碳化硅多孔陶瓷制备技术研究进展

分别对碳化硅多孔陶瓷的主要制备方法进行了阐述，分析了这些制备方法的主要优缺点，并指出将来的研究重点应是高性能碳化硅多孔陶瓷的低成本制备技术及其应用领域的进一步拓展。另外，各种制备工艺条件同碳化硅多孔陶瓷性能之间的内在联系研究也应该进一步深化。     

碳化硅多孔陶瓷制备技术研究进展

分别对碳化硅多孔陶瓷的主要制备方法进行了阐述,分析了这些制备方法的主要优缺点,并指出将来的研究重点应是高性能碳化硅多孔陶瓷的低成本制备技术及其应用领域的进一步拓展.另外,各种制备工艺条件同碳化硅多孔陶瓷性能之间的内在联系研究也应该进一步深化.     

国内外碳化硅反射镜及系统研究进展

对几种常用反射镜材料的物理性能进行了比较,对最有发展前途的反射镜材料--碳化硅的诸多特点进行了归纳,详细介绍了国内外碳化硅反射镜制备、加工方面的研究进展以及碳化硅系统的研究现状,并对今后碳化硅反射镜及系统的发展做了简要评述.     

碳化硅光催化剂研究进展

许多文献报道了光催化材料的设计合成及其在环境污染防治与资源循环利用中的应用。然而,大多数光催化材料含有过渡金属离子,其浸出的环境风险限制了催化材料的应用。碳化硅作为第三代半导体材料的代表,由于不含有过渡金属离子、耐高温酸碱、稳定性强等特性使其在环境污染防治工作中具有良好的潜在应用前景。近年来,一些文献报道了碳化硅的合成、改性及其作为光催化剂在环境与资源循环利用中的应用研究,然而很少有文献综述碳化硅光催化剂的应用研究进展。针对以上现状,围绕碳化硅光催化剂合成方法、掺杂改性及应用等方面,综述了国内外近年来在碳化硅光催化领域取得的进展,并对该光催化剂体系的前景进行了展望。     

碳化硅多孔陶瓷制备技术的研究进展

制备技术是获得高性能碳化硅多孔陶瓷的关键.综述了碳化硅合成方法和成孔方法对碳化硅多孔陶瓷一些主要的制备技术,主要包括烧成/烧结法、原位氧化反应结合法、反应烧结法、碳热还原法、先驱体转化法、化学气相渗透法等.介绍了各种方法的工艺过程,分析了优缺点,指出了今后发展的方向.     

碳化硅多孔陶瓷的制备及研究进展

碳化硅多孔陶瓷具有抗腐蚀、抗热震性及低的热膨胀系数等特点,在冶金、化工、环保、航空、微电子等技术领域具有广泛的应用.综合阐述了制备碳化硅多孔陶瓷的主要工艺与制备过程,并对相关工艺的特点进行了分析,最后展望了碳化硅多孔陶瓷的发展趋势.     

碳化硅增强铝基复合材料连接技术研究进展

综述了SiC增强铝基复合材料(包括SiCp／AlMMC和SiCw／AlMMC)连接技术的研究现状,分析了连接中存在的问题。简单介绍了用于该复合材料连接的传统焊接方法,如熔化焊、固相连接、钎焊等。重点介绍了SiC颗粒及SiC纤维增强铝基复合材料的一些新型连接技术,并展望了SiC增强铝基复合材料连接技术的发展方向。     

核用碳化硅纤维增强碳化硅复合材料研究进展

碳化硅纤维增强碳化硅(SiC_f/SiC)复合材料具有低中子毒性、耐中子辐照和耐高温氧化等特性, 成为先进核能系统重要的候选结构材料。近年来, 国内外学术界和工业界针对核用SiC_f/SiC复合材料开展了大量研究工作, 取得了一系列重要的研究进展。针对SiC_f/SiC复合材料面向核用所关注的重点方向, 如核用SiC纤维、纤维/基体界面相、复合材料制备工艺、数值仿真、腐蚀行为和表面防护、连接技术以及辐照损伤等方面, 本文进行了综述和讨论, 并针对核用要求指出了SiC_f/SiC复合材料存在的主要问题和可能的解决思路, 希望对该材料的进一步研发和最终应用有所裨益。     

碳化硅纤维国内外研究进展

<正>碳化硅纤维是一种以碳和硅为主要成分的高性能陶瓷材料,从形态上分为晶须和连续碳化硅纤维,具有高温耐氧化性、高硬度、高强度、高热稳定性、耐腐蚀性和密度小等优点。与碳纤维相比,在极端条件下,碳化硅纤维能够保持良好的性能~([1])。由于其具有良好的性能,在航空航天、军工武器装     

