基于0.35μm SiGe BiCMOS的2.5GHz低相位噪声LC压控振荡器的设计

介绍了一个基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺的2.5GHz低相位噪声LC压控振荡器.文章重新定义了压控振荡器工作区域.分析表明谐振回路的电感值和偏置电流对振荡器的相噪优化有重要的影响.本文同时分析了CMOS和BJT压控振荡器设计思路的不同.本设计中,采用键合线来实现谐振回路中的电感来进一步提高相噪性能.该VCO和其他模块集成在一起实现了一个环路带宽为30kHz的频率综合器.测试结果表明,当中心频率为2.5GHz时,在100kHz和1MHz的频偏处相噪分别为-95dBc/Hz和-116dBc/Hz.工作电压为3V时,VCO核心电路的电流消耗为8mA.据我们所知,这是国内第一个采用SiGe BiCMOS工艺的差分压控振荡器.     

基于0.35μm SiGe BiCMOS的2.5GHz 低相位噪声LC压控振荡器的设计

介绍了一个基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺的2.5GHz低相位噪声LC压控振荡器.文章重新定义了压控振荡器工作区域.分析表明谐振回路的电感值和偏置电流对振荡器的相噪优化有重要的影响.本文同时分析了CMOS和BJT压控振荡器设计思路的不同.本设计中,采用键合线来实现谐振回路中的电感来进一步提高相噪性能.该VCO和其他模块集成在一起实现了一个环路带宽为30kHz的频率综合器.测试结果表明,当中心频率为2.5GHz时,在100kHz和1MHz的频偏处相噪分别为-95dBc/Hz和-116dBc/Hz.工作电压为3V时,VCO核心电路的电流消耗为8mA.据我们所知,这是国内第一个采用SiGe BiCMOS工艺的差分压控振荡器.     

LC振荡器的设计要点

主要介绍了LC振荡器的设计要点.从LC振荡器的模型出发,研究了VCO的电路结构、谐振回路对于输出幅度的影响、VCO的噪声源、VCO的相位噪声以及谐振回路的Q值对于VCO的影响.给出了LC振荡器的设计要点及设计中需要考虑的约束条件.     

LC振荡器的设计要点

主要介绍了LC振荡器的设计要点. 从LC振荡器的模型出发，研究了VCO的电路结构、谐振回路对于输出幅度的影响、VCO的噪声源、VCO的相位噪声以及谐振回路的Q值对于VCO的影响. 给出了LC振荡器的设计要点及设计中需要考虑的约束条件.     

LC振荡器的设计要点

主要介绍了LC振荡器的设计要点.从LC振荡器的模型出发,研究了VCO的电路结构、谐振回路对于输出幅度的影响、VCO的噪声源、VCO的相位噪声以及谐振回路的Q值对于VCO的影响.给出了LC振荡器的设计要点及设计中需要考虑的约束条件.     

一种改进的CMOS差分LC压控振荡器

介绍了一种改进的LC振荡器设计方法.谐振回路采用非对称电容结构,与常见的振荡器结构相比,经改进后的电路结构可以获得更好的相位噪声.基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种采用补偿Colpitts振荡器电路结构实现的差分LC压控振荡器,工作电压为2.5V.经仿真证明,在设计中通过调整非对称电容谐振回路中的电容值,可以获得最优的相位噪声.     

一种改进的CMOS差分LC压控振荡器

介绍了一种改进的LC振荡器设计方法.谐振回路采用非对称电容结构,与常见的振荡器结构相比,经改进后的电路结构可以获得更好的相位噪声.基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种采用补偿Colpitts振荡器电路结构实现的差分LC压控振荡器,工作电压为2.5V.经仿真证明,在设计中通过调整非对称电容谐振回路中的电容值,可以获得最优的相位噪声.     

输入输出调谐的低相位噪声CMOS压控振荡器

设计了一个输入输出双调谐的CMOS压控振荡器(VCO),与传统的互补型交叉耦合对结构相比,该VCO谐振回路的有载品质因数得到提高,从而降低了相位噪声.采用CSM 0.25μm RF CMOS工艺设计,使用Cadence SpectreRF工具进行了仿真.仿真结果表明在2.5V的电源电压下,调谐范围为2.24～2.58GHz,达到了14.2%,相位噪声为-128dBc/Hz@1MHz,功耗为15mw.     

一种高性能宽带LCVCO的设计

基于TSMC 65nm CMOS工艺,采用电流偏置型差分负阻结构,设计了一个宽频率覆盖范围(7.6~10.7GHz)的电感电容谐振压控振荡器(LC VCO)。采用差分控制电压方式,减小共模噪声对VCO性能的影响。采用三组可变电容共同作用的方式,减小VCO增益随振荡频率的变化,同时实现频率的温度补偿。创新性地采用一种新型开关结构,在基本不增加面积的情况下,优化了LC VCO的相位噪声性能。将该LC VCO用于为4.2~5GHz双沿采样DAC提供时钟的锁相环电路,实现了良好的相位噪声性能。     

