P-InP欧姆接触的Nd-YAG激光合金化

本文报道用 Nd-YAG脉冲激光辐照代替热合金化制备了性能良好的 P-InP/AuSb +AuZn + Au欧姆接触.利用激光合金所获得的接触电阻率8.6× 10~(-5)~Ω·cm~2优于另一部分样品热合金化的值1.6 ×10~(-4)Ω·cm~2.其表面形貌也比热合金化的好,俄歇电子能谱分析发现在界面附近明显形成了Zn的分布峰,使电子隧穿势垒的几率增大.     

低阻p型衬底上高阻厚层n型外延

介绍了高阻厚层反型外延片的一种实用生产技术，即在PE-2061S外延设备上，采取特殊的工艺控制在电阻率小于0.02Ω·cm的p型低阻衬底上实现了高阻厚层n型外延生长，外延层电阻率大于40Ω·cm，厚度大于100μm. 研究表明：该外延材料完全可以满足IGBT器件制作的需要.     

双施主掺杂BaTiO3半导体陶瓷材料的研究

以 Sb2 O3单施主和 Y2 O3 Nb2 O5 双施主作为半导化元素 ,对低阻 Ba Ti O3半导体陶瓷的 PTCR特性进行了研究 ,通过不同的掺杂方式及工艺得到了低电阻率 PTC陶瓷材料 ,室温电阻率ρ2 5 =4· 49Ω· cm ,温度系数 αT=6 .0 4× 10 - 2 °C- 1 ,升阻比 β=1.0× 10 3,对低阻 PTC材料进行了探讨。     

硅双层特高阻厚层的完美外延

采用四氯化硅氢还原法在钟罩立式高频加热外延炉内掺杂锑的硅衬底上制备了特高阻双层结构(n_2~-/n_1~-/n~+)外延片,n_2~-层电阻率～150Ω·cm,n_1~-层电阻率～50Ω·cm,外延层总厚度达60μm时仍不产生冠状边沿,结晶完美。用于制作BSIT,得到非常满意的结果。     

采用P^＋共同注入改进SI—GaAs Si^＋注入层的电特性

在SI—GaAs Si~+注入层中共同注入P~+可以改进注入层的电特性。P~+的共同注入提高了注入层的激活率和平均霍耳迁移率。对于Si~+注入的剂量和能量分别为4×10~(12)cm~(-2)/30keV+5×10~(12)cm~(-2)/130keV的样品,得到了激活率为75～85％,平均霍耳迁移率为4600～4700cm~2/Vs的结果。另一方面,P~+注入改进了有源层与衬底的界面特性。肖特基势垒技术测量表明,P~+共同注入的样品表现出更好的迁移率分布。深能级瞬态谱(DLTS)测量表明,P~+共同注入降低了激活层中的深能级密度。     

650～700℃ LPE生长三元合金In_(0.53)Ga_(0.47)As/(100)Inp

首先用正规溶液模型,在650～700℃间计算了In_(0.53)Ga_(0.47)As的液相组分。通过实验调整,在653℃、684℃和701℃LPE生长了与(100)InP衬底晶格匹配的非故意掺杂三元合金In_(0.53)Ga_(0.47)As,并测量了其外延层的载流子浓度、霍尔迁移率和电阻率。684℃生长的外延层具有光滑的表面彤貌,室温下其载流子浓度为3.7×10~(15)cm~(-3),霍尔迁移率为9.07×10~3cm~2/v·s,电阻率为0.19Ω—cm。     

硅射频微带电路S参数模拟研究

对不同电阻率硅片射频微带电路S参数进行了模拟研究。建立了 5层结构的微带电路物理结构模型 ,对两种电阻率硅片上不同尺寸 (2× 10 - 5m到 2 0× 10 - 5m)微带线 1～ 10GHz频率范围内的S1 1 和S2 1 参数进行模拟计算。研究结果表明 :减少低电阻率硅片 (3～ 8Ω·cm)线条宽度对减小信号反射和提高传输有益 ;高电阻率硅片 (130～ 15 0Ω·cm)上细线条尺寸微带电路信号反射和提高传输特性也更好。频率越高 ,高阻硅片微带电路的高频性能更好。     

