AlN-SiC固溶体的制备及介电性能

以碳化硅和铝粉为原料,均匀混合后在不同气氛中于2000℃下保温0.5h制得粉体.用X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对其进行表征.同时在8.2～12.4 GHz频率范围内测试其介电性能.结果表明:在N2气氛中,当铝的含量较少时,未出现AlN物相,当铝含量超过10at%时,AlN相开始出现,并且AlN的含量随着铝含量的增加而增加.掺杂铝样品与未掺杂铝样品相比,其介电常数实部ε'和介电损耗tanδ皆降低,且随着铝含量的增加而逐步降低,主要是因为AlN具有较低的介电常数实部和损耗.     

钛酸锆固溶体微波介电瓷的制备与性能

用共沉淀的方法制备了一系列ZrxTi1-xO4(0.4≤x≤0.6）纳米粉，XRD物相分析为ZrTiO4固溶体，TEM观察粒子粒径为20～30nm。通过制陶实验对该系列固溶体的烧结特性，形貌及介电性能进行了研究。结果表明，TiO2含量影响固溶体的最佳烧结温度，在相同的烧结温度下，TiO2含量越高，瓷体的相对密度越低，晶粒越大。该材料有很好的频率、温度稳定性，其介电性能与组成和瓷体的相对密度有关。介电常数和品质因数随瓷体相对密度增大而增大。当材料的相对密度高于90%时，随着TiO2含量增加，其介电常数增大，而品质因数降低。     

BCTZ-环氧树脂复合材料的制备和介电性能研究

采用固相反应法制备了Ba0.96 Ca0.04 Ti0.8 Zr0.2 O3 (BCTZ)陶瓷粉末,然后采用溶液混合,热压的方法制备了BCTZ-环氧树脂(Epoxy)复合材料,研究BCTZ-环氧树脂复合材料介电性能与陶瓷含量、测试频率和温度的关系.结果表明,BCTZ-环氧树脂复合材料具有高的介电常数(48.6)和低的损...     

PVDF／PAn纳米复合材料的制备及介电性能的研究

以N—N二甲基甲酰胺为溶剂、十二烷基苯磺酸钠为表面活性剂、过硫酸铵为氧化剂,利用聚偏氟乙烯（PVDF）中氟原子与苯胺分子中胺基氢原子之间的氢键作用,将苯胺小分子吸附于聚偏氟乙烯表面,然后经过乳液聚合反应,使聚苯胺（PAn）纳米颗粒均匀地包覆在聚偏氟乙烯表面,通过分子自组装过程制备出了具有核壳结构的聚苯胺包覆型PVDF／PAn纳米复合材料,用FT—IR、XRD、SEM、TH2818分析仪分析了材料的结构、形貌以及介电性能。     

介孔Ce_xZr_(1-x)O_2固溶体的制备及表征

以硝酸铈、硝酸锆为无机源,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂.采用水热法制备了介孔Ce_xZr_(1-x)O_2固溶体,考察了n(CTAB)/(n(Ce)+n(Zr))及铈锆物质的量比对其结构的影响.通过X射线衍射(XRD)、N_2吸附脱附、高分辨透射电镜(HRTEM)、FT-IR分析手段对其结构进行了表征.结果表明,n(CTAB)/(n(Ce)+n(Zr))对样品结构有很大影响,在优化条件下.合成的Ce_xZr_(1-x)O2固溶体具有与CeO_2相似的立方萤石结构;采用两步焙烧法去除模板剂后,HRTEM显示样品是由纳米粒子堆积而成,并具有孔道结构;介孔Ce_(0.5)Zr_(0.5)O_2的比表面积为175m~2/g,平均孔径和孔体积分别是5.9nm和0.257cm3/g;Ce~(0.75)Zr_(0.25)O_2的比表面积为110m~2/g,平均孔径和孔体积分别为9.4nm和0.261cm~3/g.     

旋光聚氨酯脲的制备、表征及其介电性能研究

利用联萘基团的结构刚性和轴向不对称性,通过氢转移加成聚合制备了具有光学活性的旋光聚氨酯脲(R-PUU)和消旋聚氨酯脲(PUU).采用傅里叶红外光谱、紫外-可见光谱、X射线衍射、热重等表征手段对R-PUU和PUU进行了表征,并测定了材料的介电常数(ε).结果表明:R-PUU的ε值为1.7356,PUU的ε值为0.7136,R-PUU更规整的聚合物结构可能有利于提高材料的介电常数.     

滑石粉涂层复合材料的制备及其介电性能和电导率

以玻璃纤维膨体纱织物为基材,以环氧树脂E44为粘着剂,650低分子量聚酰胺为固化剂,以价格低廉、密度较小的滑石粉为吸波材料,制备了滑石粉涂层复合材料。重点探讨了滑石粉含量及涂层厚度对介电常数和电导率的影响。结果表明制备的滑石粉涂层复合材料具备良好的介电性能。在研究的频率范围内,滑石粉的含量、涂层厚度对复合材料的介电常数实部和虚部、损耗角正切值、电导率的实部和虚部影响较大。     

纳米PbF2的介电性能

采用惰性气体蒸发和原位压结法制备了具有清洁界面的纳米PbF2块材.通过X射线衍射和介电测量,研究了物相组成、介电性能与频率和温度的关系.探讨了退火处理对试样物相组成和介电性能的影响.     

