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铜镍合金催化制备大面积均匀的少层石墨烯 总被引:1,自引:0,他引:1
少层(1~5层)大面积均匀石墨烯的可控制备,是实现石墨烯在逻辑器件和透明导电电极中使用的关键。本工作使用常压化学气相沉积(CVD)方法,在铜镍合金基底上生长出少数层大面积均匀石墨烯。通过调节铜镍合金的厚度以及控制生长过程中的温度、时间、碳源浓度,本工作实现了层数可控石墨烯的制备。光学显微术、拉曼光谱、紫外可见吸收光谱、高分辨率透射电镜表征结果表明:制备出的石墨烯是大面积均匀的高质量少层石墨烯。 相似文献
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铜箔上石墨烯的表面洁净度会直接影响样品的质量和导电性。为了制备高质量、少层数、洁净的石墨烯薄膜,首先用长时间高温退火处理提高铜箔表面平整度。然后采用化学气相沉积(CVD)法在三种不同放置方式的铜箔上生长石墨烯,研究发现铜箔竖直放置制备的石墨烯比水平以及倾斜45°放置制得的石墨烯表面更洁净。通过调节CVD炉中通甲烷的时间来制备石墨烯的测试表明,当生长时间为15 min时,水平放置的铜箔上可以生长出高质量的单层石墨烯膜,而倾斜以及竖直放置的铜箔上生长的石墨烯薄膜不完整;生长时间增加至30 min,水平放置铜箔生长的石墨烯的层数会变多,而在倾斜和竖直放置的铜箔上可沉积出单层石墨烯薄膜。经过三种放置方式对比实验发现,竖直放置的铜箔制得的单层石墨烯样品表面清洁度最高,样品的电学性能最优异。 相似文献
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正一支由哥伦比亚大学领导的国际研究团队开发了一种控制石墨烯的电导率的技术,他们通过对石墨烯叠层复合材料施压成功改变了石墨烯的电子结构,在石墨烯中创建出目前最宽的能带间隙,使复合材料呈现半导体性,向石墨烯导电开关的发展更近一步。 相似文献
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利用改进的Hummers方法制备了氧化石墨烯,通过原位化学还原与水热法分别合成镀镍石墨烯与氮掺杂石墨烯材料。通过扫描电镜、透射电镜、红外光谱、XRD等测试方法对样品的形貌结构进行表征,用CHI760电化学工作站研究了样品的电化学性能,两种材料均显示出良好的电化学活性。镀镍石墨烯在较低电压即可对醇进行催化氧化;尿素和氨水都能对氧化石墨烯进行有效地还原并对其完成氮掺杂,以尿素为氮源的掺杂石墨烯显示出较高的CCV比电容和良好的稳定性,而以氨水为氮源的氮掺杂石墨烯具有优良的CGCD电容性能。 相似文献
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双层石墨烯独特的物理性能和特性使其在电子领域拥有广阔的应用前景,引起了学者的广泛关注。采用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)在1 cm×2 cm的铜箔上制备石墨烯薄膜,并通过探究腔内气压、基体温度、沉积时间、碳源浓度对石墨烯层数和质量的影响,开发出制备低缺陷双层石墨烯的工艺。采用拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜对石墨烯涂层的结构特征、表面形貌和层数进行了表征。实验结果表明,在铜箔上制备出了均匀致密的低缺陷双层石墨烯,厚度为1.5 nm。此外研究结果还表明,降低腔内气压可减少缺陷和层数,增加基体温度可减少层数,沉积时间4 min或碳源浓度高于1%则无石墨烯生成。因此通过控制腔内气压、基体温度、沉积时间和碳源浓度可实现石墨烯可控生长。 相似文献
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《材料科学与工程学报》2020,(1)
采用溶液法制备出石墨烯/氧化石墨烯/石墨烯(G/GO/G)全碳忆阻器,并且探究了Ar气氛环境下退火温度对石墨烯电极的影响。研究结果表明,退火处理可以在一定程度上改善石墨烯电极的电学性能。利用优化后的石墨烯电极构筑的G/GO/G全碳忆阻器具有一次写多次读的忆阻特性。 相似文献
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采用低压化学气相沉积法(LPCVD)制备了高质量的单层石墨烯薄膜,通过湿法转移将所制备的单层石墨烯无损覆盖到两条平行粘贴在SiO2/Si衬底上的热释放胶带表面,胶带间距约500μm,进而对试样进行加热和切割,获得与SiO2/Si衬底紧密结合的石墨烯条带(约10 000μm×500μm),最后采用掩膜法在石墨烯条带上蒸镀金电极,构建成背栅石墨烯场效应晶体管。该方法简单易行,电学性能测试结果表明,石墨烯与金电极具有良好的欧姆接触,室温下,石墨烯的空穴迁移率约为735cm2/(V·s),且表现出了石墨烯所特有的双极性特征。背栅石墨烯场效应晶体管转移特性曲线表现出了滞回行为,且随着施加栅压的增大,滞回行为越来越显著,展示出高的性能可靠性。 相似文献
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石墨烯因具有制备方法简单、比表面积大以及生物共溶性好等优点,很多研究者将其应用于生物领域。在本工作中,我们以高比表面积的三维石墨烯作为载体,通过尝试不同的方法对其表面进行改性,然后负载银纳米粒子,制备出纳米银/石墨烯复合纳米材料。通过SEM,TEM以及Zeta电位仪进行一系列的表征和跟踪分析,摸索出制备银/石墨烯复合材料的最佳条件。该复合材料在抗菌领域具有广泛的应用前景。 相似文献