多芯片组件将铸就世界辉煌

自80年代中期以来,国际上有关多芯片组件(MCM)的报道日益增多。人们从整机、制造和应用的不同角度,对MCM的定义不尽相同,对MCM的技术内涵也有不同的认识和理解。综合分析近年来国内外专家对MCM较普遍的看法,对MCM作如下定义比较妥当:MCM是将2个以上的大规模集成电路裸芯片和其它微型元器件互连组装在同一块高密度、高层基板上,并封装在同一管壳内构成功能齐全、质量可靠的电子组件。MCM是实现电子装备小型化、轻量化、高速度、高可靠、低成本电路集成不可缺少的关键技术,它与传统的混合IC主要区别在于MCM是采用“多块裸芯片”与“多层布线基板”,并实现“高密度互连”。     

基于LMBP神经网络的MCM布局电磁场预测模型

通信微波多芯片组件(MCM)内不合理的芯片布局将会导致电磁干扰加剧。对具有不同布局的MCM多层布线基板的电磁场进行了仿真分析,并以仿真分析结果作为样本数据,建立了基于LMBP神经网络的MCM布局电磁场预测模型,然后用该模型对两种单面芯片布局下的MCM的坡印廷矢量数值进行了预测。结果显示,MCM电磁场的仿真与模型预测差值分别为0.332e–7W/m2和0.263e–7W/m2,证明了该预测模型的可用性。     

多芯片组件热阻技术研究

在传统单芯片封装热阻定义的基础上,针对多芯片组件(MCM)传统热阻表示方法的不足,基于线性叠加原理,采用有限元模拟技术,提出了MCM的结到壳的热阻表示方法——热阻矩阵,并利用有限元模拟方法对热阻矩阵进行了验证。结果表明,采用热阻矩阵方法预测器件结温的误差小于2%。     

90年代的多芯片组件技术

阐述90年代美国、欧洲各国对发展多芯片组件(MCM)所给以的重视,以及MCM的国际市场预测。对90年代MCM技术发展的新动向,包括应用趋势、技术发展趋势及关键技术的发展动向进行评述。     

多芯片组件（MCM）的热模拟研究

介绍了MCM的封装热阻及相应的几种热阻计算方法。利用有限元分析软件ANSYS对多芯片组件(MCM)进行了热模拟。在常用两种MCM结构的热流模型基础上，分析并比较了这两种热模型差异及对散热的影响。根据ANSYS模拟结果，讨论了空气流速、基板热导率及其厚度、芯片粘结层热导率及其厚度对MCM封装热特性的影响，分析了控制MCM封装内、外散热的主要因素。     

多芯片组件(MCM)可靠性技术探讨

在对多芯片组件(MCM)的特点进行分析之后,对MCM的可靠性技术作了较全面的评述.就McM可靠性研究的关键技术问题展开讨论,总结国内外研究现状并提出了解决问题的思路,包括MCM失效模式与失效机理研究,MCM热分析及散热结构优化设计,多芯片系统可靠性试验与分析,及KGD质量和可靠性保障技术.最后,针对MCM可靠性问题,提出可靠性设计、生产过程的质量控制、可靠性评价与失效分析是MCM综合评价与保证的核心思想,为产品可靠性评价与保证提供参考.     

实用化多芯片组件（MCM）版图设计EDA新技术

本文针对实用化多芯片组件(MCM)的版图设计，介绍并探讨了一种全新的EDA设计技术。内容涉及了MCM的EDA设计方法、流程；MCM版图设计中EDA软件的应用和MCM版图设计等方面的内容。     

MCM-C集成技术的缓变数据采集器

介绍了采用先进的MCM－C技术集成的缓变数据采集器MCM组件的设计方法和制造技术。该组件采用28层陶瓷电路基板、双面裸芯片贴装、超大腔体封装,集成度高,满足了整机系统小型化、高可靠的要求。     

多芯片组件（MCM）的封装技术

电子元器件（组件）的封装严重影响微电路的性能和可靠性,其成本约占IC器件的I／3,因此,封装的性能和成本对电子产品的竞争力影响很大,MCM封装是多芯片组件的重要组成部分,本文从构成MCM封装技术的材料选择,结构类型以及MCM封装的密封技术和冷却技术几个方面作一介绍。     

