无压烧结氮化硅陶瓷的研究

本文选用MgO-Al2O3作为复合添加剂，采用无压烧结，设计Si3N4-MgO-Al2O3系烧结体、Si3N4-SiC-MgO-Al2O3系烧结体，研究各种配方在不同忝型压力不同烧结条件下烧结体的性能，测定室温抗折强度、体积密度、体积变化和气孔率，通过X射线衍射分析鉴定烧结体的物相结构，从而确定了最佳工工艺范围。     

无压烧结β′-Sialon的研究

以廉价的高岭土碳热还原—氮化法制得的β′—Sialon粉料为原料 ,用常规的制备工艺进行无压烧结 ,在1 660℃下烧结出体积密度近 3 2g/cm3 ,常温抗弯强度达 4 0 0～50 0MPa的烧结材料     

工艺参数对无压烧结AlN瓷的影响

论述了对外加３ｗｔ％Ｙ２Ｏ３的ＡｌＮ瓷在制备过程中，研磨工艺，排胶制度，生坯密度，保温时间等一系列工艺参数的确定春对导热率的影响，提出为不使ＡｌＮ的机电热性能经，同时导热率又能提高，应采取的方法和措施。     

无压烧结合成O＇－Sialon

探讨了Ｏ＇－Ｓｉａｌｏｎ的合成工艺及配方选择；研究了Ａｌ２Ｏ３在Ｓｉ２Ｎ２Ｏ中的固溶状况及添加剂Ｙ２Ｏ３和烧结液相的特点对Ｏ＇－Ｓｔａｌｏｎ中Ａｌ２Ｏ３固溶度的影响．结果表明；无压烧结合成Ｏ＇－Ｓｉａｌｏｎ的工艺应选用ＳｉＣ粉料作为埋粉，通Ｎ２保护；Ｘ＝０．３为Ｏ＇－Ｓｉａｌｏｎ固溶极限的配方；Ｙ２Ｏ３的加入量增多有利于Ｋ１ｃ值的提高；Ｋ１ｃ在Ｘ＝０．３～０．４时达到最大值；配料时应避开靠近低共熔点处（Ｘ＝０．２）的配方，因其试样力学性能较差．     

碳化硼陶瓷的无压烧结

按照不同的实验方案对碳化硼原料进行烧结,结果发现在2 108~2 226℃下进行无压烧结能得到高纯碳化硼制品,使用Al气和由SiC制得的Si气做为助烧结气,在2 226℃可得到高致密性的B4C制品,体积密度为2.455g.cm-3,约为理论密度的97.4%。     

无压烧结高导热AlN陶瓷的研究进展

AlN以其优异的高热导率、与Si相匹配的热膨胀系数及其它优良的物理化学性能受到了国内外学术界的广泛关注,被誉为新一代高密度封装的首选基板材料.本文详细综述了AlN陶瓷的导热机理和无压烧结工艺等方面的研究进展,并介绍了烧结助剂的选取原则和AlN陶瓷热导率与温度的关系,以及展望了AlN基板的发展趋势和前景.     

无压烧结Si3N4—3YZrO2复相陶瓷材料的力学性能和增韧机理研究

在以４％Ａｌ２Ｏ３作为烧结助剂的Ｓｉ３Ｎ４基体中分别添加５％，１０％，２０％，３０％的３ＹＺｒＯ２，经１８００℃无压烧结。共室温断裂韧性在到５．２－７．６ＭＰａ．ｍ＾１／２，是基体材料的２．４－３．５倍。     

无压烧结氮化硅陶瓷的研究

本文选用ＭｇＯ—Ａｌ２Ｏ３作为复合添加剂，采用无压烧结，设计Ｓｉ３Ｎ４一ＭｇＯ—Ａｌ２Ｏ３系烧结体、Ｓｉ３Ｎ４—ＳｉＣ—ＭｇＯ—Ａｌ２Ｏ３系烧结体，研究各种配方在不同成型压力不同烧结条件下烧结体的性能，测定室温抗折强度、体积密度、体积变化和气孔率。通过Ｘ射线衍射分析鉴定烧结体的物相结构，从而确定了最佳工艺范围。     

β'-Sialon陶瓷

叙述了β＇－Sialon陶瓷的结构、合成方法──燃烧法、性质及应用。     

无压烧结碳化硼的研究进展

碳化硼陶瓷具有高硬度、高熔点和低密度的特点,是优异的结构陶瓷,在民用、宇航和军事等领域都得到了重要应用.综述了无压烧结碳化硼陶瓷的国内外研究进展,阐述了不同的烧结助剂、烧结温度和颗粒尺寸等因素对碳化硼陶瓷性能的影响.     