改革硅平面晶体管常规工艺的研究

选用超高频小功率晶体管3DG15做工艺研究实验.实验的方法、结果及其分析如下.一、实验方法及结果1.基区低温氧化及硼扩散采用N/N~+型硅外延片:外延层厚度d外=9μ,电阻率ρ外=0.3～0.5Ω·cm,层错密度N层≤300个/cm~2.取Ⅰ、Ⅱ两批片,Ⅰ批片按常规工艺条件氧化,Ⅱ批片接改革工艺条     

4H-SiC欧姆接触与测试方法研究

主要针对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,形成4H-SiC的优良欧姆接触的最佳条件。通过TLM方法结合四探针测量得到特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=9.02×10-6Ω.cm2,ρc=2.22×10-7Ω.cm2,能够很好满足SiC器件的需要。     

Si上外延的n型3C-SiC欧姆接触研究

用LPCVD在Si(111)上异质外延了n型3C-SiC,并在所外延的3C-SiC上蒸发Au/Ti,通过不同温度下的RTA(快速热退火)形成欧姆接触。用两种不同的传输线模型对Ti/3C-SiC欧姆接触的ρc(比接触电阻率)进行测量,在750°C退火后Ti/3C-SiC的ρc达到了最低值为3.68×10-5Ω·cm2,这满足了应用的要求。AES分析结果还表明由于Ti的氧化,更高温度下的退火会使ρc增大。     

(Sr,Pb)TiO_3系V形PTCR陶瓷材料的研制

研究了原材料、液相添加剂ＢＮ对Ｙ３＋掺杂的（Ｓｒ０．４Ｐｂ０．６）ＴｉＯ３Ｖ形ＰＴＣＲ陶瓷半导化和显微结构的影响。结果表明,添加剂ＢＮ能促进晶粒生长、改善显微结构、显著降低室温电阻率ρ２５和烧结温度。用常规的制备方法制得居里温度ＴＣ≈２１０℃、ρ２５≤５．０×１０３Ω·ｃｍ、电阻温度系数α４０≈１３％℃－１、电阻率ρ突变比ρｍａｘ／ρｍｉｎ＞５．０×１０３的Ｖ形ＰＴＣＲ陶瓷材料。     

一种新的微型PTC元件的制造工艺

介绍了一种新的微型ＰＴＣ元件的制造工艺，并对各个工序的技术重点做了详细阐述。作者采用等静压成型和切片、划片新工艺制成２ｍｍ×２ｍｍ×０．３ｍｍ微型ＰＴＣ元件，其居里温度为１２０℃，室温电阻率为１００Ω·ｃｍ，升阻比ρｍａｘ／ρｍｉｎ大于１０３，电阻温度系数α≥１５％℃－１，时间常数小于２ｓ。     

在双极型集成电路生产中高阻外延的问题

在双极型集成电路生产中,某些品种的电路,特别是线性电路,要求其外延层的电阻率为1.0～7.0Ω·cm,通称为高阻外延层。 在生产实践中,我们发现,使用在水平反应室内用SiCl_4+H_2热还原法生长的n型高阻外延层制造管芯时,有些片子可以制出合格的     

温度系数系列化的低介电常数陶瓷材料

本实验通过在镁橄榄石熔块中,添加适量的ABO_3型改性剂,得到温度系数系列化的低介电常数高频电容器瓷料。其温度系数为(0～-750)×10~(-6)/℃,相对介电常数为8～18。tgδ20℃≤4×10~(-4,ρv≥1×10~(13)Ω·cm,E≥20V/μm。适合做小容量高频电容器。     

