双面光刻简易技术

本文介绍用于半导体器件制造的两种简易双面光刻技术:一种是单版式对准,另一种是双版式对准。文中还详述了双版式双面光刻的全套工艺。实验表明,这两种双面对准方法经济实用,单版式双面对准误差<15μ,双版式双面对准误差<3μ,其光刻图形符合工艺要求。     

一种新型接触式双面对版曝光机

本文介绍一种新型双面对版曝光机。该机由传统的单面曝光机改装而成，结构简单，工作原理新颖，操作简便，能方便地在任意中间工序实现晶片定向和双面图形对准曝光。双面图形对准偏差可控制在±１０μｍ以内。本文并分析比较了各种双面对版曝光设备和技术特点。     

双面对准曝光中关键技术研究

对双面曝光技术中的对准方式、曝光光源系统、对准工作台等关键技术进行了研究 ,并通过多年工作实践经验 ,对对准工作台的精度分析作了论述。     

底面对准曝光机对准系统设计

微电子技术的不断发展,对光刻设备精度的要求越来越高,特别是在一些特殊器件的制作领域,要求基片多次曝光后必须达到较高的套刻精度。目前国内外有多种比较成熟的对准技术来满足这一要求,其中底面对准技术作为非常有效的一种而倍受青睐。根据底面对准曝光基本原理,论述了底面对准系统的设计与实现,分析了该系统各个功能块,并详细地介绍了图像处理技术在底面对准中的应用。实测表明,在底面对准曝光机中,该系统运行状况良好。     

几种双面对准原理的分析与比较

根据国内外双面对准曝光机中双面对准曝光技术及工艺的发展 ,系统地对目前国内外典型的几种双面对准原理进行了比较与分析。     

精密远紫外光刻中的对准优化

随着芯片特征尺寸的减小 ,光刻成像技术的不断提高 ,而关键尺寸 (ＣＤｓ)的缩小则产生了更为精确的套刻精度。这些套刻精度在已随着工作台技术和对准系统的改进而得到了满足 ,但这些技术的发展还不能与不断提高的套刻精度保持同步 ,因此需要探索控制套刻和对准的新方法。有价值的对准特性信息由曝光设备获得。在片子对准时 ,对片子上的多点位置测量而获得。根据这些测量信息 ,计算出一种对准模型并用于调整曝光图形。之后这种模型再被用于计算曝光过程对准部分的剩余误差 ,并给出对准质量的象征。为满足严格的套刻容差 ,更多的精力应放在这…     

双面曝光机中观察对准显微镜的机械设计

扼要介绍了适用于双面曝光观察对准显微镜的结构设计，并对双面观察对准的独特性和技术难点进行了剖析，成功地解决了该系统不能整体调焦的难题，使该系统在Ｚ向不移动的情况下达到了调焦和齐焦的目的。     

国外双面对准曝光机的发展及其应用

综述了国外近十多年来双面对准曝光机及其对准技术的发展，介绍了双面曝光机采用的红外对准技术和ＫａｒｌＳｕｓ、ＪＢＡ、ＯＡＩ、ＵＳＨＩＯＩｎｃ、Ｕｎｉｏｎ、ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＶｉｓｉｏｎｓＣｏ等公司研制的双面曝光机性能及其用途；并预测了今后电力电子器件、微机械制造、传感器件、调节器等微小功能器件的广阔市场，为双面曝光技术的发展提供了良好的发展机会和潜在的应用市场。     

高性能分步重复对准系统的性能数据及混合匹配

本文简要地介绍了1980年问世的晶片分步重复对准系统,接着着重讨论了全晶片对准设备的混合匹配,详细论述了与混合匹配有关的问题(晶片预对准和曝光区的精对准)。给出了分辩率、套刻精度、生产率的基本性能数据,并报道了首次混合匹配的结果。     

一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究

深Ｘ射线光刻是制作高深宽比ＭＥＭＳ结构的一个重要的方法。提出一种基于硅工艺和双面对准技术的ＬＩＧＡ掩模技术,工艺十分简单。采用该掩模,可进一步解决深Ｘ射线光刻中的重复对准多次曝光问题,给出了该掩模设计制作工艺过程及深Ｘ射线光刻结果,整个过程包括常常氮化夺、采用Ｋａｒｌ Ｓｕｓｓ双面对准曝光机进行ＵＶ光刻、电化学沉积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑等。利用该掩模在北京ＢＥＰＣ的Ｘ射线光刻光束线上进行曝光。     

双面PSD器件的工艺研究

双面PSD器件具有很高的灵敏度、良好的瞬态响应特性、紧密的结构以及简单的处理电路等优点。介绍了PSD器件的制作技术。重点介绍了利用微细加工技术进行双面两侧分流电极型PSD的制作,解决了双面对准光刻技术的工艺难题,为双面高精度PSD器件的制作提供了一条工艺技术途径。     

