新思携手中芯国际推65／40nm的SoC设计解决方案

新思科技有限公司和中芯国际集成电路制造有限公司近日宣布已正式提供用于中芯国际先进65-nm工艺的系统级芯片（SoC）综合设计解决方案。该解决方案将Synopsys丰富的DesignWare接口、模拟IP产品组合和其它基础性IP,     

中芯国际举办先进技术专题研讨会

中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”）,近日于上海举办了“2012年先进技术专题研讨会”。会上展示了中芯国际最新的研发成果、先进技术设计方法介绍、IP和Library解决方案、防静电（ESD）方法介绍等。     

Synopsys和中芯国际合作推出65nm～40nm的SoC设计解决方案

<正>全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权(IP)的供应商新思科技有限公司和中芯国际集成电路制造有限公司11月15日宣布已正式提供用于中芯国际先进65nm工艺的系统级芯片(SoC)综合设计解决方案。该解决方案将Synopsys丰富的Design Ware(?)接口、模拟IP产品组合和     

中芯国际和新思科技携手推出Reference Flow4．0

全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权（IP）供应商新思科技公司与中国内地最大的芯片代工企业中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布,将携手推出全新的65纳米RTL-to-GDSII参考设计流程4．0（Reference Flow 4．0）。作为新思科技专业化服务部与中芯国际共同开发的成果,该参考流程中增加了Synopsys Eclypse ^TM低功耗解决方案及IC Compiler Zroute布线技术,     

中芯国际和新思科技携手推出Reference Flow4．0

半导体设计．验证和制造软件及知识产权（IP）供应商新思科技公司与中国内地最大的芯片代工企业中芯国际集成电路制造有限公司（“SMIC-”）日前宣布．将携手推出全新的65nm RTL-to-GDSII参考设计流程4．0（ReferenceFlow4．0）。作为新思科技专业化服务部与中芯国际共同开发的成果,该参考流程中增加了Synopsys Eclypse低功耗解决方案及IC Compiler Zroute布线技术。为设计人员解决更精细工艺节点中遇到的低功耗和可制造性设计（DFM）等问题提供更多的可用资源。     

中芯国际与SAIFUN拓展NROM技术转让协议

世界领先的集成电路代工厂之一，中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称“中芯国际”），和SAIFUN半导体，为非易失内存技术（NVM）市场提供智能产权（IP）解决方案的供货商，今天共同宣布中芯国际将采用SAIFUN的NROM技术研发生产闪存存储卡。     

中芯国际采用Mentor CaIibre PERC产品

MentorGraphics公司与中芯国际集成电路制造有限公司今天共同宣布中芯国际已采用MentorGraphicsCalibre@PERC电路可靠性验证解决方案为其最新的防静电（ESD）保护设计法之一。这有助于客户大型、复杂的系统级芯片（SoC）的设计,包括I／0、中芯国际或第三方的嵌入式IP模块、以及eFuse嵌入式存储器,皆能达到ESD保护的要求。     

中芯国际发布0．11微米UHDIP库解决方案

中芯国际集成电路制造有限公司近日发布了0．11微米后段铜制程（Cu—BEoL）超高密度IP库解决方案,可为客户平均节省31％芯片面积。通过硅验证的0．11微米超高密度IP库解决方案包含中芯国际基于更小存储单元自主研发的超高密度IP,     

中芯国际针对40及28纳米举办先进技术研讨会

中芯国际集成电路制造有限公司日前在上海举办其2013（第五届）先进技术专题研讨会。此次研讨会以40纳米及28纳米IP解决方案为主题,旨在促进中芯国际与客户在高端设计技术上有更深入的交流,以推动技术创新和商务合作。     

华虹设计基于中芯国际0.162微米 EEPROM工艺产品成功进入量产

作为国内领先的智能卡芯片解决方案供应商,上海华虹集成电路有限责任公司（以下简称华虹设计）近日宣布,公司基于中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”,纽约证交所股份代号：SMI。     

