自保护低端MOSFET驱动IC

NCV840x驱动器能用于多种电阻型、电感型及电容型负载的开关,使设计寿命更长的另一选择,有这些器件都提供逻辑人员能够以更紧凑、更强固及工作替代机电式继电器或分立电路。所电平输入。     

ZXMS6004FF：自保护式MOSFET

Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列,推出小体积完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2．3mm×2．8mm扁平SOT23F封装,与正在使用的7．3mm×6.7mm SOT223封装的元件相比节省了85％的占板空间。     

安森美半导体推出自保护低端MOSFET驱动IC

安森美半导体（ON Semiconductor）推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。这系列器件通过了AEC—Q101标准认证,非常适用于严格的汽车及工业工作环境中的开关应用。     

功率MOSFET在开关电源中的应用

开关电源具有小型、高效、轻量等特点,广泛应用于工业类和消费类产品中,表1给出了其应用领域。 表1 开关电源应用领域     

自保护式MOSFET节省85％的占板空间

ZXMS6004FF是一款完全自保护式低压NIIMOSFET,采用2．3mm×2．8mm扁平SOT23F封装,与正在使用的7．3mm×6．7mmSOT223封装的元件相比节省了85％的占板空间。虽然SOT23F的扁平封装体积小巧,但其卓越的散热性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同类较大封装元件的封装功率密度。     

可节省85％占板空间的新型自保护式MOSFET

Diodes公司日前又扩展了其IntelliFET产品系列．推出其体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2．3mm×2．8mm扁平SOT23F封装,与正在使用的7.3mm×6．7mm SOT223封装的元件相比节省了85％的占板空间。     

安森美半导体推出符合汽车标准的自保护低端MOSFET驱动IC

安森美半导体（ON Semiconductor）推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。该系列器件通过了AEC—Q101标准认证,非常适用于严格的汽车及工业工作环境中的开关应用。     

安森美半导体推出符合汽车标准的自保护低端MOSFET驱动IC

安森美半导体（ON Semiconductor）推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。这系列器件通过了AEC—Q101标准认证,非常适用于严格的汽车及工业工作环境中的开关应用。     

基于CPLD的功率MOSFET保护电路设计与实现

介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有抗干扰能力强、响应速度快和通用性好的优点。通过试验验证了该方案的正确性和可行性。     

自保护式MOSFET节省85％的占板空间

ZXMS6004FF是一款完全自保护式低压侧MOSFET,采用2．3mm×2．8mm扁平SOT23F封装,与正在使用的7．3mm×6．7mm SOT223封装的元件相比节省了85％的占板空间。虽然SOT23F的扁平封装体积小巧,但其卓越的散热性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同类较大封装元件的封装功率密度。这款最新IntelliFET的导通电阻为500mΩ,连续额定电流为1A,     

新型低开关损耗QFET功率MOSFET及应用

快捷半导体推出称为QFET系列的新一代功率MOSFETs,具有低通导电阻(R_(DS_(on)))和低栅极电荷(Q_g),因而产生较小的开关损耗,从而提高开关电源(SMPS)的效率,改善SMPS的性能。     

日立高效率DC/DC电源控制IC和功率MOSFET

目前,为了实现节能、高效率和设备小型化等目标,电子设备对更高效率电源的要求越来越大。同时,电信设备和服务器更高的速度和更大的存储器容量也导致更大的电流消耗。因此,对于此类设备,DC/DC变换电源也需要节能设计,并要求更低的输出电压和闲置模式下具有更低的功耗。     

RF功率MOSFET产品及其工艺开发

本文简述了RF功率MOSFET器件的应用,分析了以LDMOSFET工艺为基础的RF功率MOSFET的功能特性、产品结构和制造工艺特点。文中结合6寸芯片生产线,设计了产品的制造工艺流程,分析了制造工艺的难点,并提出了解决方案。     

高压功率MOSFET结终端保护技术及其组合优化设计

场板与场限环是用来提高功率MOSFET抗电压击穿能力的常用结终端保护技术,文章将分别介绍场板与场限环结终端保护技术各自的特点和耐压敏感参数,通过场板和场限环的互补组合来优化设计一款高耐压的VDMOS器件结构,最后采用ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件模拟)工具来仿真验证优化设计的结果。     

功率MOSFET并联应用及研究

对作用在C类状态下频率为MHz以上的功率MOSFET并联均流情况进行了研究,分析功率MOSFET并联时造成不均流的各种因素,着重解析稳态和暂态电流平衡问题,并通过仿真提出一些解决方法和建议。实验结果表明,使用参数尽量一致的MOSFET管对称分布进行并联,并采取合理的电路布局,通过调节电路参数能获得较好的均流效果。     

面向汽车应用的功率MOSFET

意法半导体推出9款汽车级功率MOSFET,进一步扩大STripFET VI DeepGATE功率MOSFET产品组合,该功率器件能够将电气系统驱动器和控制器的正常功耗降至最低,从而提升电气系统的能效;同时还可减少电路产生的热量,实现更小、更轻的装置设备。     

针对汽车应用的功率MOSFET

这6款单通道功率MOSFET通过AECQ101认证,主要用于汽车模块。这些器件采用5mm×6mmSO8FL封装及3．3mm×3．3mmWDFN－8封装,占位面积比业界标准DPAK封装小50％或以上,     

用于植入式医疗应用的功率MOSFET

采用PowerPAK SC-70（SMMA511DJ）封装的N沟道和P沟道12V MOSFET以及采用PowerPAK SC75（SMMB912DK）封装的20V双N沟道MOSFET适用于植入式医疗应用,通过对每个批次的产品施加强化的质量控制阀：统计箱限制（SBL）、良品率限制（SYL）,对晶圆和器件封装进行部件平均测试（PAT）控制,     

用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片

如今，对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂，特别是在高压大电流领域。这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范围内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了专门优化，以便适应不同种类的JGBT，其应用范围可以达到150A-3600A，1200V-6500V，并且可以为用户的专门用途进行预置。