具有三层复合结构的P型硅外延片制备工艺研究

对10.16 cm(4英寸)三层复合结构P型硅外延片的制备工艺进行了研究。利用PE-2061S型桶式外延炉,在重掺硼的硅衬底上采用化学气相沉积的方法成功制备P~-/P~+/P/P~+型硅外延层。通过FT-IR(傅里叶变换红外线光谱分析)、C-V(电容-电压测试)、SRP(扩展电阻技术)等测试方法对各层外延的电学参数以及过渡区形貌进行了测试,最终得到结晶质量良好、厚度不均匀性<3%、电阻率不均匀性<3%、各界面过渡区形貌陡峭的P型硅外延片,可以满足器件使用的要求。     

Nb掺杂BaTiO3薄膜的激光分子束外延及其特性

用激光分子束外延方法在SrTiO3(100)基底上外延生长了BaNbxTi 1-xO3(0.01≤x≤0.03)导电薄膜.原子力显微镜测得BaNb0.3Ti 0.7O3薄膜表面均方根粗糙度在2μm×2μm范围内为2.4*!,达到原子尺度光滑.霍 尔测量表明BaNbxTi1-xO3薄膜为n型导电薄膜;在室温下,BaNb0 .02Ti0.98O3、BaNb0.2Ti0.8O3和BaNb0.3Ti0.7O 3薄膜的电阻率分别为2.43×10-4Ω*cm、1.98×10-4Ω*cm和1.297×10 -4Ω*cm,载流子浓度分别为5.9×1021cm-1、6.37×1021cm- 1和9.9 ×1021cm-1.     

φ75mmSI-GaAs单晶的研制

近年来，由于砷化镓集成电路（GaAsIC）的高速发展，对高质量的SI－GaAs单晶的要求越来越高，现已成为GaAsIC制造技术的关键之一。电子部南京电子器件研究所依靠自己的力量，在过去成功经验的基础上，自筹资金自行设计制造了JW0018型新一代高压单晶炉，在国内首先使用了三温区石墨加热系统进行了75mmGaAs晶体生长，首次投新料就获得了较为满意的结果。具体参数指标如下：电子迁移率：5.47×103cm2／V·s电阻率：23×107/Ω·cm位错密度EPD：8．8XIO4cm－’迁移率径向均匀性凸p／P：53见电阻率径向均匀性凸人P：146拓从得到的结果…     

MOCVD外延生长高阻GaN薄膜材料

采用MOCVD技术在非有意掺杂的条件下，在C面蓝宝石衬底上制备出了高阻的GaN单晶薄膜样品. 用扫描电子显微镜和原子力显微镜分析样品显示GaN外延膜的表面十分平整，表面粗糙度仅有～0.3nm. 样品的X射线双晶衍射摇摆曲线（0002）峰的半峰宽为5.22′，证实所生长的GaN外延层具有较好的结晶质量. 变温Hall测量发现样品的室温电阻率高达6.6e8Ω·cm, 250℃下的电阻率约为10.6Ω·cm.     

多功能BaPbO_3陶瓷

<正> BaPbO_3陶瓷作为新型的多功能陶瓷已经引起人们的注意。其室温电阻率为5. 0×10~(-4)-8. 0×10~(-4)Ω·cm,可以作为导电陶瓷使用,并已经用作以Cr_2O_3为基的陶瓷湿度传感器电极。BaPbO_3陶瓷还具有高温PTC特性,居里温度可高达750℃左右,是一种高温PTC材料,可用于大功率     

真空退火温度对GZO/Ag/GZO三层膜性能的影响

室温下在玻璃衬底上,采用射频磁控溅射GZO(Ga掺杂ZnO)膜和离子束溅射Ag膜的方法,制备了GZO/Ag/GZO三层膜,分析了真空退火温度对样品结构、光学、电学性能的影响。结果显示:随着退火温度的升高,Ag层的结构得到明显改善,但GZO层结晶度受到了Ag扩散的影响。经过350℃退火后,样品在可见光区平均透射率达92.63%,电阻率由8.0×10–5Ω·cm降至4.0×10–5Ω·cm。