美科学家首次研制出稳定的单原子层锗

近日，美国科学家首次成功制造出了单原子厚度的锗——单锗（germanane），其电子迁移率是硅的10倍，因而有望取代硅用于制造更好的晶体管。研究发表在最新一期的美国化学会《纳米》杂志上。     

锗硅材料在微电子,光电子方面的应用

锗硅材料的制造与硅平面工艺相容，且具有优良的电学，光学性能，被称为“第二代硅微电子技术”。在高速异质结双极型晶体管，调制掺杂场效管中获得应用，其中ＨＢＴ即将走向产业化，锗硅材料具有能可调的特性，在光电子方面有其应用价值，锗硅材料做红外探测器有诱人的前景。     

锗硅材料在微电子、光电子方面的应用

锗硅材料的制造与硅平面工艺相容，且具有优良的电学、光学性能，被称为“第二代硅微电子技术”。在高速异质结双极型晶体管（ＨＢＴ）、调制掺杂场效管中获得应用，其中ＨＢＴ即将走向产业化，锗硅材料具有能带可调的特性，在光电子方面有其应用价值，锗硅材料做红外探测器有诱人的前景。     

硅锗量子阱的光致发光已成功实现

本实验室用分子束外延的硅锗多量子讲样品在低温下观察到了带边激子的光致发光及其LO声子伴线，样品种类有单量子讲、多星子讲和不对称双饼，样品中镑的成分最小为0．035，最大为0．26。带边激子发光峰的出现标志着量子讲样品的质量已达到进行光学研究的要求。国际上对硅锗量子讲的带边激子发光直到1991年才首次观察到，迄今为止世界上只有5～6个组能看到。从我们样品的带边激子峰与硅峰强度比及发光持续的最高温度来看，硅锗量子讲的发光效率与国外报道的水平接近。硅锗量子阱的光致发光已成功实现$复旦大学应用表面物理国家重点实验室…     

锗烷合成工艺及用途概述

锗烷主要用于半导体、光伏太阳能和集成电路行业,是制造高纯锗和各种硅锗合金的重要原材料.主要介绍了锗烷的合成方法：化学还原法、电化学反应法、等离子合成法.同时介绍了锗烷的性质和用途.     

紫外激光传输用光纤的研制

对PCVD法制备的纯硅芯、掺氟硅芯、掺锗硅芯以及氟锗共掺硅芯光纤预制棒的芯区进行了紫外吸收谱测试，并考察了248nm紫外激光辐照及热处理后紫外吸收谱的变化。结果表明，纯硅芯深紫外区的强吸收尾部延伸至紫外波段，掺氟后使深紫外段的吸收限向短波方向移动，从而降低了其对紫外波段的影响，辐照后纯硅芯的紫外吸收增加而掺氟硅芯的吸收出现下降。掺锗硅芯、氟锗共掺硅芯中均在240nm附近出现了氧不足锗缺陷（GODC）引起的吸收峰，但后者吸收峰强度明显低于前者，因为氟能与GODC发生反应从而降低了GODC浓度，且氟同时还能愈合GeE’，辐照后氟锗共掺硅芯的吸收改变程度也要低于掺锗硅芯，表明掺氟能降低掺锗硅芯的紫外吸收。     

一维硅锗纳米复合材料的制备及在场效应晶体管中的应用

一维硅锗纳米复合材料，主要包括硅锗纳米线异质结与纳米管，具有优异的电学、光学等性能，易与现代以硅为基础的微电子工业相兼容，所以在纳米器件等领域得到了广泛重视。总结了一维硅锗纳米复合材料的研究现状和相关的制备方法，重点评述了在纳米场效应晶体管中的应用，并对其研究前景做了展望。     

非晶硅锗薄膜电池研究进展及发展方向

本文主要介绍硅基薄膜电池中非晶硅锗电池的研究,总结国内外不同机构和单位研究方向及研究结论。结合对硅锗电池的诸多研究介绍单结非晶硅锗电池以及叠层电池的研究现状。根据最新的研究问题分析预测硅锗薄膜电池的发展方向。     

锗烷的分解爆炸：爆炸火焰的传播及爆炸极限压力

锗烷的分解爆炸──爆炸火焰的传播及爆炸极限压力堀口贞兹，近藤重雄，浦野洋吉１序言在半导体工业中，使用的气体种类很多，其中有的气体毒性和爆炸危险性很高，处理时必须注意。锗烷（ＧｅＨ４）是其中的一种。在硅系半导体制造中，它被用于ＣＶＤ过程、外延过程、扩散...     

超高真空CVD生长锗硅外延层及其双晶X射线衍射研究

利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统，在直径３英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层，并进行了实时掺杂生长。利用双晶Ｘ射线的衍射技术测试了餐延层，确定外延层的组分怀晶体质量，并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖 析，利用扩展电阻仪确定外延层的电学特性，研究了锗硅应变外延层的生长特性和材料特性，生长速率随锗组分的增加而降低，以氢气为载气的硼烷对锗硅合金的生长速率有促进作用。还通过生长锗 组分渐变     