掺锰PMW-PT陶瓷的制备及其介电性能研究

采用半化学法制备了掺锰的0.5Pb(Mg1/2W1/2)O3-0.5PbTiO3(PMW-PT)陶瓷.掺锰PMW-PT反应前驱体是以醋酸镁和硝酸锰分别代替传统化物法中的MgO和MnO2制得的.通过XRD和SEM对掺锰PMW-PT陶瓷样品进行了表征,并测试了陶瓷的介电性能.主要讨论了烧结温度和掺锰对PMW-PT陶瓷介电性能的影响.研究结果表明:半化学法能够制得掺锰均匀且为纯钙钛矿相的PMW-PT陶瓷,掺锰抑制陶瓷的晶粒长大,从而提高了PMW-PT陶瓷的烧结温度;掺锰明显降低了陶瓷的介电损耗,同时提高了陶瓷的介电常数,但随掺锰量的增加,陶瓷的介电常数减小.PMW-PT陶瓷的合适掺锰量为0.25mol%,烧结条件为1050℃/2h,最大介电常数为9230,介电损耗低于0.04.     

高填充钛酸钡/氟硅橡胶纳米复合材料制备及介电性能调控

通过阴离子聚合手段合成出三氟丙基含量可控的聚氟硅氧烷,并利用“巯基-乙烯基”点击技术制备出高填充钛酸钡/氟硅橡胶（BT/FSR）纳米复合材料。结果表明,硅橡胶均匀包覆在钛酸钡纳米粒子表面并彼此黏接,使纳米粒子在基体中分散均匀、界面致密,引入三氟丙基并未影响高填充高分子微观形貌,有效避免了界面缺陷和抑制了界面极化。其次,在10³Hz下,质量分数88%BT/FSR纳米复合材料的介电常数高达60.1,与88%BT/SR纳米复合材料相比提升了23.9,而介电损耗仍低于0.03,并可通过控制氟硅橡胶基体中三氟丙基含量调控介电性能。     

AlN-SiC复合超细粉制备技术的研究进展

综述了国内外AlN-SiC复合超细粉制备方法的研究进展，着重阐述了化学合成法，包括溶胶-凝胶法，碳热还原氮化法、自蔓延高温合成法及化学气相沉积法（CVD）等的研究状况，并对不同制备工艺的优缺点进行了评述，结合本实验室的研究成果，认为原位化学反应合成工艺是今后制备AlN-SiC复合超细粉的发展趋势，并介绍了该领域的最新发展动态。     

固态电介质的物理特性及其应用前景

本文综述了固态电介质的特征、极化的基本过程、极化弛豫过程中的表征及其各种物理特性和相关的技术应用，介绍了固态电介质介电特性研究的最新进展，明确指出开发性能优异的铁电器件关键在于设法获得具有高介电特性、低损耗、高稳定性和抗疲劳等综合物理特性的固态电介质材料。     

掺锰钛酸钡PTC陶瓷复合材料介电特性的研究

应用标准的陶瓷制备工艺制备掺锰钛酸钡ＰＴＣ陶瓷复合材料，在不同电场频率下测试样品的相对介电常数－温度特性，发现当温度高于居里点后，开始不同掺锰浓度样品的相对介电常数随温升级慢变化，到达某特殊温度时，出现异常跃升；异常跃升的起始温度依赖于掺杂浓度和测试电场频率，其峰值随测试电场频率的降低而增大。通过分析相关的物理过程应用离子极化理论对测试结果进行讨论。     

Al2O3添加剂对合成MgTiO3陶瓷相组成及介电性能的影响

研究了添加剂Al₂O₃对MgO和TiO_２合成MgTiO₃陶瓷烧结性、物相组成和微波介电性能的影响,XRD分析结果表明:没有添加Al₂O₃时,合成的MgTiO₃陶瓷中只含有MgTiO₃和MgTi₂O₅相;加入Al₂O₃后MgTiO₃陶瓷中除了MgTiO₃和MgTi₂O₅相外,还出现了MgAl₂O₄相,这是由于Al₂O3和 MgO发生固相反应．MgAl₂O₄的出现虽然阻碍材料的致密化并导致密度下降,但是可以降低反应烧结合成MgTiO₃陶瓷的相对介电常数和介电损耗．     

低介电常数微波介质陶瓷研究进展

随着微波通信技术向毫米波段延伸,低介电常数微波介质陶瓷的开发成为介质材料的研究热点。概述了Al2O3系、硅酸盐系、AAl2O4系(A=Zn、Mg)、钨酸盐系、磷酸盐系及石榴石结构化合物体系等低介电常数微波陶瓷材料体系的研究进展,并指出了低介电常数微波介质陶瓷目前存在的问题及发展趋势。     

SiO2/SiO2复合材料高温介电性能演变规律及温度特性研究

根据经高温烧蚀后SiO2/SiO2复合材料物态表征结果,分析了室温至1200℃温度范围内影响SiO2/SiO2复合材料介电性能的主要因素.运用有效媒质理论,建立计算SiO2/SiO2复合材料介电参数的经验模型,实现SiO2/SiO2复合材料高温介电性能温度特性模拟(室温～1200℃),模拟结果与实际结果基本相符.在此基础上,对1200～1500℃温度范围内SiO2/SiO2复合材料介电性能的变化规律作出预测.