副产SiCl4生产光纤用高纯SiCl4

本文探讨了从生产多晶硅副产物中综合回收利用ＳｉＣｌ４并提纯使其达到生产光导纤维秀的质量要求。ＳｉＣｌ４作为生产光纤光缆的基础原料,其质量好坏直接影响光纤光缆的质量。ＳｉＣｌ４是工业硅原料与ＨＣｌ气体合成产物的一部分,其杂质含量很高。研究探讨光纤用ＳｉＣｌ４中各种杂质元素和其它化合物存在的形态、除去的方法和其对光子传递及光通信的影响和危害,并建立工业化光纤用高纯ＳｉＣｌ４生产线是本文研究的目的。将生     

国内外光纤用SiCl4研究进展

SiCl4作为生产光纤预制棒的基础原料,其质量好坏直接影响光纤传输的质量,必须最大限度脱除引起光纤吸收损耗的杂质。综述了光纤用SiCl4的质量标准,并应用傅立叶变换红外光谱（FT-IR）技术对国内外光纤用高纯SiCl4样品进行了对比。测试结果表明,本工艺产品含氢杂质含量明显降低,同时金属离子含量也达到相关技术要求,达到光纤级别,为建立工业化光纤用高纯SiCl4生产线提供了理论基础和技术参数。     

用S-144DR红外硫磺仪测定煤焦中总硫量

本文通过大量的对比实验，为S-144DR红外硫磺仪设定了合理的测量条件和工作参数，使之能准确快速地测定出煤焦中的总硫含量。实验表明该仪器的准确度、精密度均能达到或优于GB／T214-1996的标准，并且其分析周期也大大缩短。     

用Hydris定氢仪测定钢液中氢

杭钢昌兴电炉公司用Hydris定氢仪测定VD处理前后钢液中的氢含量。介绍了该定氢仪的优点，以及对其正确使用的体会。     

用高频红外碳硫仪测定耐火材料中总碳量

本介绍了用高频燃烧红外吸收法测定耐火材料中总碳量试验方法。通过控制称样量，调节仪器分析条件，确定锡、纯铁及钨粒等加速剂加入量和加入顺序，高频感应效果良好，样品熔融完全，样品中碳量释放理想。释放曲线、板流正常，熔体形状光滑均匀，样品喷溅少，分析结果重复性好，回收率高。     

红外碳硫分析仪测定氯化银中的硫

采用HIR－944型红外碳硫分析仪测定氯化银中硫的含量，并对样品作了测定前的预处理，为氯化银中硫的测定选择了较为合适的分析条件，有效地降低了氯化银在分析过程中的污染。     

用电感耦合等离子体质谱法测定生物试样中的总锡

我们使用一种有关ＩＣＰ－ＭＳ的准校方法对生物试样中总锡的测定进行了研究。在ＩＣＰ－ＭＳ测定前,必须用ＨＮＯ３微波溶解试样。当所有锡同位素的检出密度不能随ＨＮＯ３浓度发生变化时,它会随ＨＣｌ浓度的增加而增加。添加ＨＮＯ３有助于抑制０．０２ＭＨＣｌ的干扰。用目前的方法进行测定生物标准试样（ＮＩＥＳ ＮＯ．１１,ＮＯ．６和ＮＯ．５）中的总锡的试验,结果和报导的标准值相一致。配制１００ｍｇ干试样放入容器中     

用LecoCS—344红外碳硫仪测定SiC砖中的（含Si3N4）高碳含量

应用ＬｅｃｏＣＳ－３４４红外碳硫仪对ＳｉＣ砖中的（含Ｓｉ３Ｎ４）高碳含一的分析条件进行了并获得了满意结果。其结果与气体燃烧法的数据一致，并建立了一快速和准确的测定方法。     

用红外碳硫仪测定超低碳

随着热轧薄板的达产达效，对钢中超低碳的要求越来越高，平常用直读光谱仪分析测定，但准确度往往达不到预定的要求。我们采用红外碳硫分析仪，对超低碳分析做了一些试验，试验表明，若能把分析参数控制在最佳状态，并且把空白值减到最小，则超低碳的分析精度会大大提高。     

多晶硅生产副产物四氯化硅的综合利用

利用吉布斯自由能理论对四氯化硅合成氮化硅的化学气相沉积体系中可能发生的化学反应进行热力学分析。结果表明,在1 500K以上反应时,可以得到较高纯度的氮化硅。对多晶硅生产中四氯化硅的来源和主要杂质情况进行了比较,得出的四氯化硅综合利用方式是:将SiCl4(Ⅰ)通入精馏工艺的四氯化硅提纯塔分离三氯化磷后,再与SiCl4(Ⅱ)及SiCl4(Ⅲ)一起进入氮化硅合成炉。     

