氧化铟对ZnO压敏陶瓷压敏特性及微观结构的影响

用粘度为0．1～0．3mm的氧化锌粉末为原料，制得了氧化锌压敏陶瓷片，研究了In_2O_3掺杂对其压敏特性和微观结构的影响、结果表明：这种氧化锌粉末具有很高的烧结活性，适合作低压压敏电阻器。当烧结温度一定（1240℃）时。阀值电压Vc随着In_2O_3含量的增高而增加，其原自是由于In_2O_3含量的增加，在高温时烧结体内In_2O_3的分解量增加，从而使烧结体中的孔隙率增加。导电性降低。     

Co2O3的理化性能对ZnO压敏陶瓷电性能的影响

本文详细研究了氧化钴的理化性能对ＺｎＯ压敏陶瓷性能的影响。论述了Ｃｏ２Ｏ３的热特性对压敏陶瓷烧成工艺产生的影响及控制措施，从理论上探讨了氧化 中所含杂质Ｆｅ、Ｃｕ，Ｎａ等对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的不利作用。提出了控制的上限，并试制出一种用于氧化锌压敏陶瓷的性能优良的Ｃｏ２Ｏ３粉体。     

氧化锌压敏陶瓷及其粉体的制备现状与展望

本文综述了目前氧化锌压敏陶瓷发展的动态，并着重介绍了氧化锌粉末的制备，同时提出了今后的研究方向。     

氧化锌压敏陶瓷研究现状

本文论述了氧化锌压敏陶瓷的用途和发展趋势,以及压敏陶瓷的原理、配方和制备工艺,并着重讲述了纳米氧化锌压敏陶瓷粉末的制备。     

氧化锌压敏陶瓷及其粉体的制备现状与展望

本文综述了目前氧化锌压敏陶瓷发展的动态，井着重介绍了氧化锌粉末的制备，同时提出了今后的研究方向。     

氧化锌压敏陶瓷及其粉体的制备现状与展望

综述了目前氧化锌压敏陶瓷发展的动态，并着重介绍了氧化锌粉末的制备，同时提出了今后的研究方向。     

氧化锌压敏陶瓷及其粉体的制备现状与展望

本文综述了目前氧化锌压敏陶瓷发展的动态,并着重介绍了氧化锌粉末的制备,同时提出了今后的研究方向。     

氧化锌压敏陶瓷材料高能低压化机理的研究

本研究了氧化锌压敏陶瓷材料元件高能低压和优非线性化的机制；分析了热处理对元件能量容量等性能的影响；研究了Al2O3添加剂对元件电性能的效应，并研制了一种具有较好电性能的低压氧化锌压敏电阻元件。     

球磨时间对ZnO压敏瓷电性能的影响

粉体是ZnO压敏瓷制备的起点,粉料的混合性直接影响其综合电性能。采用不同球磨球磨时间制备氧化锌压敏瓷粉体,通过扫描电镜和x射线衍射分析,探讨球磨时间对氧化锌压敏瓷电性能和微观组织的影响。研究结果表明,球磨5h制备的粉体烧结后综合电性能最好,其电位梯度为356V／mm;非线性系数为36．4,漏电流为1．38μA,致密度98．6％。     

低压ZnO压敏陶瓷晶粒边界电子陷阱态的研究

应用４１９２Ａ低频阻抗分析仪测量了低压ＺｎＯ压敏陶瓷的复电容曲线,研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律,探讨了晶粒边界耗尽层中电子陷阱的种类和起因并对电子陷阱的特征参数进行了表征．实验发现：在低压ＺｎＯ压敏陶瓷中存在两种非理想的Ｄｅｂｙｅ弛豫现象,对于每一种弛豫,其复电容曲线存在压低现象,且其压低角随着烧结温度的升高而迅速减小．在低压ＺｎＯ压敏陶瓷的耗尽层区域内存在两种电子陷阱,它们分别位于导带底０．２０９和０．３４２ｅＶ处,其中０．２０９ｅＶ处的陷阱能级对应于本征施主Ｚｎ×ｉ的二次电离,而０．３４２ｅＶ处的陷阱能级对应于氧空位ＶＯ的一次电离．     

