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相似文献
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1.
磁控反应溅射制备大面积掺锡氧化锢薄膜工艺探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
杨绍群  沈祖贻 《真空》1991,(1):20-26
  相似文献   

2.
反应溅射掺锡氧化铟薄膜成份与结构的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
杨绍群  沈祖贻 《真空》1990,(4):11-14,10
本文介绍了采用直流磁控反应溅射技术,在氩氧混合气体条件下制备掺锡氧化铟薄 膜(简称 ITO膜)的工艺。给出的 DPS、AES、XPC的分析结果表明: ITO薄膜 的成份为 In_2O_3和 SnO_2组成;其 ITO薄膜为立方结构。  相似文献   

3.
直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜工艺参数的研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
本文对直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜的工艺作了具体分析,探讨了沉积温度、氧分压、Al含量和靶基距等对ZAO薄膜的电阻率、可见光区透射率的影响。  相似文献   

4.
磁控反应溅射制备氧化锡膜的工艺研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
介绍了磁控反应溅射制备氧化锡膜时,反应气体氧流量对放电参数、薄膜沉积率及沉积膜性能的影响,指出随氧流量的不同,放电分别处于金属溅射,过渡溅射和氧化物溅射三种不同的模式。三咱模式下的放电电压及沉积速率均有较大差别,相应的沉积膜依次具有金属相、金属及氧化物混合相和氧化物相三种不同属性。  相似文献   

5.
直流磁控反应溅射制备IrO2薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
为研究氧化依(IrO)对PZT铁电薄膜疲劳性能的影响,利用直流(DC)磁控反应溅射(sputtering)工艺成功地在SiO/Si(100)衬底上制得了高度取向的IrO薄膜.并在其上制成PZT铁电薄膜.讨论了溅射参数(溅射功率、 Ar/O比、衬底温度)以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶、取向和形态的影响.  相似文献   

6.
提出了制备氧化铟锡薄膜(ITO)的磁控反应溅射镀膜设备的关键部件的设计原则。给出了该设备的调试结果。  相似文献   

7.
磁控反应溅射TaN薄膜的结构和性能   总被引:6,自引:0,他引:6  
采用磁控溅射仪制备了TaN薄膜,研究了不同氮分压条件下TaN薄膜的成份、结构和力学性能。结果表明,氮分压在0.2*10^-1Pa时镀层由两相混合物正方的β-Ta和面心立方结构的δ-TaN组成。而氮分压在0.4*10^-1-0.8*10^-1Pa时,得到单相六方TaN结构。  相似文献   

8.
直流磁控反应溅射制备IrO2薄膜   总被引:3,自引:0,他引:3  
为研究氧化铱(IrO2)对PZT铁电薄膜疲性能的影响。利用直流(DC)磁控反应溅射(sputtering)工艺成功地在SiO2/Si(100)衬底上制得了高度取向的IrO2薄膜,并在其上制成PZT铁电薄膜,讨论了溅射参数(溅射功率、Ar/O2比、衬底温度)以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶,取向和形态的影响。  相似文献   

9.
射频磁控反应溅射制备Al2O3薄膜的工艺研究   总被引:4,自引:4,他引:4  
祁俊路  李合琴 《真空与低温》2006,12(2):75-78,111
采用射频磁控反应溅射法,以高纯Al为靶材,高纯O2为反应气体,在不锈钢和单晶Si基片上成功地制备了氧化铝(Al2O3)薄膜,并对氧化铝薄膜的沉积速率、结构和表面形貌进行了研究.结果表明,沉积速率随着射频功率的增大先几乎呈线性增大而后缓慢增大;随着溅射气压的增加,沉积速率先增大,在一定气压时达到峰值后继续随气压增大而减小,同时随着靶基距的增大而减小;随着氧气流量的不断增加,靶面溅射的物质从金属态过渡到氧化物态,沉积速率也随之不断降低.X射线衍射图谱表明薄膜结构为非晶态;用原子力显微镜对薄膜表面形貌观察,薄膜微结构为柱状.  相似文献   

10.
沉积时间对磁控反应溅射制备TiO2薄膜性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
应用直流磁控反应溅射法,在玻璃基体上制备了具有光催化活性的TiO2薄膜.TiO2薄膜的厚度随沉积时间的增加而均匀增长.基体温度则在溅射的最初1h很快上升到110℃,溅射7h基体温度不超过130℃.溅射2h得到的是非晶态TiO2薄膜,而溅射3~7h制备的薄膜为锐钛矿型结构.非晶态和小晶粒TiO2薄膜的紫外一可见透射光谱谱带边沿与结晶较好的TiO2薄膜相比有明显的蓝移,薄膜的透射率随沉积时间的增加而下降.钛以四价钛的形式存在于TiO2薄膜中.TiO2薄膜的光催化活性随沉积时间争薄膜厚度的增加而有较大提高.  相似文献   

