新型HEXFET功率MOSFET大大改善直流—直流拓扑效率

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出一系列专用拓扑结构HEXFET功率MOSFET,大大改善隔离式及降压式直流一直流变换器的工作效率。随着直流一直流变换器输出电压趋于1V,IR公司的MOSFET将器件的工作效率提高了1％(与采用最佳器件的业界同类型电路相比)。     

高效立体声D类音频功率放大器

IR公司推出用于中功率D类音频放大器的DirectFET MOSFET IR6665，器件的参数进行特别调整以改善音频性能如效率、总失真(THD)和功率密度。     

IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95％并可大幅节省占位空间

全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET，这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95％的效率，并可大幅节省占位空间。     

国际整流器公司针对锂离子电池保护推出全新功率MOSFETCSCD

全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道DirectFET MOSFET。     

IR推出紧凑型PowIRaudio模块

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出PowIRaudio集成式功率模块系列,适用于高性能家庭影院系统及车用音频放大器。新器件将脉冲宽度调制控制器和两个数字音频功率MOSFET     

国际整流器公司针对锂离子电池保护推出全新功率MOSFET

<正>全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道Direct FET MOSFET。全新功率MOSFET具有极低的导通电阻,可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20     

电源技术

国际整流器公司(IR)推出200V额定IRF7492及150V额定IRF7494HEXFETN沟道功率MOSFET,成功地把器件通态电阻减低高达56％。与市场上同类器件中相应通态电阻的电荷值相比,新器件的栅漏电荷减低达50％。若在典型的150W正激转换器应用中,以IR新一代SO-8 IRF7492或IRF7494取代业界标准SO-8器件,效率可提升0.5％,这将使器件结温降低15℃～20℃。新MOSFET专为正激或推挽式功率     

电源

IR推出面向网络通信系统开关式转换器的中电压MOSFET；飞兆半导体推出50A/75A MOTION-SPM器件；凌特双输出36V降压型LED驱动器；C＆D公司推出以太网供电接口模块；安森美推出便携式应用的？Cool功率MOSFET产品系列；[编者按]     

IR的电池保护MOSFET系列为移动应用提供具有成本效益的灵活解决方案

全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道Direct FETMOSFET。 全新功率MOSFET具有极低的导通电阻,可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20 V和30 V器件,最高栅极驱动从12Vgs起,非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。     

IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出全新 6 0 0 V HEXFET功率MOSFET系列 ,新器件具备快速本体二极管特性 ,专为零电压开关 (ZVS)电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源 (SMPS)电路中实现最大效率 ,并能提高功率输出 ,适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信及数据通信系统。最新 L系列 HEXFET MOSFET由于具备快速本体二极管特性 ,因此无需在 ZVS电路中添置额外肖特基及高压二极管 ,减少了元件数目 ,节省了电路空间。新器件有别于采用硬开关器件的桥式或功率因数修正…     

IR推出通用有源ORing控制器集成电路

国际整流器公司(IR)近日推出采用高性能有源ORing电路的IR5001S通用高速控制器-N沟道功率MOSFET驱动器。     

信息园

IR Direct FET MOSFET器件为英特尔Itanium2处理器设立业界功率标准功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)日前宣布 ,其突破传统的 Direct FET功率封装技术 ,能使功率系统符合英特尔最新 6 4位处理器 Itanium 2的功率管理要求。该公司的 IRF6 6 0 1及IRF6 6 0 2 HEXFET功率 MOSFET均采用 Direct FET封装 ,能够在最小巧紧凑的面积上 ,以最小数目的器件满足 Itanium2的功率规格。Direct FET封装采用独特设计 ,可从封装顶部散热 ,不须经过 PCB板导热。这项专利设计可大大提高功率 MOSFET的载…     

IR 100V集成MOSFET解决方案为PoE应用节省80%占位空间

国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFET MOSFET集成在一个功率MLP封装内,可满足以太网供电(Power-over-Ethernet,简称PoE)应用的需求。这款新器件符合针对网络和通信基础设施系统的IEEE802.3af标准,例如以太网交换器、路由器和集线器等,可提供每端口15W的功率,并能取代4个独立SOT-223封装的MOSFET。其减少的占位面积相当于节省了80%的空间,或相当于典型48端口电路板中3平方英寸的占板面积。PoE卡的每个端口都需要有各自的MOSFET,IRF4000正好可以满足这种需要。与使…     

IR推出100V集成MOSFET解决方案为PoE应用节省80％的占位空间

世界功率管理技术领袖国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）近日推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFET MOSFET集成在一个功率MLP封装内，可满足以太网供电（Power-over-Ethernet，简称PoE）应用的需求。这款新器件符合针对网络和通信基础设施系统的IEEE802.3af标准，例如以太网交换器、路由器和集线器等，可提供每个端口15W的功率，     

IR展示超小型DirectFET MOSFET

功率半导体公司——国际整流器公司(IR)9月推出了超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的现有及新一代VRM10.x大电流同步降压转换器。最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻 (RDS(on))为8.5mW,IRF6618同步MOSFET的典型通态电阻则为1.7mW,两者均采用IR的DirectFET封装。IRF6608的体积较标准SO-8封装小一半,它是首项采用崭新双面冷却、表面贴装式DirectFET“S”封装的HEXFET MOSFET。器件仅高0.7mm,远小于SO-8封装的1.75mm。与市场上的同类控制MOSFET产品相比,IRF6…     

IR新型HEXFET MOSFET芯片组

国际整流器公司(IR)近日推出两款新型30VHEXFET功率MOSFET,可将30V45A两相同步降压转换器MOSFET解决方案的轻负载效率提升2%,用于驱动笔记本电脑及其他高性能计算应用中的Intel和AMD新型处理器。这两款新型无铅器件分别是IRF7823PbF和IRF7832ZPbF,通过优化传导、开关和体二极管     

科锐推出芯片型碳化硅功率器件助力高效电力电子模组

正日前,碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFET~(TM)MOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路,与传统硅器件相比,可实现更高的能源效率。     

最新的HEXFET型功率MOSFET为电源应用提供了更高的效率和可靠性

IR公司推出新系列HEXFET型MOSFET为高效电力控制提供有效的解决方案。新的500～650V的MOSFET在批量生产的电源用开关器件中效率是最高的。 与其它的器件相比,该器件的通态电阻降低50％,栅     

SOT-23系列：功率MOSFET

IR公司推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有低导通电阻（RDS（on））,适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动,以及电信设备等应用。     

IR推出坚固可靠的车用平面MOSFET系列

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出车用平面MOSFET系列,适用于内燃机(ICE)、混合动力和全电动汽车平台的多种应用。新器件系列采用了IR经过验证的平面技术,包括55V