压敏电阻器的应用与发展

概述了压敏电阻器尤其是氧化锌压敏电阻器的应用及发展动向。     

氧化锌压敏材料研究与发展进展

本文简要回顾了ＺｎＯ压敏陶瓷的历史，阐述了ＺｎＯ压敏陶瓷的特点以及当前ＺｎＯ压敏陶瓷基础性研究的现状，最后对其进展进行了展望。     

苯乙烯类热塑性弹性体压敏粘合剂的失粘原因

研究了以两种苯乙烯类热塑性弹性体为基料的压敏粘合剂的失粘原因。结果表明，随着增粘剂用量的增加，抗失粘性升高；加入０．５－１．０份多元酚抗氧剂，可使抗失粘属于增强；大气中的氧和（或）臭氧与紫外线协同作用是导致该压敏粘合剂失粘的原因。     

氧化锌压敏陶瓷材料介电性能的研究

通过实验对ＺｎＯ压敏陶瓷元件的介电特性进行了研究，在微观结构的基础上导出晶粒间界的电容公式，与由实验作出的Ｃ－Ｖ曲线，两者基本一致，提出了控制压敏电阻器固有电容的方法，在理论的指导下，采用适当的配方和工艺，可以制得介电性能良好的适应不同要求的压敏电阻器。     

添加Nd2O3对氧化锌压敏阀片电性能与显微组织的影响

研究了微量Nd2O3添加剂对氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度、漏电流和压比的影响,并对其显微组织进行了分析研究,从理论上探讨了Nd2O3对氧化锌压敏阀片电性能与组织的作用机理。研究结果表明:当Nd2O3的摩尔分数为0.04％时,氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度最高,漏电流最小,压比最低,具有优良的综合电性能。其原因是Nd2O3加入到氧化锌压敏阀片中,使晶粒尺寸减小所致。     

掺杂对钛酸锶压敏陶瓷性能的影响

研究了施主掺杂和受主掺杂对SrTiO3压敏陶瓷材料微观结构和电性能的作用。研究结果表明，La、Nb进行双施主掺杂时按一定比例能获得较低的压敏电压；以La进行单施主掺杂，含量为1．2mol％时，压敏电压最低。双施主掺杂的压敏电压要高于单施主的电压。以CuO进行受主掺杂的效果要好于以MnCO3进行受主掺杂的效果。     

ZnO压敏陶瓷的晶界行为

晶界的结构、组成、性能以及相之间的界面与氧化锌压敏陶瓷的非线性、电性能、老化、化学性能方面有着重要联系。本文就ZnO压敏陶瓷的晶界行为以及工艺技术对晶界的影响因素进行了讨论 ,分析了关于ZnO压敏陶瓷导电、老化的晶界机理 ,大量研究表明 ,其多种特性均为晶界现象。     

丙烯酸酯压敏胶粘剂的发展

压敏胶粘剂中最为重要的则是橡胶系和丙烯酸酯系压敏胶粘剂，而丙烯酸酯系压敏胶粘剂由于具有较橡胶系压敏胶粘剂更为优异的综合性能，成为目前最重要的一类压敏胶粘剂，其形态分为溶剂型、乳液型、热熔型、反应性液体固化型四大类。我国压敏胶粘剂工业的发展也是随着丙烯酸酯单体及共聚合物的生产的发展而发展起来的。1986年我国压敏胶带的产量为0．6亿平方米，1992年增长为匕亿平方米，高于1992年日本压敏胶带的产量11．9亿平方米，这些胶带大多是以丙烯酸酯压敏胶粘剂涂布而成的。丙烯酸酯压敏胶粘剂经近二、三十年的迅速发展，其制造技…     

ZnO压敏陶瓷的非线性功能添加剂

本文采用单元掺杂与多元掺杂的方法，系统研究了几种过渡金属氧化物添加剂在控制ＺｎＯ压敏陶瓷非线性方面的作用，并根据金属阳离子外壳层电子结构稳定性和缺陷化学反应进行了分析，认为阳离子具有不饱和外层电子结构且半径与Ｚｎ＾２＋离子相近的过渡金属氧化物能改善ＺｎＯ压敏陶瓷非线性。     

烧结温度对低压ZnO压敏陶瓷显微结构及电性能的影响

利用ＸＲＤ，ＳＥＭ等技术，研究了ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－ＴｉＯ３系低压压敏电阻材料的相民及显微组织，并对不同烧结温度下的电性能进行了研究。结果表明，在１１５０－１２００℃范围内，可通过改变烧结温度调材料的压敏电压值，而材料的非线性系数ａ变化不大。