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研究非共振条件下光脉冲在半导体中传输引起的非线性吸收动力学过程,在薄样品近似下推导了描术双光子吸收及其诱导自由载流子吸收相对强弱的阈值光强公式,分析了样品厚度对阈值光强的影响,解释GaAs双光子吸收系数的测量值在很大范围内变化的主要原因。 相似文献
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激光清洗阈值和损伤阈值的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
讨论了采用波长为308nm,脉冲宽度为28ns的准分子激光清洗基片的实验研究,分析了激光清洗过程中清洗阈值和损伤阈值存在的原因,并对它们进行了定量性推导。 相似文献
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半导体激光器的受激发射光谱和输出光功率(P)-电流(I)特性曲线都是表征其性能的重要数据。它们也是确定半导体激光器受激发射阈值电流(I_(th))的常规测量方法。但是发射光谱是给定工作电流(I)时测量的,必须尽可能多次测量不同I值时的发射光谱,同时仔细区别超辐射和受激发射光谱才能确定I_(th)值;而从P-I曲线的转折点或外推P-I曲线到P=0 相似文献
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熔池光强监测是激光选区熔化(SLM)过程监测的重要方法之一。针对SLM成形过程,建立了一套熔池光强监测软硬件系统,通过近红外滤光技术和光电二极管检测电路,获得成形过程中的熔池光强数据。针对时域信号不能可视化激光作用不同成形位置时的熔池光强变化,提出了采用映射算法对熔池光强数据进行建模。对变功率下熔池光强进行数据分析与建模,激光功率120 W熔池温度均值为1 404℃时,二极管信号均值为0.31 V,标准差为0.04 V,熔池较稳定;功率增加到220 W熔池温度为1 727℃时,二极管信号均值增加为0.81 V,标准差增加为0.22 V,熔池稳定性变差。表明该熔池光强监测系统可以获得工艺参数对熔池热辐射行为的影响规律,用于支持SLM成形工艺的研发与优化。 相似文献
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从Huygens-Fresnel衍射积分出发,计算高斯光束经过初级球差透镜聚焦之后的衍射光场.数值结果表明,当透镜的球差系数为负时,在聚焦光场的两个位置,得到了平顶激光光强分布.还讨论了透镜的菲涅耳数对平顶激光光强分布及其出现位置的影响.结果表明,透镜的菲涅耳数愈小,出现平顶激光光强分布的位置愈往聚焦透镜移动.并且,当透镜的菲涅耳数较小时,平顶激光光强分布的顶部呈现光强调制.计算结果表明,负球差透镜可作为获得平顶激光光强分布的简单方法. 相似文献
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具有特定光强分布的激光表面硬化技术 总被引:3,自引:1,他引:3
利用光束变换技术得到不同光斑形状和不同强度分布的光束,可满足表面硬化所需要的硬化层均匀性等要求.激光硬化在材料表面产生的实际效果与光强分布密切相关,利用特定光强分布的光束进行激光硬化可以得到所需要的温度场及组织分布,直接影响材料表面硬化的效果.对高斯光束圆光束、平顶矩形光束、曲边矩形光束、点阵光斑等不同强度分布的激光表面硬化(LSH)技术进行了介绍.硬化层特定的硬度分布及组织结构等硬化效果是特定光强分布激光束与材料相互作用的结果,要获得所需硬化效果,则需要利用反求方法设计与硬化效果相对应的特定光强分布的光斑.给出了特定光强分布的激光表面硬化技术的发展趋势. 相似文献
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大功率半导体激光阵列远场光强分布研究 总被引:1,自引:1,他引:0
针对Bar和Stack两种类型激光器,运用双峰模型,对各个发光单元的光强进行非相干叠加,得出Bar和Stack两种激光器的远场光强模型,并根据此模型模拟出Bar和Stack的远场光强分布。分别定量描述了Bar和Stack光强分布均匀的区域以及开始出现类似单发光单元的双峰分布的位置,并给出了相应的经验计算公式。利用这些公式以及器件数据手册给出的参数即可方便的计算出Bar和Stack的均匀区域以及出现类似单发光单元的双峰分布的位置。理论分析与实验结果基本吻合。可为Bar和Stack在实际应用中设计光学系统以及光束质量评价提供理论依据。 相似文献