双面光学共焦技术的透镜中心厚度测量设计

基于共焦法测量透镜中心厚度的装置中,需要光进入透镜内部发生折射和反射,但这会影响测量精度。为了解决这一问题,在共焦法原理的基础上,采用双面光学共焦的测量方法,设计了一套透镜中心厚度的测量装置,并进行了理论分析、误差分析和试验验证。结果表明,该装置测量范围能达到30mm,测量精度为2m。该装置实现了对透镜中心厚度的高速非接触测量,完全能达到实际测量的需要。     

Double-side planar-doped AlGaAs/InGaAs/AlGaAs MODFET with currentdensity of 1 A/mm

AlGaAs/InGaAs/AlGaAs double-side planar-doped (DSPD) pseudomorphic MODFETs of 0.3-μm gate length with both excellent DC and RF performances are reported. A maximum unilateral gain cutoff frequency of 170 GHz and a maximum current gain cutoff frequency of 60 GHz are achieved. The devices exhibit a maximum transconductance of 500 mS/mm and an extremely high current density of 1 A/mm. These are the highest frequencies reported so far for MODFET devices capable of driving 1-A/mm current density. This current density is the highest ever reported with this type of layer structure     

SCM光通信系统用复合／解复合器的研究

本文介绍了一种用于副载波复用（ｓｕｂｃａｒｒｉｅｒｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇＳＣＭ）光通信系统的副载波复合／解复合器电路组件的结构及设计方法，其中就组件内各子电路的特性分析与设计用基本理论进行了简要叙述。最后给出了典型硬件样品的几组实测特性结果。     

合成孔径雷达卫星系统任务分析方法研究

系统地总结了国内外合成孔径雷达(SAR)卫星的发展现状及趋势,提出了大视角双侧视SAR卫星的新概念。针对SAR卫星有效载荷的特点,从用户需求分析和关键约束条件入手,研究了卫星轨道设计与覆盖性能分析方法,总结了雷达波位参数设计和系统性能分析方法,提出了SAR卫星系统星地一体化任务分析方法。通过计算机仿真,对大视角双侧视SAR卫星概念进行了初步可行性分析。     

铝合金激光-钨极氩弧双面焊的焊接特性

以4 mm和10 mm厚5A06铝合金为实验材料,对激光-钨极氩弧(TIG)双面焊(LTDSW)的焊接特性进行了研究.该工艺充分利用了激光和钨极氩弧两种热源相互作用的优势,不仅可以获得稳定可靠的焊接过程与美观的焊缝成形,还具有显著增加接头熔深、减少焊接缺陷、提高焊接生产率和降低焊接成本等优势,实现了在小功率(1.0 kW)激光条件下4 mm厚铝合金板的可靠连接.与激光焊相比,激光-钨极氩弧双面焊的气孔数量有所下降,气孔分布位置主要受激光和电弧能量匹配关系的影响,气孔数量和大小主要取决于焊接热输入的大小.激光-钨极氩弧双面焊的接头抗拉强度为310 MPa,约为母材强度的88%.     

基于LANDMARC定位的语音增强技术

提出了一种射频标签定位的语音增强技术。该技术结合LANDMARC定位方法与传声器阵列语音增强技术构建了一个智能的语音自适应系统,可以广泛应用于舞台表演、产品展示等多种场合下的声音增强。     

硼扩散片弯曲度的控制技术研究

对硼扩散片弯曲度的控制技术进行了研究。结果发现单面扩散后硅片的弯曲度比双面扩散的弯曲度大,晶锭加工之前的热处理工艺有助于弯曲度的改善。在单面减薄后对硅片进行碱处理工艺,进一步改善了扩散片的弯曲度。通过对硅单晶进行热处理、以及对硅扩散片进行碱处理等一系列措施,使扩散片的弯曲度有了较大幅度的改善。     

电子束曝光机激光工件台系统研制

介绍了nm级电子束曝光机激光定位精密工件台系统的结构组成、各部分技术措施及总体性能指标。该工件台采用HP5527激光干涉测量系统,测量分辨率达0.6nm,结构上成功将导向与承载分离,对承片台、机械手等进行重大创新。无论是整机性能还是关键技术单元均处于国内领先水平,是一台性能优良、高精度的电子束曝光机工件台。     

UWB多址技术的研究

UWB技术不需载波,能直接调制脉冲信号,产生带宽高达几GHZ的窄脉冲波形,其带宽远远大于目前任何商业无线通信技术所占用的带宽.超宽带系统的成功,很大程度上依赖于有效的多址技术的发展.主要研究内容是超宽带无线通信系统中的多址技术.通过计算机仿真的方法,比较了TH-UWB和DS-UWB两种多址方式的多址性能,得出DS-UWB无论是用户容量还是误比特率都要优于TH-UWB.