基于ADS的C波段低噪声放大器的设计

介绍了一种基于ADS的C波段低噪声放大器的设计,同时分析了射频微波低噪声放大器的整体框图、主要指标以及具体的电路设计方法。低噪声放大器是无线通信接收机中的主要组成部分,低噪声放大器指标的好坏直接影响整个接收机的工作状况。该放大器采用射频场效应管ATF-36077作为主要放大器件,同时利用微带线设计了外围匹配电路,利用ADS强大的射频仿真与优化功能,最终实现了一个性能优良的C波段低噪声放大器。最后设计的放大器在3.7GHz⁴.2GHz增益为11dB,噪声系数为0.6dB,输入输出驻波比小于1.5。     

基于ADS的射频低噪声放大器的设计与仿真

应用E-PHEMT器件ATF-58143设计了一款增益约20 dB,噪声系数小于0.5 dB的低噪声放大器。采用负反馈保证系统的稳定性,利用匹配网络保证了低噪声系数和高增益。结合该实例介绍了借助ADS软件进行低噪声放大器的设计方法,给出设计步骤,并对仿真结果进行了分析,对于LNA的研究与设计具有重要意义。     

低噪声放大器的网络设计和实现

分析了低噪声放大器的设计方法,介绍了一种用网络匹配法和Asoft公司的Designer软件包并通过晶体管模型来设计低噪声放大器的具体方法。该方法设计的低噪声放大器带宽为1．5GHz,增益为23．2dB且在带宽内性能十分稳定。     

用于LTE频段的低噪声放大器的仿真与设计

采用场效应晶体管ATF541M4设计了一个工作于LTE第38频段（2570MHz-2620MHz）的低噪声放大器。首先介绍设计低噪声放大器的理论基础,其次在ADS中进行仿真,最后将仿真结果与实测结果进行对比,得出结论。实测结果表明,该低噪声放大器在指定频率范围内噪声系数小于ldB,增益大于13dB,带内波动小于±0．25dB。     

气象探空雷达中平衡式低噪声放大器设计

为了提高L波段气象探空雷达中射频前端的稳定性,采用ATF54143晶体管设计了一种平衡式结构的低噪声放大器。通过使用ADS软件对该低噪声放大器进行了优化、仿真,并进行了实物加工。实物测试表明,该低噪声放大器带内增益大于15dB,噪声系数小于1dB,稳定性系数大于1。     

射频低噪声放大器设计与仿真

为了提高接收机接收灵敏度及通信距离,设计了一种433 MHz频段两级低噪声放大器。使用了一种在集电极串联感性反馈,使放大管处于绝对稳定状态的方法,采用等噪声圆及等功率圆进行了低噪声放大器的仿真设计,分析了放大管的稳定性、噪声系数、增益等参数。仿真及测试结果表明低噪声放大器在433 MHz频段,噪声系数0.6 dB,输入输出驻波比1.5,增益26 dB,将设计的低噪声放大器应用在433 MHz通信模块中,通信距离有显著提高。     

一种新型2.4 GHz SiGe BiCMOS低噪声放大器

基于窄带低噪声放大器理论,设计了一种2.4 GHz,具有低功耗、低噪声和良好匹配性等优点的新型BiFET结构SiGe BiCMOS低噪声放大器。采用TSMC 0.35μm SiGe BiCMOS工艺库,利用SpectreRF软件的仿真结果显示,该电路具有2.27 dB低噪声系数,11.5 dB正向增益;2 V工作电压下,其功耗仅为6.1 mW。研究结果表明,该低噪声放大器在射频蓝牙系统中具有一定的应用前景。     

非平衡变换低噪声放大器的设计

在具有非平衡变换功能的2.4GHz CMOS低噪声放大器的设计中,采用单端低噪声放大器与有源Balun结构通过耦合电容相级联的方法实现.单端低噪声放大器主要侧重优化它的噪声系数,并使其具有较高的增益.有源Balun结构则侧重于减小它的增益误差和相位误差.最后把单端低噪声放大器和有源Balun结构进行联合仿真.仿真结果显示:设计的低噪声放大器在中心频率上噪声系数为0.71dB,增益为25.767dB,输入输出反射系数均小于-20 dB,电路总功耗为13.86mW,并且实现了完全的非平衡转换.     

基于ADS的平衡式低噪声放大器设计

平衡放大技术有着驻波特性好,增益高、易级联的优点。本文将平衡放大技术应用到低噪声放大器的设计中,在保证低噪声和功率增益的同时,用以提高低噪声放大器的驻波比和增益平坦度。ADS仿真结果表明,在5.3-6.3 GHz的频带范围内,低噪声放大器绝对稳定,噪声系数≤1.182 dB,功率增益达到10 dB,并且通过采用平衡放大技术,输入输出驻波比≤1.3∶1,带内波动≤1dB,提高了低噪声放大器的有效工作带宽。     

低成本CDMA2000基站低噪声放大电路设计

CDMA基站低噪声放大电路是无线通信系统中的关键组成部分,其性能的好坏将影响整个通信系统的性能。文章重点研究CDMA2000基站低噪声放大电路,对低噪声放大电路进行了讨论分析,采用理论分析与微波电路仿真相结合的方法设计出一款基于GaAs HEMT的CDMA2000基站两级低噪声平衡放大电路,并将设计结果付诸实践。设计的两级GaAs低噪声放大器在824MHz～849MHz频率范围内实现噪声系数小于0.8dB,增益达到29dB。     

