高压熔断器的异常熔断原因探究

高压熔断器的使用时常会给电力系统带来较大的安全隐患,如果使用不当的话,电网的安全性也会受到威胁,本文针对异常熔断的原因展开分析,了解高压熔断器的特性,并且提出解决异常熔断的措施,以供参考.     

开关电源熔断器熔断分析及其在电路中的应用

熔断器在电路保护中扮演着十分重要的角色。一般电子线路中都要采用熔断器对电路故障情况下的系统进行保护。熔断器是最简单有效的过电流保护元件,能否准确地根据电路系统的实际情况选用合适的熔断器将直接决定电子设备能否正常安全工作。以多路转换开关电源正常运行中,发生熔断故障的熔断器为样本,在计算分析、仿真的基础上,给出了一般电子设备中如何选用这类熔断器的方法。     

真空熔断器在较低过电流范围内的工作状态

普通高压熔断器是用石英砂来填充的。它们的电流限制能力非常出色，但在较低过电流范围内，它们的运动区域不确定。为了克服这一缺点，我们用真空来取代石英砂进行研究。而这些研究是在电流过零时真空开关具有良好熄弧能力的基础上进行的，因此真空熔断器的历史发展很大程度上受到真空开关领域发展的影响。真空熔断器可以设计为在真空容器中固定对接触头（电极）间插入一个可熔元件的结构。对设计简单的带平面触头的真空熔断器，我们     

一种基于电流叠加型无损电流检测的升压型变换器北大核心CSCD

为了满足便携式电子产品的需求,设计了一种电流叠加型无损电流检测器和基于该检测器的升压型变换器。该电流检测器采用并联于电感两端的RC网络将电感电流转换成电压信号而实现电流的无损检测,利用电压-电流转换电路将检测电压和斜坡补偿电压转换为电流进行叠加并转换成电压作为最终检测结果。与现有电流检测器相比,该电流检测器具有结构简单、功率损耗小、精度高、响应速度快等优点。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺完成了整体电路设计和版图参数提取后仿真验证。后仿真结果显示,当电感电流在0~600 mA范围内变化时,电流检测器检测误差小于2.9%,功耗仅为0.05 mW;当输入电压为3 V时,在100 mA输出电流下变换器转换效率可达92%,负载调整率和线性调整率分别为0.51%和0.23%。     

小电流接地系统母线接地与TV熔断器熔断故障的辨识

在小电流接地系统中，母线接地与TV熔断器熔断故障占有较大比例，本文通过对某地区典型故障实例进行分析，并对相关的知识点进行阐述，提出了这两种故障的辨识要点，为电网运行人员正确判断、分析和处理事故提供了借鉴。     

小线径键合金丝熔断电流测试与分析

键合引线的电流承载能力是封装设计的重要考虑因素之一,如果设计不当会导致引线熔断失效.目前小线径键合金丝在高集成度、多I/O、高频率封装中的应用越来越多,但对小线径金丝熔断特性的研究较少.文中分析了熔断电流理论计算的局限性,设计了熔断电流测试样件及测试软件,对小线径金丝的熔断电流进行了测试,并给出了安全设计电流建议.     

多种方法研究二极管的伏安特性曲线

介绍了多种用于测量二极管伏安特性的方法,我们利用四种方法分别测量同一个二极管的电流电压值,并得出实验数据。用实验数据画出对应各个方法测得的二极管的伏安特性曲线,最后通过对四种方法测得的伏安特性曲线图做出相应的分析给出测量最为精准的方法。     

浅谈电流互感器伏安特性现场试验

电流互感器（TA）可以对一次系统的大电流进行隔离并将大电流变成小电流,使二次系统（继电保护及自动装置和测量仪表）能够安全准确的获取电气一次回路的电流信息。电流互感器现场试验除高压试验部分的绝缘电阻测量、交流耐压等试验外,对于继电保护专业还需进行变比、极性试验和伏安特性试验及核算。     

涡流无损检测中变频激励新方法

DDFS（直接数字频率合成器）技术是一种重要的频率合成方法,具有频率精度高、频率变换快、相位可连续线性变化等优点,在涡流无损检测中有着广泛的应用前景。在阐述DDFS原理的基础上,分别论述了直接利用凌阳公司生产的片上型微处理器SPCE061A及利用Micro Linear公司生产的单片电路ML2035实现变频激励的两种方法,详细阐述了两种变频激励方法的实现过程,通过实验测试分析了两种方法的优缺点。通过涡流无损检测仪等实际应用表明所阐述方法合理可行、效果良好。     