11.
掺锡氧化铟纳米粉体制备的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
掺锡氧化铟纳米粉体由于其独特的性能,在电光领域得到广泛应用.概述了制备纳米级掺锡氧化铟粉末的主要方法,并阐述了不同合成方法的工艺及特点,同时指出了高品质掺锡氧化铟粉末制备的发展趋势.  相似文献   

12.
介绍了磁控反应溅射制备氧化锡薄膜时,反应气体氧流量对放电参数、薄膜沉积速率及沉积膜性能的影响。指出随氧流量的不同,放电分别处于金属溅射、过渡溅射和氧化物溅射三种不同的模式。三种模式下的放电电压及沉积速率均有较大差别,相应的沉积膜依次具有金属相、金属及氧化物混合相和氧化物相三种不同属性。  相似文献   

13.
通过中频磁控反应溅射,在Si(100)衬底上沉积AlN薄膜,并用X射线衍射、扫描电子显微镜和Raman光谱表征AlN薄膜的微观特征.实验中,研究了氮分压、靶基距、溅射功率对AlN薄膜质量的影响,并优化参数制备高质量的c轴取向的AlN薄膜.结果表明,提高溅射功率、降低靶基距以及降低氮分压,有利于c轴择优取向AlN的生长.在优化条件下制备的AlN薄膜具有高度c轴取向,(002)摇摆曲线的半高宽为5.7°,Raman光谱E2(high)声子峰的FWHM为13.8cm-1.  相似文献   

14.
采用射频反应磁控溅射方法,通过旋转转盘,使衬底与靶材水平偏离一定角度,制备了C轴择优取向的倾斜AlN薄膜。用XRD分析了不同偏转角度下制备的AlN薄膜的择优取向度,用场发射扫描电镜(FE-SEM)观察了薄膜的截面形貌,并初步讨论了倾斜AlN薄膜的生长机理。分析和测试结果表明,当转盘旋转角度为10°时,AlN薄膜柱状晶倾斜最明显,倾斜角度可达25°。  相似文献   

15.
采用中频磁控反应溅射工艺进行了氮化铝薄膜的制备,对沉积速率、晶体结构和表面形貌与氮气流量和溅射功率之间的变化关系进行了研究。结果表明,通过调节N2流量和溅射功率选择性地获得非晶态和沿着c轴方向择优生长的晶态AlN薄膜。在化合物沉积模式下,增加溅射功率和增加反应气体流量均有利于获得非晶态AlN薄膜,并且减小薄膜表面粗糙度,获得光滑的AlN薄膜,并采用薄膜生长原理对这种现象进行了解释。  相似文献   

16.
反应溅射氧化镍电变色薄膜   总被引:1,自引:1,他引:0  
  相似文献   

17.
利用射频磁控反应溅射法 ,以 Ar,CH4 为原料气体 ,在较宽的工艺参数范围内制备出了 Gex C1- x薄膜 ,用干涉法测量了薄膜的厚度 ,对 Gex C1- x薄膜的沉积速率和 Ge原子百分比进行了研究。结果表明 ,Gex C1- x薄膜的沉积速率并没有随着靶中毒后而显著下降 ,甚至略有提高 ,而且 Ge原子百分比可以任意变化 ,表现出与通常磁控反应溅射法不同的特征 ,这与靶中毒之后反应气体粒子在靶面和基片上的反应特点有关。这一结论对磁控反应溅射法制备碳化物有普遍意义。  相似文献   

18.
用交流孪生靶磁控反应溅射法制备ITO薄膜   总被引:2,自引:2,他引:2  
采用氧化铟锡(ITO)陶瓷靶(质量分数为90%的In2O3与10%的SnO2)作为溅射源,通过交流孪生靶反应磁控溅射制备出了性能优良的ITO薄膜,其光谱透射率大于85%。结合对所镀制ITO薄膜的表面形貌及化学成分分析,研究了反应气体流量、退火等工艺参数对ITO薄膜光学和电学性能的影响。  相似文献   

19.
反应溅射Al2O3薄膜研究之进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
王福会  朱圣龙 《功能材料》1995,26(5):413-416
Al2O3薄膜具有良好的光学特性,高的绝缘强度,良好的抗氧化腐蚀能力,越来越受到人们的普遍重视。本文对反应溅射Al2O3薄膜的沉积过程及其抗氧化腐蚀性能进行综合评述。  相似文献   

20.
反应磁控溅射方法制备AlN薄膜是一种很普遍的方法,但采用该方法制备时,各个参数相互作用使过程复杂化.为了增强对该过程的理解,建立了反应溅射过程的动态模型.应用该模型分析了当氮流量增加或减少时,过程中的各个参数随时间变化的瞬态行为.计算出的溅射参数与实测值相符.模型清楚地表明,过程的初始状态对其动态行为有显著的影响.  相似文献   

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