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反应溅射掺锡氧化铟薄膜成份与结构的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了采用直流磁控反应溅射技术,在氩氧混合气体条件下制备掺锡氧化铟薄 膜(简称 ITO膜)的工艺。给出的 DPS、AES、XPC的分析结果表明: ITO薄膜 的成份为 In_2O_3和 SnO_2组成;其 ITO薄膜为立方结构。 相似文献
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磁控反应溅射制备氧化锡膜的工艺研究 总被引:6,自引:0,他引:6
介绍了磁控反应溅射制备氧化锡膜时,反应气体氧流量对放电参数、薄膜沉积率及沉积膜性能的影响,指出随氧流量的不同,放电分别处于金属溅射,过渡溅射和氧化物溅射三种不同的模式。三咱模式下的放电电压及沉积速率均有较大差别,相应的沉积膜依次具有金属相、金属及氧化物混合相和氧化物相三种不同属性。 相似文献
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提出了制备氧化铟锡薄膜(ITO)的磁控反应溅射镀膜设备的关键部件的设计原则。给出了该设备的调试结果。 相似文献
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射频磁控反应溅射制备Al2O3薄膜的工艺研究 总被引:4,自引:4,他引:4
采用射频磁控反应溅射法,以高纯Al为靶材,高纯O2为反应气体,在不锈钢和单晶Si基片上成功地制备了氧化铝(Al2O3)薄膜,并对氧化铝薄膜的沉积速率、结构和表面形貌进行了研究.结果表明,沉积速率随着射频功率的增大先几乎呈线性增大而后缓慢增大;随着溅射气压的增加,沉积速率先增大,在一定气压时达到峰值后继续随气压增大而减小,同时随着靶基距的增大而减小;随着氧气流量的不断增加,靶面溅射的物质从金属态过渡到氧化物态,沉积速率也随之不断降低.X射线衍射图谱表明薄膜结构为非晶态;用原子力显微镜对薄膜表面形貌观察,薄膜微结构为柱状. 相似文献
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沉积时间对磁控反应溅射制备TiO2薄膜性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
应用直流磁控反应溅射法,在玻璃基体上制备了具有光催化活性的TiO2薄膜.TiO2薄膜的厚度随沉积时间的增加而均匀增长.基体温度则在溅射的最初1h很快上升到110℃,溅射7h基体温度不超过130℃.溅射2h得到的是非晶态TiO2薄膜,而溅射3~7h制备的薄膜为锐钛矿型结构.非晶态和小晶粒TiO2薄膜的紫外一可见透射光谱谱带边沿与结晶较好的TiO2薄膜相比有明显的蓝移,薄膜的透射率随沉积时间的增加而下降.钛以四价钛的形式存在于TiO2薄膜中.TiO2薄膜的光催化活性随沉积时间争薄膜厚度的增加而有较大提高. 相似文献
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介绍了磁控反应溅射制备氧化锡薄膜时,反应气体氧流量对放电参数、薄膜沉积速率及沉积膜性能的影响。指出随氧流量的不同,放电分别处于金属溅射、过渡溅射和氧化物溅射三种不同的模式。三种模式下的放电电压及沉积速率均有较大差别,相应的沉积膜依次具有金属相、金属及氧化物混合相和氧化物相三种不同属性。 相似文献
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采用射频反应磁控溅射方法,通过旋转转盘,使衬底与靶材水平偏离一定角度,制备了C轴择优取向的倾斜AlN薄膜。用XRD分析了不同偏转角度下制备的AlN薄膜的择优取向度,用场发射扫描电镜(FE-SEM)观察了薄膜的截面形貌,并初步讨论了倾斜AlN薄膜的生长机理。分析和测试结果表明,当转盘旋转角度为10°时,AlN薄膜柱状晶倾斜最明显,倾斜角度可达25°。 相似文献
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利用射频磁控反应溅射法 ,以 Ar,CH4 为原料气体 ,在较宽的工艺参数范围内制备出了 Gex C1- x薄膜 ,用干涉法测量了薄膜的厚度 ,对 Gex C1- x薄膜的沉积速率和 Ge原子百分比进行了研究。结果表明 ,Gex C1- x薄膜的沉积速率并没有随着靶中毒后而显著下降 ,甚至略有提高 ,而且 Ge原子百分比可以任意变化 ,表现出与通常磁控反应溅射法不同的特征 ,这与靶中毒之后反应气体粒子在靶面和基片上的反应特点有关。这一结论对磁控反应溅射法制备碳化物有普遍意义。 相似文献
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反应溅射Al2O3薄膜研究之进展 总被引:3,自引:0,他引:3
Al2O3薄膜具有良好的光学特性,高的绝缘强度,良好的抗氧化腐蚀能力,越来越受到人们的普遍重视。本文对反应溅射Al2O3薄膜的沉积过程及其抗氧化腐蚀性能进行综合评述。 相似文献
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反应磁控溅射方法制备AlN薄膜是一种很普遍的方法,但采用该方法制备时,各个参数相互作用使过程复杂化.为了增强对该过程的理解,建立了反应溅射过程的动态模型.应用该模型分析了当氮流量增加或减少时,过程中的各个参数随时间变化的瞬态行为.计算出的溅射参数与实测值相符.模型清楚地表明,过程的初始状态对其动态行为有显著的影响. 相似文献