共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
高阻硅中深能级与少子寿命的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文测量了n型高阻硅在9种不同浓度的金掺杂前后少子寿命的变化,以及两类不同电阻率的n型高阻硅在7种不同辐照剂量的1MeV高能电子辐照前后少子寿命的变化;测量了金掺杂和高能电子辐照在硅中引入的主要深能级;研究对比金掺杂和高能电子辐照对硅单晶性能的影响及其在提高电子器件开关速度方面的应用。 相似文献
3.
本文介绍了一种简而易行精确控制少子寿命的新技术——高能12MeV电子辐照技术的原理、方法、特点及在硅功率开关二极管中的应用。实验研究结果表明:用12MeV电子辐照硅器件,少子寿命可得到精确地控制,硅功率开关二极管的V_f~T_(RR)协调关系、高温性能优于扩金工艺,器件参数一致性、重复性好、性能稳定,完全可以取代扩金、扩铂等工艺。 相似文献
4.
论述了1000A,2500V大功率逆阻型可关断晶闸管的基本设计原则,给出了主要工艺特征和元件的开关特性。采用改进的扩散工艺,掺氯氧化,高能电子辐照技术和湿法凹槽门极挖槽技术,使逆阻型GTO的参数折衷和少子寿命分布达到了最佳化,从而获得了优化开关特性的GTO元件。 相似文献
5.
6.
7.
中子辐照的单晶硅参数研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在不同温度和红外光照下,测量了经中子辐照的单晶硅表面光电压,确定了其深能级的位置和少子扩散长度;由双能级复合理论,推导了中子辐照单晶硅的深能级复合中心和寿命的计算公式;计算了热中子辐照和高能中子辐照单晶硅后的深能级密度、费米能级和其他有关重要参数。 相似文献
8.
9.
10.
双基区大功率快恢复二极管的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了在采用VB=94ρ0n.7数学模型设计双基区p+pinn+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中引入η=Wi/Xm=0.25数学模型的方法。采用Si片扩铂和电子辐照共同控制基区少子寿命及分布,并利用该设计方法对ZKR1 000 A/2 600 V结构参数进行了优化设计。对设计参数进行了实验验证,结果表明,器件参数满足设计指标,达到国外同类产品水平。说明该设计方法及各种参数的选取是正确的,寿命控制技术是有效的。为p+pinn+结构二极管设计与制造提供了一种具有重要的指导意义和参考价值的新方法。 相似文献
11.
少子扩散长度和少子复合寿命是硅片的重要参量.本文介绍了在硅片上制造突变结的二极管来测量和计算硅片中的少子扩散长度和少子复合寿命的新方法,其基本原理就是依据肖克莱方程所显示的二极管伏安特性.该方法还适用于改变测试温度的条件,由此可获得不同温度下的少子扩散长度和少子复合寿命这二个参量的数值. 相似文献
12.
少子扩散长度和少子寿命是硅片的重要参量.本文介绍了在硅片上制造突变结的二极管来测量和计算硅片中的少子扩散长度和少子复合寿命的方法,其基本原理就是依据肖克莱方程所显示的二极管伏安特性.该方法还适用于改变测试温度的条件,由此可获得不同温度下的少子扩散长度和少子复合寿命这二个参量的数值. 相似文献
13.
利用脉冲恢复技术测量了有限宽基区n+-on-p光电二极管中的少子寿命.实验发现,反向恢复时间同正、反向电流的大小有关.从恢复时间ts与IF/IR函数关系提取的少子寿命随着基区厚度与少子扩散长度比值降低而明显增大.在77 K时,采用传统方法脉冲回复技术提取的少子寿命为28 ns,而当考虑短基区效应时,所提取的少子寿命为51 ns.这表明HgCdTe光电二极管的基区厚度与少子扩散长度比值是采用脉冲恢复技术测量少子寿命技术中的一个重要参数.只有当基区厚度大于三倍少子扩散长度时,传统方法中无限基区厚度的假设条件才成立. 相似文献
14.
电子辐照高阻NTD硅中缺陷能级和少数载流子寿命 总被引:1,自引:0,他引:1
<正>近十几年来,用中子嬗变技术在硅中进行磷掺杂,可获得n型高阻NTD硅单晶,用电子辐照在硅中引入复合中心以降低少子寿命的方法,也引起人们的极大关注.为此,我们将NTD硅制成p~+n结二极管,经电子辐照后,分别从深能级瞬态谱(DLTS)测量中获得相应的缺陷能级、俘获截面和浓度等参数,并用二极管反向恢复时间法,测量了这些样品的少子寿命.对所得结果作出初步的分析讨论. 相似文献
15.
介绍了采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管的设计要点和关键工艺。根据器件的特性要求,优化设计了基区结构参数和门极-阴极图形,采用了高级交叉指状辅助门极结构,合理确定了短路发射极的尺寸及分布形式。采用固态源闭管式扩散工艺,镓铝双质掺杂一次连续完成,扩散参数具有良好的均匀性和重复性,获得了较理想的杂质浓度分布,并采用12 MeV电子辐照技术控制少子寿命。研究了镓铝双质掺杂对快速晶闸管参数的影响,分析和讨论了器件特性得到改善的原理。研究结果表明,采用该掺杂技术制造的快速晶闸管,电气参数的一致性明显提高,综合性能明显改善,具有良好的阻断特性、门极特性和动态特性。 相似文献
16.
快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用PECVD在硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,将沉积膜后的样品放在N2气氛中进行快速热处理(RTP),研究了不同快速热处理对PECVD氮化硅薄膜件能的影响.采用原子力显微镜(AFM)检测薄膜的表面形貌,利用椭圆偏振仪测量样品膜厚和折射率,利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测鼋样品的少子寿命.实验结果表明随着RTP温度的升高,薄膜厚度迅速减小,折射率迅速增大;低于500℃热处理时,少子寿命基本不变;高于500℃热处理时,随着温度的升高,少子寿命急剧下降.氮化硅薄膜经热处理后反射率基本不变. 相似文献
17.
《固体电子学研究与进展》2016,(1)
双芯GCT(Dual-GCT)是一种基于传统的非对称GCT提出的一种新型电力半导体器件,同时拥有很低的导通损耗和关断损耗。少子寿命是双芯GCT的关键参数,对其静、动态特性有重要的影响。采用ISE-TCAD软件分析了局部寿命控制对波状基区双芯GCT(CP Dual-GCT)特性的影响,结果表明,通过局部电子辐照和质子辐照实现的局部寿命控制可以改善波状基区双芯GCT的综合特性,降低其损耗。 相似文献
18.
19.
20.
用光电导衰退法测量半导体薄片的少子寿命时,由于表面复合的影响,通常从光照后少子衰退曲线中算得的表观寿命与实际的体寿命是相差很大的.本文给出了少子扩散方程的一种解法,计算表明,少子光电导衰退曲线用本方法解出的一次模和二次模的叠加来表示已是足够了.可以利用算得的一次模、二次模表达式从少子衰退曲线中算出表面复合速度和少子体寿命,其计算方法是比较方便的.本文还给出了一些实验和计算结果. 相似文献