一种高性能宽带LC VCO的设计

基于TSMC 65 nm CMOS工艺,采用电流偏置型差分负阻结构,设计了一个宽频率覆盖范围(7.6 ~ 10.7 GHz)的电感电容谐振压控振荡器(LC VCO)。采用差分控制电压方式,减小共模噪声对VCO性能的影响。采用三组可变电容共同作用的方式,减小VCO增益随振荡频率的变化,同时实现频率的温度补偿。创新性地采用一种新型开关结构,在基本不增加面积的情况下,优化了LC VCO的相位噪声性能。将该LC VCO用于为4.2 ~ 5 GHz双沿采样DAC提供时钟的锁相环电路,实现了良好的相位噪声性能。     

磁带录音技术中噪声问题的探讨

在磁带录音技术中，噪声是一项重要的特性，噪声电平的高低，直接影响声音质量及其效果。本文详细地介绍了噪声的分类及噪声产生的原因。     

40GPIN/TIA光电探测器接收组件的噪声分析

从理论上分析了40GPIN/TIA的各种噪声源,并通过各个噪声源产生噪声的机理,推导出了各种噪声的计算公式,从而可量化探讨探测器组件的噪声.根据仪器性能,采用测试噪声功率测试方法,对光电探测器接收组件的噪声进行了测试,测试结果与理论能很地好吻合.     

开关电源的噪声及其抑制

介绍开关电源的常态噪声和共态噪声产生的原因，以及几种抑制噪声的方法。     

有线数字电视噪声干扰初探

吴江有线数字电视平台于2007年6月建成,并投入试运行,同年8月吴江数字电视整体转换开始,系统正式投入商业运行。结合吴江数字电视的技术维护情况,对引起有线数字电视故障的各种噪声干扰的形成原因进行试探性分析,并提出一些值得借鉴的解决和预防措施。     

A Systematical Approach for Noise in CMOS LNA

A systematic approach is used to analyze the noise in CMOS low noise amplifier(LNA),including channel noise and induced gate noise in MOS devices.A new analytical formula for noise figure is proposed.Based on this formula,the impacts of distributed gate resistance and intrinsic channel resistance on noise performance are discussed.Two kinds of noise optimization approaches are performed and applied to the design of a 5.2GHz CMOS LNA.     

CMOS低噪声放大器中噪声的系统研究方法

采用系统研究方法来分析包括MOS器件的沟道噪声和感应栅噪声在内的CMOS低噪声放大器中的噪声,并提出了一个新的噪声系数解析式.基于此解析式,讨论了分布栅电阻和内部沟道电阻对噪声性能的影响.对噪声性能进行了两种不同的优化,并应用于5.2GHz CMOS低噪声放大器的设计.     

一种新型的红外影像ME噪声去除方法

记忆效应(Memory Effect, ME)噪声是发生在红外光机扫描仪影像中的一种条带噪声。扫描条带中,有明显亮暗突变位置的景物的ME噪声尤其明显,会严重影响影像的目视效果。传统的ME噪声去除方法基于系统脉冲响应函数构建复原滤波器,使用复原滤波器对图像进行复原。该方法的缺点是必须有精确的系统脉冲响应函数。针对传统方法的不足,提出了一种新的ME噪声去除算法。该算法利用影像自身的辐射信息,使用检测模板遍历整景影像以检测ME噪声,对检测到的噪声使用迭代法去除。最终,选取资源一号01星的IRMSS影像进行了试验。结果表明,该方法可以有效去除ME噪声,从而提升图像的辐射质量。     

静态串扰噪声识别算法

传统的静态串扰噪声识别算法只验证耦合电容和噪声幅值信息,没有考虑噪声宽度对电路逻辑功能的影响,所以给出的结果过于保守,导致设计收敛的时间被延长。文章在传统算法的基础上增加了噪声宽度这一识别指标,克服了以往算法结果过于保守的缺点。实验表明,通过验证噪声幅值和宽度指标,算法准确地识别出对电路逻辑功能产生影响的静态串扰噪声,为IC设计的后端优化提供了准确信息。     

基于三维噪声模型的非制冷红外焦平面读出电路的分析

基于3D噪声模型对非制冷红外读出电路噪声产生的原因进行分析,重点阐述了三维噪声的理论框架与分析方法,分析各噪声因子的含义以及产生原因,并给出计算方法,对读出电路各种噪声分量的产生进行了深入的分析。并基于此模型对阵列大小为320×240非制冷红外焦平面阵列进行分析,计算出各噪声因子的大小,得出了噪声产生的主要原因,为焦平面阵列性能的提高与评估提供了理论依据。     

模压全息图片的噪声

本文把全息看作信息传递过程，从把信息（图象）加载到作为载波的物光上开始，通过参考光相干接收，并存储在干板上，经电铸，模压转移信息，最后用再现光把信息解调出来，这当中的任何一过程都会受到遇外干扰，它们就形成噪声。本文指出每一过程可能产生的噪声和抑制办法，并重点分析了散斑噪声，干版，模板和ＰＥＴ材料自身的粒散噪声，指出提高全息质量的关键，乃是在保持恰当衍射效率的情况下，提高信噪比的问题。