非晶硅太阳能电池光电转换效率达19.1%

日本大阪大学电气工学教研室浜川圭弘教授研究的堆积型太阳能电池的光电转换效率达19.1％,创世界记录。非晶硅太阳能电池光电转换效率最高值曾达到12.65％(半导体能源研究所研制,在玻璃基板上的单层非晶硅膜),单晶硅曾达到16.8％。 浜川教授开发的堆积型太阳能电池的基本构造是:在多晶硅基板上生成非晶的SiC微晶膜,再于其上沉积PIN接合层的两层结构。电池的尺寸为4×4mm,第一层PIN的光电转换效率为7.1％,下部     

纳米锥或为降低硅太阳能电池成本的关键

对于硅光伏产业,要制造出经济可行的太阳能电池,需要将目前模块每瓦特1美元的成本下降一半,而这些成本大多来自硅材料和经常使用的昂贵制造工艺。美国斯坦福大学的一个科学家团队最新研发出一种由硅纳米锥和有机导电聚合物覆盖的混合型太阳能电池,不仅可以在这两个方面削减成本,同时还表现     

回收金的新方法

日本一家公司制成了一种纯度为99．9999％的高纯钛。利用这种高纯度钛可以制造半导体基板上的氮化钛薄膜。使用这种氮化钛薄膜可以避免因硅铜基板上的杂质而产生的故障。此外，这种高纯度钛还可用来制造多种工业用高精密度零部件。     

硅产业在新能源领域迎来机遇

世界传统能源未来数十年内将会出现不可避免的危机，而硅材料作为生产太阳能电池的主要原料，发展前景一片光明。多晶硅行业应抓住机遇，明确行业发展的核心问题和经营模式，不断推进技术进步，提高竞争力。     

关于四氯化硅氢氯化的研究

四氯化硅氢氯化研究项目属美国JPL〈喷气推进试验室〉平板太阳能电池阵列工程中硅材料项目部分。主要是开发低成本太阳能电池阵列。本文归纳了美国能源部与JPL签订的关于四氯化硅氢氯化研究两项合同(955382,     

黑硅制备技术及其应用的研究进展

基于黑硅材料的发展,讨论了国内外在黑硅制备技术方面的研究进展,包括反应离子刻蚀法、飞秒激光脉冲法、电化学刻蚀法及金属辅助刻蚀法,总结了各种工艺在应用上的特点,对黑硅材料当前取得的应用及发展进行了综述.结果表明:黑硅材料的特殊结构能够极大降低硅表面光反射,有效提高硅太阳能电池转换效率;其特殊光敏性可应用于光波探测器;表面各向异性的黑硅在红外吸收中可以产生太赫兹辐射.当前飞秒激光脉冲法制备的黑硅材料体现了很好的光敏性,并且有望直接嵌入目前半导体制造工艺,因此备受青睐,然则其制备成本较高;相比之下,电化学刻蚀法则设备简单、成本较低,亦颇具研究前景.最后,展望了国内黑硅材料的发展趋势.     

效率最高的非晶硅太阳能电池

日本TDK公司半导体能源研究所,最近研制出世界上转换率最高的PIN型非晶硅太阳能电池。这种太阳能电池的光电转换效率为12.65％。它由玻璃基板、透明电极、PIN半导体层和内部电极组成。为了提高转换效率,研究人员增加了透明电极表面凸凹形状最低点与最高点之间的距离,同时消除了电极之间的短路现象。这种太阳能电池的开放电压是0.885伏,短路电流密度为每平方厘米19.13毫安。     

研究人员使用纳米金增强太阳能电池运作效率

等离子技术的应用可以使能量转换的比率提高20％。在太阳能电池应用领域,有机光伏太阳能电池有着非常大的应用潜力,但目前该类电池的应用还处在起步阶段。使用有机聚合物或者有机分子作为半导体的碳基材料电池会比常规使用无机硅片电池体积小,且生产成本低,但问题是有机电池在有效地转化阳光为电能方面效率不是很理想。     

高纯度钛

日本一家公司制成了一种纯度为99.9999%的高纯钛.利用这种高纯度钛可以制造半导体基板上的氮化钛薄膜,使用这种氮化钛薄膜可以避免因硅铜基板上的杂质     

半导体硅材料的高速发展

半导体硅材料的高速发展北京有色金属研究总院万群自１９９３年以来，以硅片为代表的半导体硅材料以两位数的年增长率在高速地发展着，至今方兴未艾。这种发展的背景、特点、趋势都是大家所关心的问题。－、市场现状及前景硅片的用途就是制作半导体器件，其中８０％左右是...     