引信电源性能测量电路设计

介绍了一种存储测试系统,该系统可以对处于高冲击和高速旋转恶劣环境中的引信电源的一些重要参数进行测量。电路采用单片机和CPLD联合控制的方法,充分利用了CPLD的高速和MCU控制灵活的特点,实现了数据采集和Flash存储器的读、写、擦除操作,以及与上位机通信的控制,从而实现微体积、微功耗、大容量的存储测试系统设计。分析了在闪存中构造负延迟存储空间的方法,以及AD校准的方法。整个系统经过实测在恶劣的环境中能够稳定的工作,达到了设计的目的,系统同样可以用于测试一般的化学电池。     

基于电流测试的混合电路故障诊断

在运用小波神经网络进行混合电路故障诊断的过程中,测试参数的选取至关重要。研究了一种基于电流测试的故障诊断。该方法即通过PSPICE模拟电路的静态及动态电流信息,再通过小渡神经网络的结合,证明了该方法在混合电路故障诊断中的可行性,为提高混合电路的故障诊断率提供了一种新的方法。     

高可靠熔断器步进电应力极限评估试验

介绍了高可靠熔断器极限评估技术的提出背景,分析其熔断机理,设计了熔断器电流步进极限评估试验,考察熔断器在电应力下的热平衡状态和可靠性水平;并选用国产典型型号的宇航用高可靠熔断器,对设计的试验方法进行了验证,结果显示本试验方法合理可行,从而为规范熔断器极限评估试验方法提供了基础和依据。     

有机薄膜晶体管直流电流-电压模型的研究

通过对有机薄膜晶体管(OTFT)电流-电压特性的研究,建立了一种用于电路模拟的仿真程序(SPICE)的OTFT直流电流-电压模型,所用的参数都可从实验特性曲线中提取。对一种基于并五苯(Pentacene)的底栅顶接触(TC)结构的OTFT的实验曲线进行参数提取,并利用所得的参数与建立的模型进行仿真,得到的输出特性和转移特性曲线与实验结果无论在线性区还是在饱和区都具有较强的一致性,验证了本文所建模型及参数的准确性。建立的模型能够准确描述OTFT的直流特性,可用于有机电路的SPICE仿真。     

偏振技术在激光引信抗烟雾干扰中的应用分析

激光引信如何抗云、烟环境干扰一直以来为该领域的研究热点。利用人工实体目标反射与烟雾后向散射回波的偏振度差异,设计了一种基于偏振探测的激光引信。该探测系统对烟雾后向散射信号产生消光效应远大于目标探测信号,选择性的降低了引信接收烟雾后向散射信号的能力。并结合激光引信的阈值探测原理和探测概率曲线,理论计算了该偏振探测系统对烟雾的探测概率降低到原探测系统的0.4%。最后结合工程研制经验,分析了该探测系统通过系列措施,既能保证其对目标的探测,又可大幅降低对烟雾的探测概率,而有望成为本质提高激光引信抗环境干扰的新方法。     

基于THz-TDS的碳纤维复合材料无损检测

基于反射式THz-TDS成像技术对碳纤维缠绕增强复合材料缺陷进行无损检测实验,获得不同缺陷碳纤维样品的成像结果及数据。结果表明,反射式THz-TDS成像技术在0.1～3.5 THz波段对碳纤维复合材料中的热损伤、划伤缺陷、磨损缺陷及孔洞缺陷成像清晰,分辨率较高;且获得的时域波形对样品热损伤缺陷敏感,适用于局部检测对整体性能的判断。     

Design of ICs applying built-in current testing

Built-in Current (BIC) sensors have proven to be very useful in testing static CMOS ICs. In a number of experimental ICs BIC sensors were able to detect small abnormal I _DDQ currents. This paper discusses the design of the circuit under test and Built-in Current (BIC) sensors, which provide: maximum level of defect detectability, minimum impact of BIC sensor on the performance of the circuit under test and minimum area overhead needed for BIC sensors implementation.This research was supported by NSF Grant MIP8822805.     

法拉第磁光效应在可视化涡流检测中的应用

为了实现对亚表面下细小缺陷的检测,采用了法拉第磁光效应和电涡流效应相结合的方法.用间歇式脉冲信号去激励线圈,使靠近该线圈的受检金属试件中产生涡流效应,磁光薄膜在该涡流磁场的作用下产生磁光效应,使经过的线偏振光的偏振方向发生偏转,包含了缺陷信息的光线经偏振分光镜反射后可以被CCD接收,从而就可以检测到亚表面下细小缺陷.试验结果表明,磁光涡流显微成像方法是一种现实、可行的无损检测方法.     

脉冲红外热成像无损检测系统分辨力研究

本文从理论上给出评价脉冲红外热成像无损检测分辨能力的依据,并以尼龙试件为例 探讨了检测系统分辨力与缺陷深度、大小及检测时间之间的关系,从理论上给出检测系统对尼龙试件中缺陷深度和大小的检测极限分别为2. 5mm和2. 7mm,以及最佳的检测时间为热脉冲作用后的35 s左右。同时,将理论结果与实验结果作了对比验证。