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3电解处理的要求3.1查明有害杂质的来源电解处理可以去除某些杂质,但有时也会产生杂质。例如有害杂质来源于不纯的阳极,电解处理时仍用这种阳极,那么随着电解过程的进行,杂质就会越积累越多,故障越来越严重;假如杂质来源于某些化合物在电极上的分解,那么电解将使这类分解产物逐渐增多。这样的电解处理,不但不能净化镀液,反而[1]会不断加重镀液的污染。原南京自行车零件五厂在氯化钾镀锌时,镀层会像松树皮一样剥落下来。经查锌 相似文献
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自上期(2012年第4期)本刊在编读往来栏目登出一位忠实读者来信请教有关小电流电解除去金属杂质等问题后,不到二个月,就收到吴双成、储荣邦二位热心专家就此问题所做的解答。经电话询问得知,这篇解答是经过二位专家你来我往,反复推敲而成,可见二位专家求真务实、治学严谨之态度和学风,值得敬佩和提倡。吴双成先生大学毕业近30年来一直工作在电镀槽旁和实验室中,储荣邦先生是我国著名的电化学专家、武汉大学查全性院士的第一个硕士研究生。吴、储二位专家都长期奋战在生产第一线,都有着极其深厚的理论知识功底和精湛的实战技能。相信他们的解疑作答定会让读者受益匪浅。《电解法去除电镀液中杂质的原理及应用》一文将以连载的形式刊出,也希望广大专家、读者积极关注这个栏目,踊跃撰稿。 相似文献
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(接上期)5.4酸性半光亮镀镍溶液和光亮镀镍溶液(1)铁杂质是镀镍液中常见的杂质,不宜超过0.05g/L。铁杂质在镀液中主要以Fe2+存在,容易形成极小的氢氧化亚铁胶体,胶体吸附Fe2+而形成[nFe(OH)2)Fe2+微粒,向阴极移动,破坏镀镍层致密性和连续性,并夹杂在镀镍层中,使镀镍层孔隙增加,抗腐蚀性降低。在测量孔隙时,出现蓝色的假象斑点,会混淆对镀层的质量判断。同时,还会产生纵向裂纹,导致镀层发脆,特别是当铁杂质含量大于0.05g/L时,这种现象尤为明显,此时,溶液浑浊,阳极袋的白色变黄,镀层呈暗灰色,孔隙成倍增加。三价铁在pH值3.5以上时易产生沉淀,尤其是暗镍镀液,氢氧化铁沉淀将导致镀层表面粗糙、发雾、有针孔、发脆、应力大、硬度高、有麻点、孔隙率增加,镀液分散能力不好,麻点使用湿润剂无法消除。 相似文献
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溶液中硫酸钠等杂质对氧化铝生产的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对几个混联法厂溶液中碳酸钠(Nc)、硫酸钠(Na)、氯离子(Cl-)等含量的检测结果,分析这些杂质对氧化铝生产的影响,并提出组织混联法生产的优化措施 相似文献
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本文介绍了电镀金刚石钻头生产中各成分的作用及杂质对钻头质量的影响,对电镀液的主要成分的分析化验及维护进行了详述。 相似文献
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在工业条件下,氢氧化铝是从含有一定量有机杂质和无机杂质的过饱和铝酸钠溶液中结晶出来的,有机杂质及无机杂质的浓度和成份对分解过程指标有很大影响。新企业投产以来所获得的有关杂质积累的动力学资料有着特别重要的价值。首先,这类 相似文献
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通过热力学计算和分析添加KBF_4去除Al-Si合金中杂质Fe相的可行性,并利用金相显微镜、扫描电镜、能谱仪和XRD等,研究了Al-7Si合金中添加KBF_4后合金组织形貌和析出的沉淀相。结果表明,熔炼温度为1 013K,加入精炼剂除气除渣,再加入1.6%的KBF_4,保温30min后静置沉淀,Fe含量从1%下降到0.68%。XRD分析经过沉淀后的试样底部组织,发现生成了Fe_2B与AlB_2。KBF_4对铝合金除Fe的同时又能起到细化铝合金晶粒尺寸的作用。 相似文献
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提出简易、快速容量滴定法测定电镀液中氟硼酸根。BF^-4于0.1-0.5mol.L HCl介质中煮沸3min,它被分解定量释放出F^-,用ARS-XO-CPB为混合指标,Th(NO3),标准溶液滴定释放出F^-,终点变化很敏,从而计算出BF^-4。该方法可应用于测定低浓度镀铬溶液和镀铜溶液中的BF^-4。 相似文献
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Al是硅中的主要杂质元素之一,通过真空定向凝固去除硅中的Al,在工业化提纯多晶硅中得到广泛应用。采用纯度为99.98%、铝含量为1.54×10-6的硅为原料,在500kg铸锭炉内进行提纯试验。结果表明,杂质Al的去除效果明显,Al的含量最低可以降低到2.8×10-8,去除率达98.2%。通过对过程分析后发现,在采用铸锭炉进行提纯试验的过程中,杂质Al的去除主要是通过定向凝固提纯过程中的分凝与真空挥发共同作用完成的。 相似文献