露点对预氧化还原QP钢表面选择性氧化的影响

以0.2％C-1.8％Si-1.8％Mn成分的QP钢为研究对象,采用预氧化还原模拟试验,在露点分别为-40℃和+10℃的N2-5％(体积分数)H2气氛中制备了预氧化还原试样,使用GD-OES分析了表层5 μm深度范围Fe、Si、Mn、O的元素深度分布,使用SEM观察了表面形貌,使用TEM观察了 FIB制备的截面试样微观形貌.结果表明:预氧化试样表面氧化铁/基板界面位置已存在Si、Mn富集,经过还原退火后,还原铁/基板界面位置的Si、Mn富集进一步增加.提高退火气氛露点促进了 Si、Mn在钢板次表层形成内氧化;减少了还原铁/基板界面位置的Si、Mn外氧化;改变了还原铁/基板界面位置的氧化物组成和结构,由Si-O和Mn-Si-O的双层结构变为Mn-Si-Fe-O复合氧化物结构.     

晶体硅太阳能电池用硅片制备工艺及关键技术

多晶硅片或单晶硅片是光伏产业链中太阳能电池片生产的基板材料,近年光伏产业的迅猛发展极大促进了硅片制造技术和装备的飞速发展,文章介绍了当前晶体硅太阳能电池用硅片制备的主要工艺,并对其中的关键技术及发展状况进行了论述。     

效率超过40％的太阳能电池问世

美国波音公司子公司Spectrolab有限公司科学家在最近发表的太阳能电池制造研究论文中称，他们研制的太阳能电池超越了具有里程碑意义的40％效率限制（40％效率是所有光电设备所能获得的最高效率）。其研究成果刊登在最近一期的《应用物理学通讯》杂志上。     

半导体硅材料进展

综述了国内外硅材料研究动态，分析了电子工业的发展对硅材料的新要求，讨论了硅单晶大直径化，磁场拉晶，连续投料拉晶，粒状多晶等工艺问题及硅材料的市行情，展望了半导体硅材料的发展前景。     

纯度极高的钛材

俄罗斯一家公司研制成功一种高纯钛材,其纯度高达99.9999%。利用这种高纯度钛材可以制造多种工业用高精密度零部件,例如可用于制作半导体基板上的氮化钛薄膜,使用这种氮化钛薄膜可以避免因硅铜基板上的杂质而产生的故障。纯度极高的钛材@李有观     

世界硅材料市场述评

硅材料是半导体材料工业的基础，近年来市场需求不断增加，至本世纪末仍将保持稳定增长。目前硅单晶材料仍以１５０ｍｍ硅片为主，２００ｍｍ硅片的用量已扩大至总用量的１６％，产品供不应求，导致了全球性的建厂热潮。今后的发展方向是生产３００、４００ｍｍ甚至更大直径的晶片。生产硅片的原料多晶硅严重短缺，１９９６年将有所缓解。最后对１９９６年和１９９７年硅材料市场进行了预测。     

用钼酸盐制造电阻材料

采用钼酸盐可以制造电阻材料糊，将这种电阻糊涂敷在陶瓷生片或陶瓷基板上，经烧结可制成性能优良的浮膜式电阻器及多层组合电阻，其阻值变化率低于±2％，温度变化系数（TCR）小于300pPa／℃及500pPa／℃。     

基板粗糙度对奶粉罐用镀锡板表面质量的影响

利用扫描电镜、接触角测量仪、粗糙度仪等研究了基板粗糙度对于奶粉罐用镀锡板表面质量的影响，并对最优粗糙度下镀锡板的表面质量进行了评价。结果表明，镀后粗糙度与基板粗糙度相比有所衰减；粗糙度的提升可以改善带钢表面黑灰情况，当镀锡量为2.8 g/m²时，随着粗糙度的提升，镀锡板表面接触角减小，润湿性提升；粗糙度的提升在一定程度上还可以改善涂层附着力。     

质量管理与我国硅材料工业

本文综述了我国硅材料工业现状、市场机制与质量竞争、质量管理与半导体工业，介绍了质量管理学的几个基本概念，展望了我国硅材料市场前景。     

日本开发出转换效率超过18%的钙钛矿型太阳能电池单元

正日本新能源产业技术综合开发机构(NEDO)与日本物质材料研究机构(NIMS)于2016年3月28日宣布,开发的标准面积(1 cm~2)钙钛矿型太阳能电池单元的能量转换效率超过了18%。钙钛矿型太阳能电池由价格低廉的材料构成,可以使用涂覆这种简单的方法量产,能大幅降低制造成本。