MCM封装技术新进展

MCM封装是多芯片组件,它可以将裸芯片在Z方向叠层,更加适合电子产品轻、薄、短、小的特点。介绍了MCM封装技术的3种分类——MCM-L、MCM-C及MCM-D。其中MCM-L成本低且制作技术成熟,但热传导率及热稳定性低。MCM-C热稳定性好且单层基板价位低,但难以制成多层结构。MCM-D为薄膜封装技术的应用,它也是目前电子封装行业极力研究、开发的技术之一。最后讨论了MCM封装技术在多芯片组件等方面的最新进展。     

多芯片组件（MCM）标准研究

分析了多芯片组件(MCM)的概念与关键技术;针对MCM的高集成度特性,分析研究了MCM的相关标准,提出标准制修订的建议,特别是针对MCM质量与可靠性保障和评价方法的具体方案.     

多芯片组件技术

概述了微电子封装技术的发展历史和多芯片组件MCM)技术的发展过程,介绍了MCM技术的特点、基本类型及其特性、三维多芯片组件和MCM的应用,并分析预测了未来微电子封装的发展趋势.     

氮化铝共烧基板金属化及其薄膜金属化特性研究

大规模集成电路的发展,对芯片之间的互连提出了更高的要求,高端电子系统中高密度封装技术逐渐成为发展的主流。多芯片组件(MCM)是微电子封装的高级形式,它是把裸芯片与微型元件组装在同一个高密度布线基板上,组成能够完成一定的功能的模块甚至子系统。MCM还能够实现电子系统的小型化、高密度化,是实现系统集成的重要途径,在MCM中高密度布线的多层基板技术是实现高密度封装的关键。     

多芯片组件热分析技术研究

多芯片组件(MCM)是实现电子系统小型化的重要手段之一。由于封装密度大、功耗高，MCM内部热场对器件的性能和可靠性的影响日益严重。文章讨论了MCM内部热场影响器件可靠性的机理，比较了MCM热场计算的方法和特点，研究了有限元分析的方法和求解过程，进行了实际计算，并提出了几种有效的降低MCM结温的方法。     

有限元分析软件ANSYS在多芯片组件热分析中的应用

MCM(多芯片组件)的热分析技术是MCM可靠性设计的关键技术之一。基于有限元法的数值模拟技术是MCM热设计的重要工具。文中主要以ANSYS软件为例,介绍利用其对MCM进行热分析的实例。建立了一种用于某种特殊场合的MCM的三维热模型,得出了MCM内部的温度分布,并定量分析比较了空气自然、强迫对流和液体自然、强迫对流情况下对散热情况的影响。研究结果为MCM的热设计提供了重要的理论依据。     

多芯片组件（MCM）技术的发展及应用

简要介绍了多芯片组件(MCM)技术的概念、分类、发展现状、应用情况等。     

MCM封装技术中的基板设计与分析

通过采用多芯片组件封装技术,将6种由不同集成电路工艺实现的不同类型的芯片集成在单个封装内,简化了系统设计,实现了产品小型化的目标。同时,还详细给出了Zeni EDA工具下的MCM基板设计流程以及MentorPCB环境下的多芯片组件热分析方法。     

采用LTCC技术的X波段接收前端MCM设计

多芯片组件(MCM)是目前实现机载雷达接收前端小型化的最有效途径。文中对X波段全频段多功能接收前端的组成、采用LTCC技术的MCM设计实现及实物测试数据进行了叙述和分析,给出了采用LTCC技术的X波段多功能接收前端MCM设计的一种解决方案。该MCM接收前端的测试指标满足雷达通用接收前端要求,为雷达小型化多功能接收前端的设计提供了参考依据。     

高密度、高性能IC封装的现状及发展趋势

本文描述了高密度、高性能IC封装的现状、目前常用的几种类型以及当前面临的问题。并指出,高密度封装将逐步被一种更新的封装——多芯片组件(MCM)所代替。MCM的出现将对军事、航空、高端计算机和远距离通信产生深远的影响。     

多芯片组件散热的三维有限元分析

基于有限元法的数值模拟技术是多芯片组件(Multichip Module)热设计的重要工具。采用有限元软件ANSYS建立了一种用于某种特殊场合的MCM的三维热模型,对空气自然对流情况下,MCM模型的温度分布和散热状况进行了模拟计算。并定量分析了空气强迫对流和热沉两种热增强手段对MCM模型温度分布和散热状况的影响。研究结果为MCM的热设计提供了重要的理论依据。