智能功率集成电路精彩纷呈

近年来,以新型功率MOS器件为基础的智能功率集成电路(Smart Power IC,SPIC)随着微电子技术的进步而得到了迅速发展。它融功率半导体、信息电子学、超大规模集成电路、电机学和计算机辅助设计等为一体,成为航空航天技术、工业自动化、汽车电子、未来家电和其它高新技术工业的基础。随着SPIC的设计与工艺水平不断提高,性能价格比不断改进,已逐步进入了实用阶段,成为实现功率电子装置小型化、智     

CMOS图像传感器的新进展

互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器是金属氧化物半导体(MOS、电荷耦合器件CCD)、电荷注入器件(CID)、固体图像传感器问世之后的又一新型器件,最初是70年代在NASA的Jet PropulsionLaboratory(JPL)发明的,发明初期,由于受集成电路设计和工艺水平的限制,图像质量差,而没有得到重视。到了80年代,英国爱丁堡大学成功地开发出了世界第一块单片CMOS图像传感器,为其实用化开辟了道路。进入90年代后,随着大规模集成电路及其制造技术进入亚微米阶段,CMOS图像传感器技术获得了长足的进展。 至今,已在MOS、CCD和LID图像传感器的基础上     

1200 V功率MOS栅驱动集成电路的设计

文章在国内首次设计并研制出1200V功率MOS栅驱劝集成电路。该电路最高偏置电压(Voffset(max))为1200V，最大输出峰值电流为1A，最高工作频率100kHz，温度范围-55～125℃，可同时驱劝系统中用于三相图腾柱式输出的高低端功率器件，是SPIC的一种典型电路。     

模拟集成电路新技术

近几年来,模拟集成电路得到了飞速发展,其表现之一是使用MOS器件的模拟集成电路逐渐成为主流,改变了模拟集成电路主要使用双极型器件的局面。MOS器件具有尺寸小、功耗低等优点,特别是它与数字电路的主流工艺兼容,这对系统级芯片(SOC)的实现有重要意义。而MOS器件的噪声大,工作频率低的缺点,随着集成电路工艺和电路技术的进步,已有很大改观,完全可以满足一般电子系统对性能的要求。     

BCD工艺的外延层最佳参数选择

一、引言 智能功率集成电路(SPIC)是把低压控制逻辑和功率输出集成在同一芯片上,在电路内部实现逻辑控制,自诊断和具有过医、过热、过流以及短路、开路等保护功能。对于功率器件耐压低于100伏的SPIC,通常采用PN结隔离技术,集成双极型的CMOS和DMOS的器件结构,即所谓BCD技术,在工艺上就要实现双极型、CMOS和DMOS的工艺兼容。在这个兼容工艺中,选择外延层电阻率和厚度是个最重要的问题之一。因为对于智能功率集成电路中关键的功率输出DMOS管,保证足够高的源漏击穿电压BV_(DS)和尽可能低的导通阻抗R_(OD)是     

MOS—双极功率半导体技术的进展

对曾经推动MOS栅控型新型功率晶体管工艺发展的一些新技术作了评述。这种器件技术的优点是有很高的输入阻抗而可用低成本集成电路控制这种器件。描述了这类器件中的两种类型——功率MOSFET和MOS-双极器件——运行的物理过程。分析了加工工艺和器件额定性能的发展趋势。由于这些器件性能优越,可望在未来完全取代功率双极晶体管。     

功率集成电路TID加固环栅器件研究现状综述

总结了标准工艺下功率集成电路中总剂量辐射(TID)加固环栅MOS器件与环栅功率器件的研究现状,归纳了不同结构形态的环栅器件的性能优劣,推荐8字形环栅MOS器件、华夫饼功率器件及回字形LDMOS器件结构用于功率集成电路的TID加固设计。同时,阐述了现有环栅MOS器件等效W/L的建模情况,提出保角变换是环栅MOS器件等效W/L精确建模的重要方法,最后还给出了环栅器件建库的基本流程。     

集成电路中MOS管导通电阻测量方法

MOS管是一种常见的半导体功率器件,随着半导体产业的不断发展和进步,MOS管的各方面性能也得到大幅度的提高,被广泛应用于开关电源、节能灯、电源转换和电源控制等领域。在功率电路中,MOS作为一种多子功率开关器件,其导通电阻是至关重要的参数之一,会影响到应用电路的稳定性和功耗。因此在集成电路测试中对于MOS管导通电阻的精确测量显得尤为重要。对于MOS管导通电阻的测量做了详细分析,并介绍了两种可以准确测量MOS管导通电阻的方法。     