渣料中锗的测定方法的改进

锗是一种非金属元素,性质介于硅和锡之间,但它的化学性质类似于临近族的元素,尤其是砷和锑。锗是一种重要的半导体材料,用于制造晶体管及各种电子装置。主要的终端应用为光纤系统与红外线光学（infraredoptics）,也用于聚合反应的催化剂,电子用途与太阳能电力等,是支撑高新技术发展的重要原料i。现在,开采锗用的主要矿石是闪锌矿（锌的主要矿石）,主要从其伴生矿和二次资源中回收ii,对我国某铅锌矿山富含锗硫化锌精矿采用高酸氧压浸出工艺处理．血,然后中和置换得到镓锗渣。化学上或毒物学上重要的锗化合物很少。锗的二氧化物,一种微溶于水的白色粉末,形成锗酸,这类似于硅酸。四氯化锗是一种不稳定的液体,四氟化锗是一种气体,它们很容易在水中水解。锗的测定方法根据含量不同,有滴定法iv,分光光度法vvi,荧光光谱法vii,原子发射光谱法viiiix。分光光度法是通过测定被测物质在特定波长处或一定波长范围内光的吸光度或发光强度,对该物质进行定性和定量分析的方法;电感耦合等离子体（ICP）是目前用于原子发射光谱的主要光源。ICP具有环形结构‘温度高‘电子密度高’惰性气氛等特点．本文对比分光光度法测矿石中锗和电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICP—AES）测矿石中锗。得出分光光度干扰因素多而电感耦合等离子体原子发射光谱法（ICP-AES）具有检出限低,线性范围宽,精密度好,干扰小等特点。     

氢气氛退火对硅上低温外延制备的硅锗薄膜性能的影响

采用反应型热化学气相沉积系统在硅(100)衬底上外延生长富锗硅锗薄膜。四氟化锗作为锗源, 乙硅烷作为还原性气体。通过设计表面反应, 在低温条件下(350℃)制备了高质量的富锗硅锗薄膜。研究了氢退火对低温硅锗外延薄膜微结构和电学性能的影响。结果发现退火温度高于700℃时, 外延薄膜的表面形貌随着退火温度的升高迅速恶化。当退火温度为650℃时, 获得了最佳的退火效果。在该退火条件下, 外延薄膜的螺旋位错密度从3.7×10⁶ cm^-2下降到4.3×10⁵ cm^-2, 表面粗糙度从1.27 nm下降到1.18 nm, 而外延薄膜的结晶质量也有效提高。霍尔效应测试表明, 经退火处理的样品载流子迁移率明显提高。这些结果表明, 经过氢退火处理后, 反应型热化学气相沉积制备的低温硅锗外延薄膜可以获得与高温下硅锗外延薄膜相比拟的性能。     

高能球磨法制备硅锗合金

以硅粉、锗粉为原料,用高能球磨法制备硅锗合金。采用X-射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）以及能谱仪（EDS）研究了粉体随球磨时间的物相转变过程。结果表明,硅粉与锗粉经球磨时间为80h后合成出分散程度较高的SiGe二元合金。     

透明的石墨烯薄膜可制成优良的太阳能电池

美国鲁特格大学开发出一种制造透明石墨烯薄膜的技术,这是一种几厘米宽、1-5nm厚的薄膜。石墨烯薄膜是一种平坦的单原子碳薄,可用于取代透明导电的ITO电极用于有机太阳能电池。这些薄膜还用于取代显示屏中的硅薄膜晶体管。石墨烯运送电子的速度比硅快几十倍,因而用石墨烯制成的晶体管工作得更快、更省电。     

垂直磁场对锗熔体磁粘度的影响

采用旋转转子法，测量研究了不同垂直磁场条件下，不同温度时锗熔体的磁粘度。结果表明，随着磁场强度的增加，锗熔体的粘度降低了，而且粘度的降低和磁场强度不呈单调关系。用“磁场直拉硅原理的微观解释”，可以较好地解释垂直磁场中锗熔体粘度的降低现象。     

超高真空CVD生长锗硅外延层及其双晶X射线衍射研究

利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统 ,在直径 3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层 ,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射线衍射技术测试了外延层 ,确定外延层的组分与晶体质量 ,并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖析 ,利用扩展电阻仪确定外延层的电学特性。研究了锗硅应变外延层的生长特性和材料特性 ,生长速率随锗组分的增加而降低 ,以氢气为载气的硼烷对锗硅合金的生长速率有促进作用。还通过生长锗组分渐变的缓冲层 ,改善了外延层的晶体质量     

氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗

提出一种氧化增强注氧隔离工艺,在退火前氧化得到SiO2层,再进行高温退火得到绝缘体上的硅锗材料.经X射线摇摆曲线和拉曼测试发现所制备的绝缘体上的SiGe材料锗含量没有发生损失,且应变弛豫完全.透射电镜和二次离子质谱分析结果显示样品多层结构清晰,埋氧层质量完好、平整度高、无不连续、无硅岛.研究表明,氧化增加工艺的引入是绝缘体上的硅锗材料锗质量提高的关键.     

英科学家发现新碳基超导物质

据有关媒体报道，近日，日本东京都市大学综合研究所研究人员成功开发出采用锗（Ge）量子点的硅发光元件。     

日本成功开发出嵌入锗量子点的硅基LED

日本东京都市大学综合研究所硅纳米科学研究中心成功开发出采用锗（Ge）量子点的硅发光元件。     

日本成功开发出嵌入锗量子点的硅基LEO

日本东京都市大学综合研究所硅纳米科学研究中心成功开发出采用锗（Ge）量子点的硅发光元件。