亚微米离子束技术

本文主要介绍液镓场致发射离子源及其在聚焦离子束加工方面的应用,同时简要评述了离子束微细加工技术研究状况与亚微米离子束的功能特点,展望了亚微米离子束技术的发展前景。     

亚微米图形曝光机

最近日本加农公司发表了一种用于超大规模集成电路的高精度投影曝光机,并已出售商品,以前人们普遍认为投影曝光方式,在大规模集成电路等微米领域的图形制作中是很有效的。但若用于超大规模集成电路等亚微米领域是不太可能的。加农公司采用综合透镜技术制出了超高分辨率透镜,进而打破了投影曝光方式不能用于亚微米技术的错误结论,成功地制出了亚微米图形曝光机。 用电子束或接触方式制作亚微米半导体器件一般是很有效的。但是,以激光和X线为光源的电子束方式,曝光时间太长。接触方式制备掩模太困难,成品率也低,因此都具有局限性。而投影曝光方式曝光时间短,又由于光掩模不与片子直接接触,所以成品率大大提高。 加农公司的这种新的亚微米图形曝光机不仅可以用作超大规模集成电路,也为超高频晶体管、CCD(电荷耦合器件)等新器件的研制开拓了新的途径。     

液态金属离子源与亚微米离子束技术

本文介绍一种新型的高亮度离子源——液态金属离子源。具体述及它的结构特点、主要原理及发展近况。同时介绍利用液态金属离子源的各种亚微米离子束装置的主要构成、性能以及目前几种主要用途。     

亚微米聚焦离子束溅射刻蚀的实验研究

简要介绍了自制的聚焦离子束（ＦＩＢ）系统中束着靶点的飘移现象，分析引起飘移的原因及所采取降低飘移的措施。用此ＦＩＢ进行了一些基本图形的刻蚀研究，讨论了束流密度分布对溅射刻蚀线条宽度的影响。最后介绍了用ＦＩＢ制作光电集成电路的谐振腔面和耦合腔的一些经验。     

日立采用聚焦离子束技术制成亚微米 MOSFET

<正> 日立制作所最近采用聚焦离子束技术试制了有效沟道长度为亚微米的 MOSFET(IB-MOS)。由于 IB 技术的优良的可控制性和辐射效应的效果,现已成为必不可少的工艺技术。目前正在研究向新领域的应用问题,如向更高精度的微细区的掺杂、深结的形成和新物质的合成等。器件的制作:基本上是采用 n 沟硅栅工艺,用离子束注入到 MOSFET 的沟道中心部分的方法构成器件。栅材料是多晶硅,源和漏是用 As 注入,深2μm,沟长0.65μm;FIB是用 B~+     

光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量

论述了近年来光学邻近校正技术的进展,讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法,并分析了邻近效应校正是未来光刻技术中的地位和作用。     

用于亚微米图形加工的离轴照明技术

本文主要介绍了国外用于提高光学片子步进机成像性能的高分辨率、大焦深的离轴照明技术。通过几种照明技术的比较，指出了可用于亚半微米器件图形转印的环形照明技术在未来６４Ｍ～２５６ＭＤＲＡＭ器件时代进行规模生产的潜力所在。     

基于混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法

提出了一种基于投影式光刻机和电子束光刻机混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法,该方法可用于制作对精度要求比较高的亚微米图形。具体的做法是将亚微米图形分解成高精度图层和普通精度图层,并将两个图层分别采用电子束直写和投影式光刻机依次在同一层光刻胶曝光后,经过一次显影得到完整图形。通过该方法不仅可以大幅减少采用电子束直写亚微米图形所需的时间,还可以有效地保证图形的线宽精度。从图形的数据处理和实验制作两个方面,详细地介绍了采用该方法在硅衬底上制作SU-8亚微米图形的过程。经SEM测试得出,本方法制作的图形尺寸精度和棱角的锐度都非常精确,可比较理想地实现设计者的设计要求。     

