过腐蚀自对准离子注入法制备SiGe HBT

用过腐蚀自对准离子注入工艺制备SiGe/Si异质结双极型晶体管,过腐蚀湿法腐蚀的横向钻蚀,为自对准离子注入提供了技术保障.对外基区的离子注入既减小了外基区的串联电阻,又有利于欧姆接触的制备,提高了器件的工艺成品率.     

过腐蚀自对准离子注入法制备SiGe HBT

用过腐蚀自对准离子注入工艺制备SiGe/Si异质结双极型晶体管,过腐蚀湿法腐蚀的横向钻蚀,为自对准离子注入提供了技术保障.对外基区的离子注入既减小了外基区的串联电阻,又有利于欧姆接触的制备,提高了器件的工艺成品率.     

过腐蚀自对准离子注入法制备SiGe HBT

用过腐蚀自对准离子注入工艺制备SiGe/Si异质结双极型晶体管，过腐蚀湿法腐蚀的横向钻蚀，为自对准离子注入提供了技术保障. 对外基区的离子注入既减小了外基区的串联电阻，又有利于欧姆接触的制备，提高了器件的工艺成品率.     

f_T为75GHz的SiGe基区异质结双极晶体管

报道了具有最高单位电流增益截止频率(f_T)的Si异质结双极晶体管(HBT)的制作。器件的f_T值达75GHz,集电极-基极偏压1V,本征基区层电阻(R_(bi))17kΩ/□,发射极宽0.9μm。该器件用SiGe作基底材料,采用多发射极双极工艺制作,其75GHz的性能指标几乎比Si双极晶体管的速度提高一倍。45nm基区中的Ge是缓变的,这样就产生了约为20kV/cm的漂移电场,因而本征渡越时间仅为1.9ps。     

fT为75GHz的SiGe基区异质结双极晶体管

报道了具有最高单位电流增益截止频率（fT)的Si异质结双极晶体管（HBT）的制作，器件的fT值达75GHz，集电极－基极偏压1V，本征基区层电阻（Rbi)17kΩ/□，发射极宽0．9um，该器件用SiGe作基底材料，采用多发射极双极工艺制作，其75GHZ的性能指标几乎比Si双极晶体管的速度提高一倍，45nm基区中的Ge是缓变的，这样就产生了约为20kV/cm的漂移电场，因而本征渡越时间仅为1．9ps。     

n+多晶硅/n+ SiC异质结欧姆接触

采用器件仿真软件ISE TCAD模拟了n 多晶硅/n SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n 多晶硅/n SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简单、性能优良的优点.     

n+多晶硅/n+ SiC异质结欧姆接触

采用器件仿真软件ISE TCAD模拟了n+多晶硅/n+ SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n+多晶硅/n+ SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简单、性能优良的优点.     

n+多晶硅/n+SiC异质结欧姆接触

采用器件仿真软件ISE TCAD模拟了n+多晶硅/n+SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术. 模拟结果表明n+多晶硅/n+SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触，具有工艺简单、性能优良的优点.     

高温AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管

利用Mo/W/Ti/Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管(DHBT),分析了与传统AuGeNi作为接触电极的AlGaInP/GaAs DHBT的直流特性差异.研究结果表明,利用难熔金属作为欧姆接触电极的DHBT器件具有较好的高温特性,并进一步分析了其具有良好高温特性的机理.     

高温AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管

利用Mo/W/Ti/Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管（DHBT），分析了与传统AuGeNi作为接触电极的AlGaInP/GaAs DHBT的直流特性差异．研究结果表明，利用难熔金属作为欧姆接触电极的DHBT器件具有较好的高温特性，并进一步分析了其具有良好高温特性的机理．