灿芯半导体研发出基于中芯国际0．11微米和0.13微米工艺的USB2．0OTGPHY

灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）日前宣布基于中芯国际集成电路制造有限公司（简称“中芯国际”）的0．11微米和0．13微米工艺平台成功开发了USB2．0物理层设计（PHY）,该设计为采用USB2．0的器件提供了尺寸更小、性能更好以及更经济的解决方案。     

中芯国际0.11微米制程缩小31%面积

正中芯国际集成电路制造有限公司于3月9日宣布,其0.11微米后段铜制程(Cu-BEoL)超高密度IP库解决方案可为客户平均节省31%芯片面积。中芯国际此次发布的超高密度IP库解决方案,与传统IP库相比,可使客户     

中芯国际和新思科技扩展40nm低功耗Reference Flow5．0

全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权（IP）供应商新思科技公司,与世界领先半导体代工企业之一中芯国际集成电路制造有限公司今日宣布：从即日起推出其40nmRTL—to—GDSII参考设计流程的5．0版本。此款经过生产验证的流程借助Synopsys的完整工具套件,将多样化的自动化低功耗和高性能功能整合在其中,给中芯国际的客户带来了目前芯片设计所需要的差异化性能和功耗结果。     

中芯国际采用低功耗Silicon Realization技术构建其65nm参考流程

电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司宣布中国最大的半导体晶圆厂中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际）,     

中芯国际和新思科技携手推出Reference Flow4．0

新思科技公司与中国内地芯片代工企业中芯国际集成电路制造有限公司将携手推出全新的65nm RTL-to-GDSII参考设计流程4.0（Reference Flow 4.0）。作为新思科技专业化服务部与中芯国际共同开发的成果,该参考流程中增加了Synopsys Eclypse低功耗解决方案及IC Compiler Zroute布线技术,为设计人员解决更精细工艺节点中遇到的低功耗和可制造性设计等问题提供更多的可用资源。     

智多微电子与中芯国际联合推出阳光二号C626手机应用芯片

智多微电子（上海）有限公司和世界领先的集成电路代工公司之一，中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称“中芯国际”）近日共同宣布由智多设计的“阳光二号C626”手机应用芯片在中芯国际成功量产。     

中芯国际和灿芯半导体携手合作

<正>中芯国际集成电路制造有限公司11月15日宣布即将投资灿芯半导体——一家上海ASIC设计以及Turnkey服务公司。该协议允许灿芯为客户提供基于中芯国际领先的代工制造和IP技术的完整的设计以及制造方案。具体的增值服务包括:特定应用架构和RTL设计,领先的物理设计,以及包括测试和包装等完整的产品化服务。该合作整合了IC设     

中芯国际和灿芯半导体携手合作提供集成电路整合性生产服务

中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布即将投资灿芯半导体,一家上海ASIC设计以及Turnkey服务公司。该协议允许灿芯为客户提供基于中芯国际领先的代工制造和IP技术的完整的设计以及制造方案。具体的增值服务包括：特定应用架构和RTL设计,领先的物理设计,以及包括测试和包装等完整的产品化服务。     

中芯国际65nm和45nmCMOS逻辑工艺选择KilopassOTP嵌入式非挥发性内存硅智财（NVM）解决方案

嵌入式非挥发性内存（NVM）硅智财（IP）的领先供货商Kilopass科技公司（Kilopass Technology Inc．）和世界领先的晶圆代工厂之一的中芯国际集成电路制造有限公司9月25日宣布在嵌入式OTP的合作伙伴关系。Kilopass是中芯国际于65nm和45nm工艺的第一个嵌入式OTPNVM合作伙伴。     

新思科技与中芯国际携手推出增强型90纳采参考流程，以降低集成电路的设计和测试成本

中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布,共同推出一个支持层次化设计及多电压设计的增强型90纳米RTL-to-GDsII参考设计流程。该流程受益于当前最先进的逻辑综合、可测性设计（DFT）和可制造性设计（DFM）技术,其主要特性包括：Design Compiler TM Ultra产品的拓扑综合（topographical synthesis）