S波段低噪声放大器的ADS仿真与设计

介绍低噪声放大器设计的理论基础,并重点介绍了低噪声放大器的主要性能指标:噪声系数、功率增益、驻波比、稳定性等。以ATF38143晶体管为例介绍了ADS仿真软件设计低噪声放大器的方法和主要步骤。采用三级级联结构设计出满足指标的S波段低噪声放大器链路。该放大器链路的指标为噪声系数小于1.2,功率增益大于50dB,增益平坦度小于0.5dB,VSWR小于1.8的低噪声放大器,带宽为6MHz,并具有一定的带外抑制能力。     

双频段接收机中的BiFET低噪声放大器

设计了一种采用BiFET结构的低噪声放大器（LNA）,这种结构通过BiCMOS工艺使低噪声放大电路集合了双极型晶体管的低噪声特性和CMOS晶体管的高线性度。应用优化的BiFET Cascode共源共栅结构能够明显地提高低噪声放大器的性能,并且能应用于两个不同频率。本文设计的低噪声放大器在低偏置电流（1．7mA）和低功耗（5．7mW）的情况下能取得1．69dB的噪声系数、15．96dB的电压增益、一8．5dBm的IIP3和-67dB的反向隔离。设计的BiFET低噪声放大器是采用了AMS0．8μm的BiCMOS混合信号工艺,经过优化可以用于工业、室内的远程无线控制系统包括无线门禁系统。     

Ka波段低噪声放大器的研制

毫米波低噪声放大器是毫米波接收系统的关键部件,本文设计的毫米波低噪声放大器采用BJ320波导口输入输出和微带探针过渡结构实现波导结构到微带平面电路的过渡,使用MMIC芯片微组装工艺实现电路的制作,在工作频带内,测得该低噪声放大器的增益大于16 dB,噪声系数小于2.7 dB,达到了工程使用的要求。     

宽带CMOS低噪声放大器的设计

文章主要介绍应用于集群接收机系统的350MHz～470MHz低噪声放大器,采用0.6μm CMOS工艺。探讨了优化低噪声放大器的噪声系数、增益与线性度的设计方法,同时对宽带输入输出匹配进行了分析。这种宽带低噪声放大器的工作带宽350MHz～470MHz,噪声系数小于3dB,增益为24dB,增益平坦度为±1dB,输入1dB压缩点大于-15dBm。     

无线应用中的低噪声放大器设计与分析

低噪声放大器在接收系统中能降低系统的噪声和提高接收机灵敏度,是接收系统的关键部件.描述了一种用于无线通信射频(RF)前端的低噪声放大器(LNA)的设计,先总体阐述了低噪声放大器的主要技术和性能指标,然后在采用ATF34143微波晶体管的基础上,依据低噪声放大器的各项指标来同步进行电路的设计、优化和ADS仿真,结果表明设计的低噪声放大器完全满足性能指标要求,其功率增益可达16dB,噪声系数(NF)在0.5dB以下.     

基于ADS的C波段的低噪声放大器仿真设计研究

低噪声放大器是接收机中最重要的模块之一,文中采用了低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管,设计了一种应用于5.5～6.5 GHz频段的低噪声放大器。为了获得较高的增益,该电路采用三级级联放大结构形式,并通过ADS软件对电路的增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计,最终得到LNA在该频段内增益大于32.8 dB,噪声小于1.5 dB,输入输出驻波比小于2,达到设计指标。     

S波段小型化宽带低噪声放大器的设计

采用软件计算微带平面电感,描述了一款基于薄膜工艺的小型化宽带低噪声放大器的设计和性能。测试结果表明:在2.7～3.5 GHz的频段内,低噪声放大器的噪声系数小于等于0.55 dB,增益大于等于33 dB,增益平坦度小于等于±0.1 dB;在2～4 GHz的频段内,低噪声放大器的噪声系数小于等于0.65 dB,增益大于等于33 dB,增益平坦度小于等于±0.8 dB;尺寸为6.0 mm×4.2 mm。     

应用于2.4GHz无线传感网的带ESD保护CMOS低噪声放大器的设计与优化

本文给出一种新的带ESD保护源极电感负反馈低噪声放大器优化方法,可以实现在功耗受限条件下的噪声和输入同时匹配,并给出了输入阻抗和噪声参数的分析。采用该方法设计并优化了一个基于0.18-μm RF CMOS工艺、应用于无线传感网的2.4GHz低噪声放大器。测试结果表明,低噪声放大器的噪声系数为1.69dB,功率增益为15.2dB,输入1dB压缩点为-8dBm,输入三阶截点为1dBm,1.8V电源电压下的工作电流为4mA。     

毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器

设计了一款毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器。限幅器采用两级反向并联二极管结构,通过优化限幅器匹配电路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅电路的插损。低噪声放大器为四级级联设计,输入端采用最小噪声匹配,偏置电路增加RC串联谐振电路,减小了噪声,提高了电路稳定性。测试结果表明,该毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器在33～37 GHz频带内,增益达到22 dB,增益平坦为±1 dB,输入驻波小于2,输出驻波小于1.5,噪声小于3.0 dB,输出1 dB增益压缩点(P_(1dB))大于5 dBm,可以承受15 W的脉冲输入功率。     

一种适用于5G通信的分布式低噪声放大器

宽带低噪声放大器是5G无线通信系统中的关键模块。针对6 GHz以下5G通信应用频段,基于65 nm CMOS工艺,设计了一种三级均匀分布式宽带低噪声放大器。在增益单元电路中,采用噪声抵消技术降低了噪声,同时实现了信号的单转双变换,并通过电流复用技术提升了增益。栅极人工传输线的终端采用了RL型负载,进一步改善了放大器的噪声性能。仿真结果表明,该分布式低噪声放大器的带宽为0.5~5.7 GHz,带内增益达到24.2 dB,噪声系数低于4.5 dB,而最小噪声系数仅为2.7 dB。