依靠科技架长虹——阳极氧化多层布线基板工艺研究走红

在微电子领域中,以布线密度高、互连线短、体积小、重量轻及性能优良等特点为人们所关注的MCM组件,仍是21世纪电子技术发展的重点之一。而多层布线基板又是MCM的一个非常关键的组成部分。随着这些年不断地开发和研制,有机叠层基板、共烧陶瓷多层基板、淀积薄膜多层基板已发展得较成熟,混合多层基板和新出现的阳极氧化多层基板还在研制过程中。     

阳极氧化铝薄膜多层布线基板技术

本文介绍了一种制作多层布线基析的新技术－－选择性阳极氧化技术，用这种新技术，把非导体型区域的铝膜转变成隔离导带和通柱的绝缘氧化铝膜。在绝缘基板或者铝基光板上，形成多层布线结构。分析和阐述了这种多层布线基板的平面化结构特性、高导热特性、材料电特性及独特的封装形式，这种多层布线基板的平面化特性，使导体互连具有高密度和高可靠性优点，以铝基板为载体作为封装的一部分，充分体现了这种封装具有良好的电特性和热特     

铝阳极氧化多层布线基板在混合集成电路中的应用研究

铝阳极氧化多层布线基板是一种新型的MCM用多层布线基板，具有优良的性能。本文介绍了这种基板的特点和制作工艺原理及制作方法，并重点介绍了它在实用化电路研制过程中的设计、关键工艺技术及电路的研制情况。     

一种新型MCM基板——阳极氧化多层基板

采用电化学方法,对基板上的Ａｌ膜进行选择性阳极氧化,从而制得导带、通孔和介质,重复上述工序,便可制得多层布线基板。与常用多层布线基板,如ＭＣＭ－Ｃ、ＭＣＭ－Ｄ比较,它具有制作工艺简单独特、互连密度高,线径、间距和孔径更小,平面性好,绝缘电阻高等优点。     

多层布线工艺

采用淀积和腐蚀工艺来形成多平面引线的办法正在成为微电子学器件制作中关键的一环,在许多应用中替代多层印刷电路板以作为器件的互联。它可用作集成电路芯片上的互联引线,或者采用标准的集成单元来制作较大功能的部件(大规模集成),或者有助于设计复杂的集成单元,使尺寸缩小,成品率提高。该工艺也能用作玻璃或陶瓷衬底上的引线把所需功能的集成电路连结起来(混合中规模集成)。三层互联系统由三层彼此由绝缘层隔离的铝组成,而且腐蚀成所需的图形。腐蚀连接窗孔,穿透绝缘层将不同层的     

陶瓷多层布线基板的高密度封装

系统的高密度封装或在功能块化方面的进展,都使高性能的小型多层电路基板成为迫切需要的了。作为半导体器件直接装配的多层电路基板,由其性能特点陶瓷多层布线基板引起重视。关于陶瓷多层布线基板的制造方法,特长以及应用方法阐述如下:     

铁氧体多层布线基板技术的发展

本文介绍了铁氧体多层布线基板的特点，通过其与陶瓷材料的对比，突出了此项技术的优点。结合国内外的发展现状，重点列举了其应用方向与应用领域，具用很强的应用前景。     

LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM-C/D多芯片组件的关键技术。它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。文章介绍了LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线中介质膜"龟裂",通孔接触电阻大、断路,对导带的保护以及电镀前的基片处理等工艺难题。     

混合多层布线用AIN共烧多层基板技术研究

大功率混合多层基板（AIN混合多层布线基板）是采用在AIN共烧多层陶瓷基板上制作薄膜多层布线而形成的。其优良的散热性，高的信号传输速度，以及良好的高频特性，完全能够在微波功率器件和高速数字电路中使用。然而AIN混合多层布线基板的应用，离不开高性能的AIN共烧多层基板。本文仅对AIN共烧多层基板制作过程中需要解决的几个关键技术方面进行了研究，取得了一定的成果。     

LTCC多层基板腔体工艺研究

机载、星载、舰载相控阵雷达由于其特定的使用环境,需要体积小、重量轻、高性能、高可靠、低成本的微波组件。带腔体LTCC基板具有高密度布线、电阻、电容、电感的内埋以及芯片的埋置等特性,是制作机载、星载、舰载相控阵雷达微波组件理想的高密度基板。针对带腔体LTCC集成基板的制造技术,简单介绍其工艺流程,并对腔体成型这项关键工艺进行了分析,提出了相应的解决方法。     

高导热多层陶瓷布线基板制造新技术

一般的多层陶瓷基板材料主要是Al2O3。由于Al2O3的导热率低，不适应电子产品小型化、电路高密度化的要求。迫切需要导热率高，散热性能良好的绝缘基板。     

铝基板阳极氧化成膜温度与膜层结构

对铝基板在草酸体系下阳极氧化成膜温度进行了研究,发现膜的起始破坏温度为32.5℃,而与草酸电解液的浓度关系不大。通过XRD、SEM对膜层进行了分析,并测试了膜层的绝缘性能。结果表明:氧化膜层是以非晶态形式存在的,膜表面存在直径80nm左右的针状物,形成Al(OH)3水合物。较高溶液温度下,草酸的溶解作用加剧了膜层断面开裂、膜质疏松等缺陷,严重影响着膜层的绝缘性能,温度不超过32.5℃,能得到均匀、致密的膜层。     

阳极氧化法在金属布线工艺中的应用

在讨论半导体器件的电极布线时,从铝的导电性、加工性、与氧化层的粘附性、与硅的欧姆接触性等考虑,铝几乎是单一金属材料中最好的布线材料,因而它长时间以来占有重要地位。但是这种材料也附带有一些难以克服的缺点,即机械强度差、抗化学腐蚀性差,在布线上通电时,会引起电徙动和形成毛刺等。为了弥补这些缺点,以往试用过用低温生长的绝缘膜复盖腐蚀制作的铝布线的方法,由此克服了前一个缺点,但对后一缺点无所效用。我们发展了代替以前腐蚀工艺的新布线工艺,采用与以往不同的铝布线结构,不仅克服了上述缺点,还带来了更多的优点和应用。其中有显著效果的是铝的阳极氧化