智能型MOS开关电源功率集成电路

智能化功率集成电路是当令国际上正在迅速发展的一个微电子技术和电力电子技术相结合的重要技术领域,由于微电子技术和功率MOS器件的迅速发展为智能型功率集成电路提供了可能性.集成电路的电隔离技术允许在同一芯片上集成功率DMOS和低压控制的双极型     

BCD工艺的外延层最佳参数选择

智能功率集成电路SPIC是把低压控制和功率输出集成在同一芯片上,在电路内部实现具有防止短路,过载,高温和过大功率等功能.对于较低电压使用的SPIC,通常采用PN结隔离技术,集成双极型的CMOS和DMOS的器件结构,即所谓BCD技术,在工艺上就要实现双极型,CMOS和DMOS的工艺兼容.在这个兼容工艺中,选择外延层电阻率和厚度是个     

功率半导体器件综述

过去卅年间,电力电子器件的发展同功率半导体器件的进展是分不开的,因为几乎在电力电子器件的每个应用中,功率半导体器件都是关键性的。当人们把集成电路的硅片加工方法运用于功率器件的设计和制造之后,功率器件的设计便出现了一个新的分支,这就是用MOS门控结构来制作各种新型的传统器件。本文考查了功率器件的某些基本特性,并研究了它们对不久前采用的硅片加工技术可能造成的影响。     

智能功率集成电路的发展动向

本文概述智能功率集成电路的分类和应用以及涉及到SPIC发展动向中的隔离技术等,并介绍了SPIC中的过流,过热和栅充电泵驱动电路等基本关键技术.     

砷化镓中的离子注入

在半导体器件制造工艺中,离子注入技术日益广泛地得到应用。特别是在硅器件中,利用离子注入制作MOS器件和双极晶体管以及MOS集成电路等都已投入大量生产。预计在1975～1980年将实现全注入MOS及双极大规模集成电路。在化合物半导体中的离子注入技术也在进行广泛研究,特别是在砷化镓方面的研究已取得较大成果,正逐步应用于器件制造中。     

预排列栅MOS器件

随着电子计算机向大型化,高速化发展,正在逐渐成为它的主要组成部份的半导体集成电路也希望向高集成度,高稳定性的方向努力。在半导体集成电路中,按照器件的结构大体上可分为MOS集成电路和双极集成电路两类,从集成度、经济上看,在中速和低速存储器中MOS集成电路今后将占有重要的位置。然而,在MOS集成电路领域里,最近提出了各种各样的设想,为了提高集成度、特性和稳定性,出现了许多新工艺,新结构,并积极地向商品化方向发展。     

MOS集成电路氢敏感器件稳定性的探讨

MOS集成电路氢敏感器件是一种新型的集成电路器件,它已引起人们的极大兴趣.本文从介绍这种新技术着手,然后谈及这种器件的稳定性问题的现象,以及作者对氢致漂移机理和改善该器件稳定性的一些探讨.     

设计高频高压场效应晶体管的一些考虑

高频高压场效应晶体管(LDMOS)是功率MOS器件中同时具有高频高压性能的一种器件,也是目前广泛用于HVIC(高压集成电路)及PIC(功率集成)电路的器件之一。本文从结构上描述了器件的高频、高压特性,并提出了一些可提高这些性能的措施和设计思想。     

BCD集成电路技术的研究与进展

飞速增长的单芯片智能功率集成电路(SPIC)市场,极大地推动了BCD工艺的发展。文章简要论述了BCD集成电路技术给智能功率IC带来的优势,介绍了当今世界知名功率IC厂商的BCD集成电路技术。根据不同的应用,介绍了高压BCD、高功率BCD、VLSI-BCD、RF-BCD和SOI-BCD等五类工艺的特点及各自的发展标准;讨论了BCD技术的总体发展趋势。     

大规模集成电路的基本原理及发展概况(二)

三、电荷耦合器件 电荷耦合器件简称CCD,是1970年出现的一种新型半导体器件。由于它具有一些独特的优点,已从实验室的研制发展到小批量生产的阶段,集成度日益提高,应用范围也越来越广,可以说是大规模集成电路中的后起之秀,是发展MOS技术以来,半导体技术领域的重大突破。     

MOS和双极集成电路的发展

1972年美国半导体工业产值达到16.5亿美元,比1971年增长13％;其中MOS集成电路发展最快,只是数字双极集成电路稍有下降,线性电路也提高25％,光电器件增加40％,分立元件也有所增加。一、MOS MOS现已成为TTL新的竞争者(70年产值为2百万美元),MOS已很快成为标准产品工业的竞争者。今年将是从常规产品转为标准产品的一年。这一方面意味着MOS工艺日臻完善,另一方面表明将大幅度降价,约在1975年标准产品可占MOS总     

MOS型硅功率器件的发展

本文介绍了以MOS技术为基础的新型MOS型硅功率器件的特点,性能水平,发展状况及面临的课题。