硅业副产物四氯化硅在离子液体中溶解—-电沉积的研究

研究多晶硅工业的主要副产品四氯化硅(SiCl_4)在离子液体中的溶解、电沉积过程。结果表明,SiCl_4在离子液体中的溶解度随温度升高而降低,离子液体的导电率随温度升高而增加。在阴离子为[TNf_2]的情况下,阳离子为[N_(1114)]的季铵盐类离子液体比咪唑类[Bmim]离子液体具有更好的SiCl_4溶解度和导电性。SiCl_4在季铵盐类离子液体的溶解度随烷基主链长度增加而增大,随侧链长度增加而降低。[N_(1114)][TNf_2]和SiCl_4之间形成C-Cl、Si-O和C-Si键,在[N_(1114)][TNf_2]-SiCl_4体系中S_i~(4+)的还原电位为-2.2V。在温度25℃、SiCl_4浓度0.3mol/L、电流密度20A/m~2、电解时间2h的条件下可电沉积得到较为致密的硅薄膜,呈球形颗粒状分布。     

光纤传感器的原理及应用

传感器在人们日常生活中已经得到了广泛的应用,随着新一代传输媒介光纤的问世,传感器得到进一步的发展,出现了光纤传感器。本文主要介绍了光纤传感器的相关知识包括光纤的基本知识以及光纤传感器的分类结构等,并重点介绍了光纤传感器的原理及其在各方面的广泛应用。     

在氢氟酸存在条件下氯化钾中总硅的测定方法

试样先用热水溶解可溶性的硅酸盐,然后加入氢氟酸溶解水不溶性的硅酸盐。在酸性条件下(pH=1.5～2.0),硅酸根离子和钼酸铵生成黄色硅钼杂多酸,借还原剂还原为硅钼蓝。生成物在810nm处有最大吸收峰,表观摩尔吸光系数为1.2×104L/(mol·cm),含量在0～100μg/50mL,服从比尔定律,可直接用于工业氯化钾及试剂氯化钾中总硅的测定。     

ICP-AES法测定铜合金中微量硅

研究了ICP-AES法测定铜合金中微量硅的最优化条件。采取标准加入法消除基体干扰。此方法操作简便,重现性好,回收率为98.7%～102.3%,RSD≤0.0221,测定范围为0.001%～0.5%。     

制备光纤用GeCl4工艺技术研究

新型、高性能的石英系光纤,是信息产业发展不可缺少的重要物质。GeCl4作为制造石英系光纤的掺杂剂,虽然用量少但却很关键,其杂质含量直接影响光纤的质量。目前,国内缺乏能生产高品质光纤用GeCl4的技术和厂家,绝大多数光纤用GeCl4产品依赖国外进口,而生产光纤用GeCl4的技术难题主要是含氢杂质的脱除。因此,研究脱除GeCl4含氢杂质的工艺技术,对于我国锗产业打破国外技术封锁,提高经济效益和国际竞争力有着重要意义。文章以某厂高纯GeCl4为原料,对去除GeCl4中含氢杂质的工艺技术进行研究,为制备光纤用GeCl4提供技术参考和支持。     

掺铕聚合物光纤的光辐射特性

制备了掺铕螯合物的阶跃型聚合物光纤。根据Judd-O fe lt(J-O)理论,从铕螯合物Eu(DBM)3掺杂的聚甲基丙烯酸甲酯(PMM A)的发射光谱获得了光学跃迁的J-O参数Ω2、Ω4(Ω2=15.71×1-0 20cm2,Ω4=0.24×10-20cm2)。用J-O参数计算了铕离子激发态(5D0)的辐射跃迁几率(513.97-s 1)和辐射寿命(1945.6μs),同时计算了5D0→7FJ跃迁的受激发射截面ijσ和荧光分支比,β分析表明,Eu(DBM)3掺杂的PMM A可望用于聚合物光纤放大器和激光器。     

钼蓝分光光度法快速测定硅在硅铝钙钡合金中的应用

将经典的氟硅酸钾沉淀碱滴定法改为钼蓝分光光度法快速测定硅。试样熔融酸化浸取，定容后，在0．15—0．6mol／L的微酸性溶液中，钼酸铵与硅酸作用生成黄色硅钼络离子，以草酸配位铁使溶液透明并破坏磷、砷等元素与钼酸铵生成的杂多酸，消除其干扰。用硫酸亚铁铵还原剂将生成的黄色硅钼络离子还原为硅钼蓝，其蓝色的强度与硅含量成一定比例关系，借此可用分光光度法测定硅含量，方法选择性强，且缩短了分析周期。