超LS1共同研究所的亚微米图形剥离技术

日本超LS1技术研究组合共同研究所的直到0.25微米的线条与间隔图形,被选为划时代的剥离技术。为更进一步将此技术用于布线,所以也同时研制了金属化工艺,这些都在十二月举行的电子通信学会半导体与晶体管研究会上发表了。 剥离技术作为高精度加工方法是超LS1等的亚微米器件所不可缺少的技术。用以往的加工方法,由于部分剥离不成功     

伺服图形预刻机亚微米光斑曝光技术

本文讨论利用激光器产生亚微米光斑、在涂有光刻胶的磁盘上曝光的有关技术．给出了伺服图形预（光）刻机的系统结构、光路及刻录头设计，提出了伺服图形微斑记录曝光模型．     

光缆图形绘制

光缆厂家制作标书、技术人员设计光缆产品、撰写光缆论文等都需要绘制光缆图 ,绘制光滑美观的光缆图是非常重要和必须的 ,目前 ,绘制光缆图主要有两种方法 :手工绘制和计算机绘制。第一种方法是常用的方法 ,该方法比较烦琐复杂 ,光缆图主要是由许多同心圆和外切圆组成 ,手工绘制需要圆规和直尺 ,需要计算外切圆的半径 ,绘制起来比较麻烦 ,绘制的图形不美观 ,而且需要将图形剪下来用胶水粘在文件里 ,复印后才能使用。第二种方法越来越普及 ,该方法是利用专业的计算机辅助设计软件来绘制光缆图 ,例如 ,Auto Desk公司的辅助设计软件《AUTOC…     

亚微米聚焦离子束系统的合轴技术及聚焦检测技术

本文介绍了二级透镜亚微米聚焦离子束系统中的合轴技术和聚焦检测技术，包括合轴的调整及其检测技术的原理和具体方法、离子束聚焦状态的跟踪检测技术，利用此技术可以快速准确地获得微细离子束。     

聚焦离子束光学系统中高压电源稳定度对获得亚微米束斑影响的研究

介绍了应用于亚微米微细加工的２级透镜聚焦离子束系统，从象差和散焦的角度利用理论分析和模拟计算，研究了决定光学系统性能的离子源、离子引出极、预聚焦极、聚焦极等高压电源的稳定度对离子束径的影响，得到了束径小于０．２μｍ时电源必须达到的稳定度（纹波系数小于１０－５），最后提及了所研制的高稳定度高压电源。     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极的速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主。因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ技术显得愈发相似。本文例举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点，ＢｉＣＭＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍有增加，但其性能提高一倍。     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主，因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ的技术显得愈发相似。本文列举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点。ＢｉＣＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍高但其性能提高一倍。     

用聚焦硼离子束注入到硅中以实现亚微米沟道的MOSFET

用聚焦离子束注入到硅中的一种新型亚微米沟道长度器件—离子束MOSFET(IB—MOS),已显示出聚焦离子束卓有成效的应用。这种器件的有效沟道区域是在源—漏之间As~+注入的N~-栅区用16keV聚焦硼离子束的单线扫描来形成的。(束径:0.2μm、束流密度:50mA/cm~2)。用二维器件的模拟证明了源—漏间距为0.8μm的IB—MOS器件在电流增益、漏极击穿电压和短沟道阈值效应等方面都具有明显的改善。制造出的实     

聚焦离子束装置中的图形发生器

聚焦离子束技术(FIB)是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程于一身的新型微纳加工技术。几十年来,随着关键技术的不断突破和完善,达到了前所未有的发展,所突破的关键技术之一就是图形发生器的使用。     

亚微米自对准工艺

介绍了一种新的亚微米发射极窗口刻蚀工艺。利用ＲＩＥ技术和边墙隔离技术，无须对位光刻，使发射极窗口精确地位于发射区中央。该工艺简单，具有良好的可操作性和重复性。