种，随着微细化的进展，其台阶将变得越来越陡峭。在川电极工序之前的层间绝缘膜很成过程中，必须有使台阶平坦化的技术，但对电容器膜等，在台阶的某底膜处如何能够均匀地进行成膜（亦即保形），这是一个技术…     

H2O—TEOS等离子CVD膜形成中添加NH3的效果

一、前言 LSI的超高集成化正加速地发展，由于布线微细化、多层化、越来越要求层间绝缘膜平坦代技术．即称之谓用无空隙绝缘股充填狭窄布线间的间隙的“间隙充填”技术日趋重要．为此，最近正十分活跃地研制在成膜时所具有的流动性层间绝缘膜。人们很早知道可用玻璃旋转徐敦法（SOG：SpinonGlass）及常压O3－TEOSCVD法制作具有此流动性的层间绝缘股．但是，其各自缺点是；SOG法吸湿性及热处理时脱气性强，而O3－TEOSCVD法对底股的依赖性强。最近，日本的谷村先生报道了具有流动性、且又不依赖于底膜的层间绝缘膜制作方法——H2O…     

TEOS等离子CVD膜形成中加氟气体的效果

一、前言用LSI多层布线技术的器件表面台阶形状越来越趋于复杂化、高纵横尺寸比化。因此，面对层间绝缘膜的要求，如何消除高纵横尺寸比布线间的掩埋和布线台阶问题，一年比一年要求严格，而使网复杂的层间绝缘膜成膜。本义介绍的内容就是上述的掩埋工艺技术。以往，人们都使用具有叠层结构的工艺，而这种叠层结构是由等离子TEOS／SOG／等离子TEOS或者等离于TEOS／臭氧TEOS／等离子TEOS等组合而成的。但是，到了亚微米时代，即使用以上那样的工艺亦可得到布线间的优良的膜质，而且能防止产生间隙，么是一个难题。由于间隙的存在…     

H2O—TEOS等离子CVD技术

一、前言大规模集成电路铝布线间层间绝缘膜平坦化技术原来大多采用SOG法。但此法存在许多问题。目前正在开发台阶保形性和回流流动性好的新CVD法。SOG膜有无机SOG股和有机SOG膜两种。其中无机SOG膜的膜收缩率大，所以难于做到厚膜化，即使为了制得300nm左右厚的膜，也必须多层涂敷。而有机SOG膜可达到厚膜化，但残存在膜中的有机基在氧等离子体或高温氧气氛下，会引起急剧氧化·分解。通常，SOG膜与其它CVD膜相比较，吸湿性非常强；当其被曝露在大气中时，便成了水份的吸收源。由于水份吸收而造成的脱气，以及处理不良而造成的…     

TEOS—O2—BPSG PECVD膜成形技术

一、前言随着大规模集成电路的发展。PMD（Pre—Metal－Depation）介质膜的制备显得越来越重要。它对金属布线，电路的可靠性，成品率有极大影响，以前，国内普通采用St巳一OZ法制备BPSG它的缺点在于B、P含量控制难，均匀性不好，易成气相反应，颗粒较多，且台阶覆盖性不好．而     

采用O3—TEOS—BPSG膜和三步RF偏压溅射法形成的平坦化技术

一、前言伴随64MDRAM及256MDRAM和LSI的高速化，元件的微细化和复杂化程度日益提高。然而，元件微细化的横向尺寸下降，而纵向尺寸却没下降。结果，器件表面凸凹愈来愈严重。当在如此凸凹严重的表面上形成电路图形时，光刻工序中就会产生曝光焦点错位、腐蚀工序中会在台阶侧壁处产生“残留腐蚀”（或叫“腐蚀残留”）。为了解决这些问题，术要寻求平坦地形成层间绝缘膜技术。人们已经开发了多种平坦化技术，如：SOG（SpinonGlass：玻璃旋转涂敷法）法、有机膜涂数法、近腐蚀法、回流法、优质覆盖CVD法，与溅射相结合的偏压CVD法等…