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一、前言随着器件的高集成化、高速化和高功能化，器件表面台阶越来越陡峭。特别是进入亚微米时代，由于微细化和高电流密度的要求，金属布线的纵横尺寸比明显增大。所以，在扩展光刻极限的同时，从提高产品成品率、可靠性上来说，平坦化技术是一项极为重要的技术课题。图1示出了具有代表性的金属层间平坦化技术动向及其存在的问题。以往，要求低温工艺的金属层间绝缘股平坦化技术一般是采用等离子氧化股[P（等离子）－SiO2膜或P－TEOS膜等]与涂敷绝缘膜（SOG膜等）相结合的叠层结构，并在此结构上采用返腐蚀工艺或等离子氧化膜和抗蚀… 相似文献
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TEOS—O3常压CVD膜形成技术 总被引：1，自引：0，他引：1
一、前言随着器件的高集成化，绝缘膜平坦化便成了更为重要的课题。因此，人们正广泛讨论替代原来SiH4－O2常压CVD法的TEOS－O3常压CVD法。其主要原因是TEOS－O3常压CVD膜具有极其良好的台阶覆盖性。尽管如此，TEOS－O3常压CVD膜在特性上尚有诸多探讨之处。本文就TEOS－O3常压CVD股特性，以我们所掌握的数据资料为基础加以论述。二、关于NSG膜NSG膜具有自平坦性。这一点是TEOS－O3常压CVD成膜技术的最大特点。为此，用简单的工艺便可获得平坦的绝缘膜。同时，它是代表今后CVD工艺方向的新技术。1．含杂质问题采用TE… 相似文献