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工业铝酸钠溶液中的杂质草酸钠.对生产过程会产生不利影响。在种分分解过程中.由于温度的降低,草酸钠和氢氧化铝共同结晶,助长了晶粒细化现象,妨碍晶体附聚并在焙烧过程中降低晶体的强度,给生产、维修和产品的产量、质量等方面带来一系列不良影响,因此.必须有效地去除铝酸钠溶液中的草酸钠。实验发现,未经预处理的工业铝酸钠溶液,结晶去除草酸钠没有效果.而采用浓缩结晶法,铝酸钠溶液中草酸钠的去除效果明显。实验中考察了溶液浓缩程度、结晶时间、晶种量、温度对去除草酸钠效果的影响。确定了最佳的去除草酸钠条件。用XRD证实了结晶后的滤饼含有草酸钠。 相似文献
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研究了二氧化硅对铝酸钠溶液分解过程的分解率、产品粒度及形貌的影响。根据实验结果用基于密度泛函的Dmol3程序计算SiO32-以各种不同方式位于氢氧化铝(001)和(100)面时的总能量和电子结构等,用晶体生长习性计算程序Morphology分析各体系的平衡形态及生长习性。实验结果表明:在一定的分解时间范围内,硅能抑制铝酸钠溶液种分分解,对分解产物氢氧化铝的晶体形貌有影响,其(100)面的显露有所增加。理论计算结果表明:SiO32-的存在明显改变氢氧化铝(001)和(100)表面的电子结构,SiO32-在氢氧化铝(001)和(100)表面上时,靠近(001)面的O原子多的体系稳定性低。平衡形态及生长习性计算结果表明:SiO32-在氢氧化铝(001)表面上时,各体系长大晶粒的体积均小于无SiO32-体系中(001)的晶粒体积;而SiO32-在氢氧化铝(100)表面上时,各体系长大晶粒的体积比均大于SiO32-体系中(100)的晶粒体积。 相似文献
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《稀有金属材料与工程》1994,(2)
间隙杂质的固相电解去除团相电解、激光精炼、冷坩埚磁悬浮熔炼是3种较新的物理精炼方法。其中激光熔炼技术(LMP)毕竟是一种未来的提纯技术。而固相电解则是一个研究得相对较多的提纯技术,它已经成为实验室规模制备超高纯稀土金属的方法。固相电解的研究主要在美A... 相似文献
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针对工业硅中杂质深度去除困难的问题,本文提出在传统湿法除杂的基础上,通过借助金属辅助化学刻蚀技术在工业硅中引入多孔结构,使工业硅内部包裹的杂质充分暴露给浸出剂以实现各主要杂质深度去除目的。系统考查了不同工业硅粉粒度、刻蚀时间对主要金属杂质Fe、Al、Ca、Ti和V的去除影响,探究了工业硅中杂质相及周边硅相形貌的原位衍变过程及多孔硅形成原理。结果表明:随着工业硅粉粒度的减小,多孔硅表面多孔形貌逐渐变得紧致,硅中杂质的去除率升高;随着刻蚀时间的延长,多孔形貌变得更为疏松并有利于杂质的去除;杂质相的存在可促进金属辅助化学刻蚀反应的进行并有利于多孔形貌的引入。在较优试验条件下,工业硅中各主要杂质去除率为Fe 98.91%、Al 98.15%、Ca 95.41%、Ti 99.76%、V 100%。 相似文献
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研究加压浸出过程中盐酸溶液提纯冶金级硅过程的动力学特征以及去除杂质Al时颗粒粒度、反应温度、总压强、盐酸初始浓度等因素对动力学的影响。结果表明:反应过程符合核收缩模型的固态产物层扩散方程;反应过程中,表观反应活化能为34.067 kJ/mol,表观反应级数为0.346。硅粉粒度、温度、压强和盐酸浓度共同对Al去除率的影响的动力学数学模型经过不同条件下实验结果与计算结果进行对比验证,使用该模型计算所得结果与实验结果吻合较好。 相似文献
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生物吸附-沉降法去除电镀废水中镉 总被引:5,自引:1,他引:5
以水沈废啤酒酵母为吸附剂,采用吸附-沉降法,研究水洗废啤酒酵母对电镀废水中镉的吸附规律及沉降效果.结果表明,在废水中镉含量为26mg/L、pH7、水洗废啤酒酵母用量40g/L(含水约72%)、室温(约18℃)、搅拌速度800r/min、吸附时间30min、沉降3.5h的条件下,废水中镉的吸附率及吸附-沉降后镉的去除率均达96%以上.并采用透射电子显微镜、电动电位及红外光潜分析手段,分析水洗废啤酒酵母对镉的吸附机理.水洗废啤酒酵母对镉的吸附不仅发生菌体表面,也发生在菌体内部.吸附过程存在化学络合、静电吸引、氢键等作用. 相似文献
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钨酸盐溶液中除钼砷锑锡等杂质的研究 总被引:2,自引:1,他引:2
应用合成的改进型试剂M115 a,研究了从钨酸盐溶液中选择性沉淀除钼、砷、锡、锑等杂质的新工艺。小型试验证明其除杂效果比用M115有大幅度提高 ,在温度为 2 0~ 6 0℃ ,沉淀剂M115 a的用量为理论量的 3~ 4倍以及保温时间为 1h时 ,对含WO3 为 2 10 g/L ,Mo为 0 .6 g/L ,As,Sb ,Sn各为 0 .2g/L的 (NH4 ) 2 WO4 溶液 ,最终的纯溶液中Mo和WO3 的浓度比小于 0 .5× 10 -4 ,同时溶液中的砷、锡、锑也大部分被除去 ,WO3 回收率大于99.9%。在结晶率为 90 %左右时 ,所得APT中上述杂质的含量全部符合GB10 116 88 APTO级标准。 相似文献