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针对高频通讯领域对聚酰亚胺(PI)薄膜材料的应用需求,以半脂环二胺5(6)-氨基-1-(4-氨基苯基)-1,3,3-三甲基茚满(DAPI)与不同的芳香二酐反应,合成了含半脂环结构的PI并制备了对应薄膜,探究了其结构与性能的相关性。结果表明:含半脂环结构的PI具有良好的可溶解加工性,能溶于NMP、DMF、CHC13等常规有机溶剂。制备的薄膜具有良好的力学性能和耐热性,拉伸强度为64.8~82.6 MPa,玻璃化转变温度最高可超过487℃。薄膜的介电常数(Dk)为2.63~4.62(1 kHz~1 MHz)、2.46~2.75(10 GHz),介质损耗因数(Df)为0.003 1~0.020 5(1 kHz~1 MHz)、0.006 6~0.017 4(10 GHz)。其中,薄膜B-PI(BPADA-DAPI)在10 GHz下的介电常数为2.75,介质损耗因数为0.006 6,表明在PI分子主链上同时引入半脂环和双酚A结构能制备兼具高频低介电常数、低介质损耗的PI薄膜。 相似文献
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本文主要分析近年来国内外低介电常数聚酰亚胺树脂及薄膜的专利概况,介绍近年来学术研究中出现的聚酰亚胺低介电常数改性方法及在电子元器件的应用研究进展,并展望低介电常数聚酰亚胺未来的发展趋势。 相似文献
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聚酰亚胺/介孔二氧化硅复合薄膜的介电性能研究 总被引:3,自引:1,他引:3
采用原位分散聚合法制备了聚酰亚胺(PI)/介孔二氧化硅(MCM-41)复合薄膜。利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)观察到MCM-41粒子规整的六方立体结构,通过扫描电子显微镜(SEM)研究了MCM-41粒子在聚酰亚胺基体中的分散状态以及MCM-41粒子添加量对该复合薄膜介电性能的影响。结果表明:PI复合薄膜的体积电阻率和电气强度都有不同程度的提高。与纯PI相比,MCM-41含量为3.0%时,复合薄膜体积电阻率提高了一个数量级,由2.8×1014Ω.m增至2.1×1015Ω.m,同时介电常数从3.26降至2.86,介质损耗因数无显著变化。 相似文献
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二氧化硅改性热固性聚酰亚胺介电性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以甲基三乙氧基硅烷为无机前驱体制取二氧化硅,并合成了二氧化硅改性热固性聚酰亚胺复合材料。利用美国Agilent4294A型精密介电频谱仪测定材料的介电常数(ε)和介质损耗因数(tanδ),用自制的耐电晕测试设备测试了耐电晕时间,采用CS2674C配套耐压测试仪测试了其介电强度,以及漆膜附着力。结果表明,随着无机二氧化硅掺杂量的增加,介电常数和介质损耗因数都呈上升趋势,介电强度均高于有机硅浸渍漆标准(JB/T 3078-1999);当二氧化硅掺杂4%时,耐电晕时间为36.8 h,是掺杂前的7.3倍,附着力良好,为一级。 相似文献
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高频印制电路基板研究进展 总被引:3,自引:0,他引:3
概述了高频电路对印制电路(PCB)基板的要求及现用基板的局限性.研究了基板树脂、增强纤维、整体结构等因数对基板材料改性的影响及其优缺点;分析从PCB上布线或其它方式优化基板性能的方法.总结了高频下测量介电常数的方法及计算介电常数的理论模型.指出了在高频PCB基板研究中还需要解决的问题及发展前景. 相似文献
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