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本文根据中子嬗变掺杂的原理、工艺,着重分析了影响NTD硅成品率的因素;命中率及断面均匀性。通过换位法、旋转辐照工艺,较大幅度地提高了NTD硅单晶的命中率、断面均匀性及成品率。 相似文献
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本文根据中子嬗变掺杂的原理、工艺,着重分析了影响NTD硅成品率的因素:命中率及断面均匀性.通过采用换位法、旋转辐照工艺,较大幅度地提高了NTD硅单晶的命中率、断面均匀性及成品率. 相似文献
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本文根据实验结果讨论了原始硅单晶的不同生长气氛、电阻率均匀度、杂质补偿度,载流子寿命、位错、含氧量等对半导体核辐射探测器性能的影响,对于用不同参数的高阻P型和N型硅单晶制成的探测器进行了比较和分析。文中也谈到了对探测器级硅单晶的基本要求和今后展望。 相似文献
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胡才雄 《有色金属材料与工程》1982,(4)
众所周知,硅单晶中的少子寿命是评价硅单晶质量的重要参数之一,因而找出影响少子寿命的主要因素,从而提高少子寿命是一个具有重要意义、又很热门的课题。最近日本电报和电话大众公司发表了一篇科研报告,介绍少子寿命是与硅单晶中的氧沉淀密切有关,并深入地定量讨论了它们之间的关系。在直拉硅单晶中,由于氧浓度较高,所以硅单晶在生长后的冷却过程中或以后的热 相似文献
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借助于热中子辐照,使Si~(30)激活产生P_(31),从而取得掺杂元素分布极为均匀,并能实现准确掺杂的硅单晶。这类单晶有效地用于功率器件领域。本文介绍这类材料的制备,辐照损伤消除,晶体性能及用于制备高反压晶体管的情况。所制备的单晶断面电阻率不均匀度≤5%,寿命达200~500μs,用该类材料制备的DF-104高反压硅晶体管最高耐压达2300V,比用常规掺杂法单晶制备的管子耐压高200~400V。 相似文献
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关于改善区熔硅单晶径向电阻率不均匀性的工艺报告,共分三篇,即:《小内径加热线圈的提出》、《加热线圈内径计算公式的原理和推导》、《加热线圈内径计算公式的应用》,报告将先后在本刊发表。 本文对一九七六年一月发表的《提高区熔硅单晶截面电阻率均匀性的工艺探讨》一文,作了必要的修改和补充。介绍了区熔法〈111〉方向N型高电阻率的硅单晶工艺中,采用了小内径加热线圈、低功率、粗腰生长工艺,改善了径问电阻率的不均匀性,并对小内径加热线圈导致径向电阻率不均匀性改善的机理,作了初步的分析。 相似文献
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《有色金属材料与工程》1980,(2)
大直径硅单晶的生长电子计算机和自动化系统的发展,要求直径大、长度高的硅单晶。首先,这是要求提高硅单晶的均匀性,改善集成电路的性能,提高集成度;此外,直径的增大还能显著提高批量生产仪器时的生产率,减少硅的 相似文献
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由于直拉重掺锑硅单晶存在截面电阻率均匀性差、杂质管道、杂质条纹、析出、位错等问题,在生产中不仅产品成品率低,而且产品的质量和数量都不能满足器件生产的需要。本文研究产生上述问题的诸因素,分析目前国内拉制重掺锑硅单晶的工艺和几种典型的热系统,提出运用减压拉晶法制备重掺锑硅单晶的工艺。这项工艺对提高直拉重掺锑硅单晶的质量和成品率都有明显的效果。 相似文献
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在超高压电镜中,用100万伏加速电压于室温~773K 之间对硅单晶进行电子辐照。实验发现,在含氧硅单晶中比含氢硅单晶中更易产生辐照缺陷。在含氧硅单晶中辐照缺陷密度较大,而且形成缺陷所需的孕育时间也较短。棒状缺陷、层错和位错环均沿〈110〉方向。棒状缺陷和层错有〈116〉型的位移矢量,层错在(113)面上。非层错化过程产生具有柏氏矢最为 a/2〈110〉型的间隙型位错环. 相似文献
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本文介绍了用739厂的P型硅单晶制作Si(Li)X射线探测器所得的一些结果。探测器对~(55)Fe5.89keVX射线的能量分辨率小于165eV(FWHM)。并介绍了用国内不同厂家的几种P型硅单晶在美国劳伦斯实验室(LBL)制作Si(Li)X射线探测器的结果。实验表明,国产P型硅单晶可以制出高质量Si(Lj)X射线探测器。对西德瓦克(Wacker)公司的一些P型硅单晶和国产一些较高电阻率材料进行了对比试验,利用LBL的条件分析了某些材料的深能级杂质,并对实验中的一些问题进行了简单的讨论。 相似文献
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重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定 总被引:1,自引:0,他引:1
重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定常青,曾世铭,何林,王君毅(北京有色金属研究总院100088)关键词:硅单晶,锑,掺杂,蒸发速率,测定(一)实验重掺锑硅单晶是在CG-3000型直拉单晶炉上研制的,直径为82mm,晶向(111)。石英坩埚直径为... 相似文献
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《稀有金属》2016,(6)
抑制p型单晶硅太阳能电池的光致衰减现象是光伏科技领域的热点和难点。掺镓直拉硅单晶工艺的突破以及在晶硅电池上的应用破解了这一难题,成功地抑制光致衰减。因为镓原子与硼原子共价半径的差异以及在太阳能电池制备过程中单晶硅片仍会经历不同条件的热处理,所以探究不同热处理条件对掺镓单晶硅中缺陷以及少子寿命的影响是非常有必要的。本文使用专利工艺技术制备掺镓硅单晶,并对掺硼和掺镓两种不同单晶硅片进行不同温度和时间的退火实验,对比分析不同样品的氧含量和少子寿命。结果发现:退火温度的升高、时间的延长以及预热处理都会降低两种硅片中的间隙氧含量以及少子寿命,同时促进了两组硅片中氧沉淀的形成。通过两组不同硅片对比表明,在相同条件下的退火处理,原子半径差异导致掺镓硅单晶硅的间隙氧含量下降速度更快,易形成更多的氧沉淀。 相似文献
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高国森 《有色金属材料与工程》1988,(1)
集成电路工艺技术已进入亚微米线宽时代,器件制造的基础材料一优质硅单晶是先决条件。今天对硅单晶的要求可归纳为①均匀的电阻率②高纯度③便于精确地控制杂质氧含量④在器件制造过程中,晶片结晶自身应对缺陷有较强的抑制功能⑤大直径化⑥廉价。 相似文献
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