相变储热材料及技术的研究进展

综述了相变储热的研究进展,简要介绍了相变材料的分类以及各类相变材料的性能、储热机理和优缺点。对相变材料的各种强化传热技术进行了综述与讨论,概述了相变储热技术的研究及评价方法,并探讨了相变材料在温度控制、新能源开发利用以及提高能源利用效率等方面的应用,展望了未来相变材料及其强化传热技术的发展方向和应用前景。     

电泳显示材料及技术的研究进展

本文评述了一类作为低成本、高可读、低能耗的显示技术——电泳显示技术的研究进展，展望了电泳显示技术的发展趋势。     

电子书显示材料及技术的研究进展

<正>1、引言计算机技术的发展和因特网的普及,借助计算机等媒介浏览"电子出版物"已极为普遍,相对传统图书,电子书可轻松携带和阅读更多信息内容,更具有创造性和交互性,它集成了视频、动画、音频和图形、图像、文字,极大增     

红外隐身材料及相关技术研究进展

根据我院研究结果及掌握的资料,分析了红外隐身涂层材料和宽波段隐身材料的性能特点,并讨论目前与国外研究水平的差距及今后的研究方向。     

碳化硅薄膜热敏材料的制备

本文介绍了采用硅、碳复合靶射频溅射镀制碳化硅薄膜。用四探针法分别测得了在不同氩气分压下,不同溅射功率与基板温度下,电阻率与温度关系曲线。用 NP-1型光电子能谱仪测量薄膜成分。结果表明在不同的溅射条件下,制备的碳化硅薄膜属于硅、碳、碳化硅混合成分的薄膜,其电阻率相差很大。本工艺制备的碳化硅薄膜,在所测量的0～300℃温区内,具有明显的负温度系数。     

碳化硅材料特性及其应用浅析

正一、碳化硅单晶特性以碳化硅(Si C)、氮化镓(Ga N)为代表的宽禁带半导体材料,被称为第3代半导体材料。与第1代、第2代半导体材料相比较,Si C具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点[1]。Si C是目前发展最为成熟的宽禁带半导体材料之一,Si C在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方     

一维碳化硅纳米材料的研究进展

介绍了具有一维纳米结构的碳化硅(SiC)如SiC纳米棒、纳米线、纳米管、纳米带的制备方法,着重介绍了碳纳米管模板生长法、碳还原法、激光烧蚀法、电弧放电法、流动催化剂法和热解有机前驱体法以及它们的生长机理,并对这几种方法的优缺点进行了分析,指出了目前研究一维纳米SiC中存在的问题和未来发展方向.     

碳化硅纳米材料制备方法研究进展

碳化硅纳米材料具有热传导率高、热膨胀系数低、机械性能好、热性能和化学稳定性好等特性,并具有耐腐蚀性和抗氧化性,在汽车、化工、石油钻探、雷达、高温的辐射等环境中应用广泛。综述了几种目前常用的制备碳化硅纳米线和碳化硅纳米粉体的方法,包括电弧放电法、热解有机前躯体法、碳热还原法、溶剂热方法、气相渗硅法、溶胶-凝胶法、热化学气相反应法、碳热还原法、等离子体法等,并对微波加热法制备碳化硅纳米粉体进行了论述。     

碳化硅轻型反射镜的研究进展

反射镜材料需具有低密度、高弹性模量、高热导率和低热膨胀系数.比较了不同反射镜材料的物理性能和机械性能,与传统光学材料对比,碳化硅具有优越的物理性能和热性能,被认为是轻型反射镜材料的首选.综述了碳化硅反射镜材料常用制备方法的特点.认为反应烧结法和热等静压法适用于制备SiC反射镜基体材料,化学气相沉积法适合用于基体材料增密和制备反射层,反应烧结法结合化学气相沉积工艺是制备SiC反射镜的高效低成本工艺.     

室温磁致冷材料及技术的研究进展

本文简要介绍了磁致冷机的基本工作原理；回顾了室温磁致冷材料及技术的发展历史；概述了具有突破性的最新研究进展。最后本文指出了室温磁致冷的潜在市场及发展趋势。     

汽车轻量化材料及相关技术的研究进展

汽车轻量化关系到我国能源规划和战略，关系到我国汽车工业的自主创新，关系到我国汽车工业的可持续性发展。开展汽车轻量化和相关技术的应用研究，并充分发挥各种轻量化材料的优势，进行各种材料优势的集成和设计、工艺及相关技术的集成，才能解决轻量化的难点和关键技术，达到轻量化和提升汽车性能的完美结合。[编按]