无压烧结碳化硼的研究进展

碳化硼陶瓷具有高硬度、高熔点和低密度的特点,是优异的结构陶瓷,在民用、航空和军事等领域都得到了重要应用。本文综述了无压烧结碳化硼陶瓷的国内外研究进展,阐述了不同的烧结助剂、烧结温度和颗粒尺寸等因素对碳化硼陶瓷性能的影响。     

无压烧结制备Al2O3/SiC纳米复合陶瓷

用沉淀法包裹微米级SiC颗粒，通过常压、埋烧制备Al2O3／SiC纳米复合陶瓷。通过XRD、TG和SEM等分析了煅烧和烧结过程中相组成的变化、烧成收缩和显微结构。结果表明：利用SiC粉埋烧及碳粉制造还原气氛，含8wt％SiC(平均粒径为5mm)的复合粉末经800℃煅烧、成型，试样于1550℃，2h烧结，可制备Al2O3／SiC纳米复合陶瓷，其相对体积密度达95．2％，在烧结过程中由SiC氧化形成的无定形SiO2及与基质氧化铝反应形成的莫来石前躯体可大大促进烧结。     

Si3N4—MgAl2O4—Al2O3系材料无压烧结的研究

本文对Ｓｉ３Ｎ４－ＭｇＡｌ２Ｏ４－Ａｌ２Ｏ３系复合材料的无压烧结进行了研究，讨论了Ａｌ２Ｏ３含量对材料性能的影响及烧结工艺对材料性能和显微结构的相互关系。实验表明：两段法烧结可以得到性能良好的Ｓｉ３Ｎ４－ＭｇＡｌ２Ｏ４－Ａｌ２Ｏ３复合材料。     

无压烧结制备SiC密封件的工艺与性能研究

采用无压烧结方法制备了碳化硅密封件样品,讨论了对其性能有较大影响的工艺参数。借助SEM分析手段观察了其显微结构,并测试了其力学性能和体积密度。实验结果表明：以酚醛树脂和淀粉混合物为粘结剂,通过添加1～4w t%炭黑2～4w t%B4C,在2100～2150℃、保温0.5～2h条件下得到了力学性能良好的碳化硅制品。其肖氏硬度达到110,抗折强度350 M Pa,弹性模量300 G Pa,密度最高可达3.12 g/cm 3。     

氮化铝陶瓷的微波烧结研究

利用ＴＥ１０３单模腔微波地系统对ＳＨＳ制备的ＡｌＮ粉的加热烧结特征，烧结样品的显生结构进行了研究。通过适当的保温措施和烧结工艺实现了ＡｌＮ陶瓷的微波快速烧结。     

无压烧结碳化硅研究进展

碳化硅具有良好的高温性能以及化学稳定性,已广泛应用于许多领域.综述了无压烧结碳化硅烧结助剂体系的研究进展,综述了碳化硅原料种类、烧结助剂种类及用量、成形工艺、烧结工艺对无压烧结碳化硅性能的影响.     

添加Mg-Al-Si体系烧结助剂的氮化硅陶瓷的无压烧结

以MgO-Al2O3-SiO2体系作为烧结助剂,研究了氮化硅陶瓷的无压烧结。着重考察了烧结温度、保温时间以及烧结助剂用量等工艺因素对氮化硅陶瓷材料力学性能和显微结构的影响,通过工艺调整来设计材料微观结构以提高材料的力学性能。在烧结助剂质量分数为3.2％的情况下,经1 780℃,3 h无压烧结,氮化硅大都呈现长柱状β-Si3N4晶粒,具有较大的长径比,显微结构均匀。样品的相对密度达99%,抗弯强度为956.8 MPa,硬度HRA为93,断裂韧性为6.1 MPa·m1/3。具有较大长径比晶粒构成的显微结构是该材料表现较高力学性能的原因。